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Análise estereosseletiva do cloridrato de cis-tramadol e de suas impurezas em matéria-prima e formulação farmacêutica; Estereoselective analysis of cis-tramadol hydrocloride and its impurities in raw material and pharmaceutical formulation

Bernardo, Naíssa Prévide
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 10/10/2008 PT
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37.44572%
O cloridrato de tramadol, analgésico sintético de ação central, possui dois centros quirais: o isômero cis é ativo e o isômero trans é uma impureza de processo. Ambos os enantiômeros do cloridrato de cis-tramadol contribuem para o efeito analgésico, mas através de mecanismos diferentes, complementares e interativos farmacologicamente. Os dois isômeros do cis-tramadol apresentam efeitos terapêuticos, e a presença de impurezas, incluindo os isômeros trans - decorrentes do processo de síntese ou devido à decomposição - podem comprometer a qualidade do produto comercializado. Assim, este trabalho teve como objetivo desenvolver e validar metodologia estereosseletiva para análise do cloridrato de cis-tramadol e das possíveis impurezas quirais ou não na matéria-prima e formulações farmacêuticas. Para a separação e quantificação dos enantiômeros do cloridrato de cis-tramadol e das impurezas trans-tramadol, 1,2-olefina e 1,6-olefina, foi utilizada a coluna Chiralcel® OD-H, fase móvel constituída por hexano (60% e 100% de n-hexano, 1:1, v/v):isopropanol:dietilamina:ácido trifluoracético (99,5:0,5:0,3:0,1, v/v/v/v), na vazão de 0,7 mL min-1 e detecção em 274 nm. A coluna Chiralpak® AD fase móvel constituída por hexano (60% de n-hexano):etanol absoluto:dietilamina (95:5:0...

Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante; Eletronic estructure and hyperfine field of cobalt and nickel-related complexes in diamond

Larico, Rolando
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 12/12/2008 PT
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37.203838%
As várias possibilidades de aplicações tecnológicas que o diamante permite, na indústria de dispositivos, impulsionaram os avanços de fabricação de amostras de diamante sintético de alta qualidade. O cristal de diamante crescido, do grafite, pela técnica de alta pressão e alta temperatura (HPHT - High Pressure-High Temperature), utiliza ligas de metais de transição como solvente-catalizadores, que produzem contaminação das amostras. Dentre as várias impurezas de metal de transição introduzidas no material resultante, as impurezas de níquel são as mais bem caracterizadas, pois os centros relacionados ao Ni apresentam características únicas nestas amostras sintéticas. Apesar das ligas de cobalto serem as mais utilizadas como solvente-catalizador no crescimento de diamante sintético, defeitos relacionados a sua presença, no material resultante, não têm sido identificados com a mesma facilidade como aqueles relacionados aos do níquel. Medidas de absorção óptica e de ressonância paramagnética eletrônica têm identificado vários centros relacionados com a impureza de níquel e alguns centros relacionados com a impureza de cobalto em diamante, tanto isolados como formando complexos, que envolvem defeitos intrínsecos e/ou dopantes. Entretanto...

Método generalizado do grupo de renormalização numérico para o cálculo de propriedades termodinâmicas de impurezas em metais.; Generalized numerical renormalization group method to calculate the thermodynamical properties of impurities in metals.

Oliveira, Wanda da Conceicao de
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 20/05/1994 PT
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37.203838%
Este trabalho tem como objetivo desenvolver uma técnica de calculo que permita diagonalizar Hamiltonianos de mais de uma impureza e adaptá-la ao calculo de suas propriedades termodinamicas. Esta técnica é uma extensão do método de grupo de renormalização, originalmente desenvolvido por Wilson para calcular propriedades termodinâmicas do modelo Kondo de uma impureza. O procedimento baseia-se na discretização logarítmica da banda de condução do metal hospedeiro, definida por um parâmetro de discretização Λ, que permite que se projete o Hamiltoniano em uma base quântica finita, na qual o mesmo possa ser diagonalizado numericamente. O tempo do custo computacional do calculo diminui exponencialmente à medida que Λ cresce, tornando melhor trabalharmos com valores grandes de Λ. O grande problema em usarmos Λ grande e que aparecem oscilações nas curvas das propriedades termodinâmicas. Neste trabalho apresentamos o método generalizado que elimina essas oscilações. Inicialmente, testamos o método no modelo de Anderson sem correlação de uma impureza para o cálculo da suscetibilidade magnética do sistema, com resultado satisfatório. Na seqüência, para verificar a potencialidade do método, diagonalizamos o Hamiltoniano de Falicov...

Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes.; Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.

Borges, Pablo Damasceno
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 19/08/2011 PT
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37.310474%
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado, impurezas de hidrogênio, em sítios intersticiais ou substituindo o átomo de oxigênio, poderiam ser responsáveis pelo caráter n do SnO2. Neste trabalho apresentamos nossos resultados de estrutura eletrônica, a partir de cálculos de primeiros princípios, para o dióxido de estanho puro, assim como levando em conta a presença de defeitos intrínsecos - VO, VSn, Sni, Oi, OSn, SnO, SnO+OSn, Sni+VO - e para vários centros de impureza de hidrogênio - Hi, HO, HBC, Hi-Hi, Hi-HO, Hi-HBC, HBC-HBC, onde V significa vacância e BC a impureza localizada em um sítio entre ligação. Os resultados para a impureza de hidrogênio são confrontados com os dos defeitos intrínsicos. Nossas análises mostram, tanto para o caso das impurezas de H isoladas quanto para os pares complexos H-H, que estes centros apresentam caráter doador. Em todas as configurações, as energias de formação são suficientemente baixas...

Análise enantiosseletiva da zopiclona, suas impurezas e metabólitos em formulações farmacêuticas e materiais biológicos; Enantioselective analysis of zopiclone, its impurities and metabolites in pharmaceutical formulations and biological materials

Tonon, Milena Araújo
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 05/04/2012 PT
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37.310474%
Zopiclona (ZO) é um hipnótico não-benzodiazepínico da classe ciclopirrolonas, indicada para o tratamento da insônia. A ZO é um fármaco quiral administrada como uma mistura racêmica; no entanto, a sua atividade farmacológica está principalmente relacionada com o enatiômero (+)-(S)-ZO, também conhecido como eszopiclona. A ZO é extensivamente metabolizada e os metabólitos principais são a N-desmetil zopiclona (N-Des) e zopiclona-N-óxido (N-Ox). A N-Ox também é uma impureza encontrada na matéria prima. Além dessa impureza, outras oriundas do processo de síntese ou devido à degradação também podem ser encontradas: impureza B (RP29307), impureza C (2-amino-5-cloropiridina, ACP ou RP26695) e RP 48497. Sendo assim, o objetivo desse estudo foi desenvolver métodos de análise enantiosseletiva da ZO, metabólitos e impurezas em formulações farmacêuticas e materiais biológicos. Um método empregando a cromatografia líquida de alta eficiência com detecção por espectrometria de massas (LC-MS-MS) foi desenvolvido e validado para a quantificação simultânea da ZO e de seus metabolitos em plasma de ratos. Os analitos foram isolados das amostras por extração líquido-líquido e separados na coluna CHIRALPAK AD-RH...

Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos; Impurities native defects cubic group III nitrides

Ramos, Luis Eugenio
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 10/09/2002 PT
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37.38749%
Nitretos do grupo III (BN, AlN, GaN e InN) são comumente utilizados em dispositivos optoeletrônicos operando na faixa de comprimentos de onda do azul ao ultravioleta tais como lasers, diodos emissores de luz, transistores, fotodetetores, anúncios luminosos e revestimento de ferramentas abrasivas. Os nitretos do grupo III em geral apresentam elevada tolerância a altas temperaturas, suportam altas injeções de corrente elétrica em dispositivos, apresentam rigidez mecânica e formam ligas do tipo cátion-cátion-nitrogênio o que permite a engenharia dos gaps fundamentais de energia requerida para aplicações em ótica. A estrutura mais estável e mais utilizada em aplicações dos nitretos do grupo III é a estrutura wurtzita com exceção de BN para o qual a estrutura cúbica zincblende é a mais estável. Recentemente AlN, GaN e InN têm sido sintetizados em sua fase zincblende que em princípio oferece vantagens com relação à fase wurtzita como mais alta simetria da rede. Cristais semicondutores em geral apresentam imperfeições ou defeitos (vacâncias, deslocamentos etc) bem como certa quantidade de impurezas. Para obter as propriedades desejadas no material semicondutor é usual a introdução de impurezas no processo conhecido como dopagem. Como a síntese dos nitretos do grupo III e suas ligas na fase zincblende é recente...

Novo método de grupo de renormalização numérico aplicado ao cálculo da susceptibilidade magnética no modelo de Anderson de duas impurezas; New method of numerical renormalization group applied to the calculation of the magnetic susceptibility in the two-impurity

Silva, Jeremias Borges da
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 01/06/1994 PT
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37.04642%
Este trabalho introduz uma nova discretização da banda de condução no método de Grupo de Renormalização Numérico. Com essa técnica, a susceptibilidade magnética do modelo de Anderson de duas impurezas, no limite Kondo, e calculada. Como ilustração, a densidade espectral do modelo também é calculada. A nova técnica baseia-se na simetria de paridade do modelo para discretizar diferentemente à banda de condução associada a cada paridade. Sua extensão ao modelo de rede é indicada. A técnica reduz o tempo computacional e permite usar maiores valores do parâmetro de discretização do que no método tradicional. Para um mesmo tempo de cálculo, nossos resultados são muito mais precisos do que os encontrados na literatura. A susceptibilidade é calculada na aproximação de acoplamento independente da energia. Uma interação de troca, tipo RKKY, é somado ao Hamiltoniano do modelo. Para acoplamento ferromagnético, obtém-se efeito Kondo de dois estágios. O estado fundamental é singleto com defasagem de PI/2 na banda de condução. Para acoplamento antiferromagnético fraco, um efeito Kondo é obtido. Para fortes acoplamentos antiferromagnéticos, o estado fundamental e singleto sem defasagens. Um ponto fixo instável é observado separando as regiões de estado fundamental Kondo e antiferromagnético. Nesse ponto a susceptibilidade é nula e a defasagem é indefinida.; This work introduces an extension of the Numerical Renormalization Group approach to compute thermodynamically properties of impurities in metals...

Diagonalização do Hamiltoniano de Falicov e Kimball para duas impurezas em meio metálico; Diagonalization of the Falicov-Kimball model for two impurities in a methallic medium

Mello, Jose Luiz Nunes de
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 17/06/1992 PT
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37.38749%
Este trabalho estuda o modelo de Falicov e Kimball com duas impurezas. O modelo consiste de um metal com duas impurezas separadas por uma distância R, cada uma das quais é representada por um único nível eletrônico. Um acoplamento V permite transferência de carga entre cada impureza e a banda de condução do metal. Além disso, cada impureza introduz um potencial espalhador G cuja intensidade depende da ocupação do seu nível, assim simulando a interação eletrostática entre um buraco na impureza e os elétrons de condução. Esta dissertação diagonaliza o Hamiltoniano do modelo pelo método do grupo de renormalização numérico. Dá-se atenção à possível equivalência entre este modelo (desprovido de spin) e o modelo de Kondo para duas impurezas. Discute-se em particular essa equivalência para R=0 e para R= INFINITO. Para R finito, apenas um primeiro passo na direção de se estabelecer a equivalência é dado: obtém-se uma expressão analítica para a taxa de transição eletrônica entre os níveis das impurezas e a banda de condução.; In this work, the two-impurity Falicov-Kimball model is studied. The model consists of a metal containing two impurities separated by a distance R, each represented by a single electronic level. A coupling V allows charge transfer between each impurity and the conduction band. In addition...

Estudo de difusão de impurezas introduzidas por implantação iônica em polímeros

Soares, Marcio Ronaldo Farias
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
POR
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37.04642%
No presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade por nêutrons. Com este propósito foram implantadas e realizadas medidas em diferentes intervalos de temperatura para diferentes sistemas como (Au, Ag) no fotoresiste AZ1350, (Bi, Eu, Er, B) no fotoresiste S1813 e (Xe, Kr) no termoplástico Poliestireno. Como resultado mostrou-se que para implantações em baixas energias e fluências Au, Ag seguem uma difusão regular. Os valores obtidos para os parâmetros de difusão são semelhantes indicando assim um mecanismo de difusão verdadeiramente atômico. É mostrado também que com o aumento da fluência, devido aos danos gerados pelo processo de implantação, átomos são aprisionados na região implantada levando a um mecanismo de difusão por aprisionamento e liberação. Contudo, mostrou-se que a energia de ativação indica que este processo de difusão ainda é de caráter atômico. Da análise dos valores de D observamos um efeito de massa associado onde D(T)Au < D(T)Ag, pois a massa de Ag é duas vezes menor que a de Au. Para os elementos como Bi...

Estados excitados de impurezas hidrogenóides rasas em poços quânticos de GaAs-GaAIAs

Gleise das Neves Carneiro
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 08/07/1994 PT
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37.04642%
O estudo de impurezas rasas em heteroestruturas, tais como poços quânticos e superardes, tem sido de contínuo interesse nos últimos anos. Comparações bem sucedidas entre resultados experimentais [e.g. fotoluminescência: N. N. Ledentsov et al., Appl. Phys. A 54, 261 (1992)] e cálculos teóricos [L. E. Oliveira and G. D. Mahan, Phys. Rev. B 47, 2406 (1993)] constituem uma forte motivação para um estudo teórico mais profundo. Apresentamos um cálculo variacional das energias de ligação de doadores rasos em um poço quântico de GaAs-Ga1-xAlxAs. As energias e funções de onda variacionais associadas ao estado fundamental (tipo 1s) bem como alguns estados excitados (tipo 2s, 2px,y, 2pz, 3s, 3px,y e 3pz) são obtidos em função da posição da impureza dentro do poço. A densidade de estados de impureza, os elementos de matriz para a transição intradoadores e o espectro de absorção no infravermelho são calculados para alguns destes estados e comparados com trabalhos teóricos [ S. Fraizzoli, F. Bassani, and R. Buczko, Phys. Rev. B 41,5096 (1990)] e experimentais [N. C. Jarosik et al., Phys. Rev. Lett. 54, 1283 (1985)] anteriores; The study of shallow impurities in semiconductor heterostructures, such as quantum wells and superlattices...

Modelo de Anderson para duas impurezas : Método dos campos efetivos; The two-impurity Anderson model : an effective medium approach

Antônio Maia de Jesus Chaves Neto
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 05/11/2004 PT
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37.44572%
O Hamiltoniano do modelo de Anderson para duas impurezas é estudado via um desacoplamento das funções de Green. Neste caso resulta ser equivalente a aproximação de potencial coerente (CPA) que também, neste caso, coincide com a aproximação Hubbard-I. Consideram-se todos os termos de interação impureza-impureza, tanto os denominados termos de um corpo como os de dois corpos. Os parâmetros associados às interações mencionadas acima incluem: repulsão coulombiana intra e intersítio, hopping direto, hopping correlacionado e o termo de troca (exchange). Todos estes são modelados via orbitais atômicos de Slater, e neste caso se considera o modelo mais simples, o caso não degenerado, ou seja, um nível por impureza. Nesta modelagem, incluindo o metal hospedeiro, os parâmetros independentes resultam ser: a constante de hibridização eletrônica impureza-metal, o número de portadores do metal hospedeiro, o vetor de onda de Fermi associado ao mesmo, a largura dos orbitais atômicos das impurezas e a distância impureza-impureza. Para o caso particular de temperatura nula e no regime denominado de banda semicheia (a metade dos níveis das impurezas são preenchidos considerando os valores esperados) são calculadas as densidades espectrais (densidade de estados) associadas às impurezas...

Obtenção de temperaturas e densidades de elétrons em plasmas de Tokamaks através de espectroscopia no visível de emissões de impurezas; Measurements of electron temperatures and densities in TokamaK plasmas using visible spectroscopy of impurity emissions

Fellype do Nascimento
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
PT
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Este trabalho tinha como objetivo desenvolver um diagnostico para medir temperaturas e densidades de elétrons (Te e ne) em plasmas de tokamaks, utilizando espectroscopia no visível de emissões de impurezas presentes no plasma. Foram obtidos resultados para medidas locais de temperaturas e densidades de elétrons no plasma dos tokamaks NOVA-UNICAMP e TCABR, a partir de medidas de emissões espectrais de íons de carbono e oxigênio. Para este propósito foi utilizada a relação entre o fluxo de partículas de impurezas e as emissões espectrais provenientes delas. Esta relação foi combinada com um método interativo para obter valores de Te e ne. Tais resultados foram alcançados baseados na teoria de que o fluxo de partículas de um determinado elemento presente no plasma não depende do comprimento de onda em que seus íons estão emitindo radiação, no regime de equilibrio colisional-radiativo. No tokamak NOVA-UNICAMP foram obtidos resultados utilizando emissões espectrais de carbono e oxigênio, porem apenas em um nível de ionização de tais elementos (C1+ e O1+). Nesta maquina, as medidas de três linhas de emissão provenientes de cada íon foram efetuadas de forma simultânea, ou seja, em um único disparo. Já no tokamak TCABR foram gerados resultados com emissões de três níveis de ionização do carbono (C1+...

Estudo de adsorção de impurezas moleculares e caminhos de reação em nanofios de ouro; Study of adsorption of molecular impurities and reaction pathways in gold nanowires

Ana Paula Favaro Nascimento
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 15/03/2013 PT
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A fabricação e o estudo de nanofios de ouro despertam grande interesse na comunidade científica, na tentativa de maior entendimento de efeitos quânticos de sistemas em escala reduzida, assim como na possibilidade de seu uso em aplicações tecnológicas. Uma vez que os nanofios de ouro apresentam propriedades surpreendentes quando dopados por impurezas atômicas fomos motivados a estudar como estas se formam. Devido ao fato de em escala nanoscópica o ouro apresentar atividade catalítica, consideramos que a presença de impurezas se deve a reação de pequenas moléculas em nanofios de Au. O estudo foi realizado por meio de cálculos abinitio via Teoria do Funcional da Densidade, usando o código computacional SIESTA. A metodologia para o estudo da estrutura eletrônica desses sistemas foi a de otimização de geometria e de dinâmica molecular ab initio. Nosso foco de estudo foi encontrar caminhos reacionais para a formação de impurezas atômicas de carbono ou de oxigênio nas cadeias atômicas lineares de nanofios monoatômicos. A análise se baseou na interação entre duas moléculas catalisada pelo nanofio, as moléculas consideradas em nosso estudo foram CO e O2. Um estudo extensivo e detalhado das possíveis reações foi feito. Dentre os vários caminhos estudados...

Estudo do impacto das impurezas da salmoura no processo de eletrólise

Rebelo, Daniela Sofia Marques
Fonte: Universidade de Aveiro Publicador: Universidade de Aveiro
Tipo: Dissertação de Mestrado
POR
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27.491294%
A indústria de cloro-álcalis é uma indústria com bastante expressão no panorama da indústria química mundial. O cloro e soda cáustica produzidos são dois intermediários de referência com uma ampla gama de aplicação nas mais diversas indústrias. Em Portugal, a maior empresa deste ramo é a CUF-QI. Uma vez que, nesta indústria, grande parte dos custos de produção está associado ao consumo elétrico é essencial que se minimizem todas as fontes de aumento de potencial. Esta redução só é possível identificando a sua origem e quantificando a sua magnitude. A tecnologia de eletrólise que domina neste momento na indústria é a de células de membrana. Uma das principais limitações da tecnologia de membrana é a baixa tolerância dos seus elementos, em especial da membrana, às impurezas dos eletrólitos. A salmoura que é utilizada como matéria-prima para a eletrólise é uma potencial fonte de impurezas que, apesar de ser sujeita a pré-tratamentos, apresenta, na admissão à célula um teor de impurezas que poderá conduzir a uma diminuição do desempenho da célula. A literatura é escassa e aquela que existe é feita de modo essencialmente qualitativo: uma associação entre a presença de impurezas e o aumento de potencial e diminuição da eficiência. Assim...

Estudo do efeito térmico sobre os níveis de impurezas em semicondutores

Amato,M.A.
Fonte: Sociedade Brasileira de Física Publicador: Sociedade Brasileira de Física
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/06/2006 PT
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37.04642%
O estudo da dependência da posição dos níveis de energia das impurezas profundas em semicondutores com a temperatura é um problema bastante interessante, e sua evidência experimental é discutida por vários autores. Neste artigo propomos um modelo teórico bastante simples, a partir do conhecimento da secção de choque de fotoionização e de alguns parametros associados aos fónons, para o entendimento deste comportamento.

Correlação entre o espectro óptico e a concentração de impurezas no quartzo colorido

Araújo,Fernando Gabriel S.; Cerceau,Cristiano R.; Cota,André B.; Pereira,Breno A.
Fonte: Escola de Minas Publicador: Escola de Minas
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/12/2001 PT
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37.04642%
Gemas de quartzos naturais branco-leitoso, fumês, ametista, citrino verde e rosa foram caracterizados por espectrometria UV-VIS, microssonda eletrônica, difratometria de raios X e por espectrometria de absorção atômica, com o objetivo de avaliar as fases presentes e as concentrações de impurezas. Para toda a região do visível, o quartzo incolor leitoso apresentou a maior absorção, enquanto os quartzos citrino e enfumaçado apresentaram os menores níveis de absorção. Observou-se a presença de Al em todas as amostras, em quantidades próximas ou superiores à encontrada no quartzo fumê. A concentração de ferro na ametista, no quartzo-citrino e no quartzo verde revelou-se crescente de um tipo para outro. No quartzo rosa translúcido, o titânio foi detectado em quantidades apreciáveis, não tendo sido quantificados o fósforo ou o ferro, de maneira que se pode necessitar de maior investigação para se definir o mecanismo causador de cor, embora ele deva estar seguramente ligado à presença dos íons Ti.

Estudo ab initio de impurezas de B e N em nanofios de SiC

Oliveira, Igor Saulo Santos de
Fonte: Universidade Federal de Uberlândia Publicador: Universidade Federal de Uberlândia
Tipo: Dissertação
POR
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37.38749%
Neste trabalho foi realizado um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas e estruturais de nanofios de SiC crescidos nas direções (100) e (111). Foram consideradas estruturas terminadas em Si e em C para o fio crescido na direção (100), e em ambas as direções os fios foram saturados com átomos de hidrogênio nas ligações pendentes da superfície. Foi analisado, também, a presença de impurezas nos nanofios estudados, onde foi considerado impurezas doadoras, Boro, e receptoras, Nitrogênio. Procuramos encontrar a posição mais estável dessas impurezas nos fios, e para esta configuração foi detalhado sua geometria de equilíbrio e estrutura eletrônica. Os cálculos teóricos foram realizados dentro da Teoria do Funcional da Densidade, utilizando-se a Aproximação do Gradiente Generalizado (GGA) para descrever o funcional de troca-correlação. As interações elétron-íon são descritas através de pseudopotenciais de norma conservada de Troullier-Martins. As densidades de cargas são obtidas resolvendose as equações de Kohn-Sham, com as funções de onda de Kohn-Sham sendo expandidas como uma combinação linear de orbitais atômicos. Nossos resultados mostram que nanofios de SiC são semicondutores e aparecem níveis de energias próximos ao nível de Fermi quando impurezas doadoras ou receptoras são adicionadas. Foi encontrado também que o B nos nanofios de SiC migram para sua borda enquanto que o N fica na parte mais interna destes nanofios. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT; In this work we have performed an ab initio study of the stability...

Efeito das impurezas ferro, alumínio e magnésio na cadeia de processamento químico do fosfato

Fernandes, Nilson José
Fonte: Universidade Federal de Uberlândia Publicador: Universidade Federal de Uberlândia
Tipo: Tese de Doutorado
POR
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37.52793%
O elemento fósforo desempenha papel fundamental no metabolismo das plantas. É amplamente utilizado como fertilizante. Este elemento é geralmente encontrado na natureza em formas insolúveis (Ca10(PO4)6F2). A solubilização em ácido fosfórico e/ou superfosfatos (SSP ou TSP) são processos amplamente utilizados na indústria de fertilizantes. As impurezas (também chamadas de contaminantes) contidas no fosfato exercem uma influência significativa no processamento dos fertilizantes, bem como na qualidade de produtos intermediários e finais. O objetivo deste trabalho foi analisar a influência de algumas destas principais impurezas (ferro, alumínio e magnésio) na cadeia produtiva do fertilizante TSPG, que consiste na produção do ácido fosfórico, acidulação do TSP e finalmente granulação do TSPG. Foram realizados experimentos em bancada para cada etapa. As concentrações das impurezas foram relacionadas entre as etapas, o que permitiu alcançar uma análise sistêmica da cadeia de processamento. As premissas para a aplicação das metodologias foram reproduzir ao máximo os parâmetros típicos da aplicação industrial. Foram utilizados nos experimentos concentrados fosfáticos de origem ígnea. Para variação da concentração dos contaminantes foram utilizados a magnetita (fonte de Fe2O3)...

Dinâmica quântica de estados de impurezas em cadeias de spin; Quantum dynamics of impurity states in spin chains

Priscila Ferrari Silveira Rosa
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 15/07/2010 PT
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37.310474%
A descrição da dinâmica quântica de sistemas de muitos corpos é um ingrediente chave para a computação quântica. No presente projeto, propomos o estudo da dinâmica em cadeias finitas de spin 1/2 na presença de impurezas ou defeitos. O modelo adotado será o de Ising quântico com campo transverso, do qual é possível obter o espectro de forma exata na presença de uma impureza. A dinâmica do sistema é movida exclusivamente por flutuações quânticas, cuja origem é o Princípio da Incerteza. Investigamos a relaxação de estados iniciais caracterizados por uma magnetização espacialmente não homogênea e que não possuam hipóteses sobre a proximidade com o estado de equilíbrio. Dessa forma, a matriz densidade inicial será dependente apenas de uma única coordenada espacial. A investigação então é realizada através da grandeza de interesse, a saber, a evolução temporal do valor médio das componentes de Fourier da magnetização, (SzQ)t. Soluções exatas, tanto analíticas quanto numéricas, são obtidas. Um dos objetivos iniciais deste trabalho consiste na busca de processos de relaxação lentos. Para os casos de solução analítica (impurezas periódica e antiperiódica) observamos relaxações oscilatórias e amortecidas por uma lei de potência no tempo do tipo (t/tQ)-vQ...

Soluciones biotecnológicas para la remoción de impurezas desde soluciones industriales de procesos mineros

Centro de Investigación Científico Tecnológico para la Minería; Universidad Catolica del Norte; CARLOS CLARO NIETO - CORFO ANTOFAGASTA
Fonte: Corporação de Fomento da Produção Publicador: Corporação de Fomento da Produção
Tipo: proyecto
Publicado em 07/01/2013
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Uno de los grandes desafíos de la minería actual es la sustentabilidad del negocio. La industria es sustentable cuando produce bienes y servicios de manera tal de alcanzar sus necesidades y aspiraciones actuales sin comprometer la posibilidad de que las futuras generaciones alcancen las propias. La lixiviación en pilas hoy en día se usa exitosamente para minerales oxidados y minerales sulfurados secundarios de cobre. Una de las principales dificultades en el proceso de lixiviación es el inventario de soluciones (refino ILS PLS). Estas soluciones presentan altas concentraciones de impurezas como sulfato aluminio manganeso magnesio entre otros. Por otro lado la actividad microbiana en los procesos de biolixiviación en pilas se ve inhibida por la presencia de esas impurezas. Por lo cual resulta necesario analizar el comportamiento del inóculo bajo diferentes condiciones de operación determinar los niveles máximos de impurezas que permitan tener una buena actividad microbiana y mantener la concentración por debajo de los niveles críticos. El control de los niveles de impurezas se hace actualmente mediante descarte parcial y dilución de las soluciones.El uso de bacterias reductoras de sulfato (SRB) o sulfidogénicas ha sido una de las líneas de desarrollo tecnológico para resolver el problema de este tipo de impurezas en drenajes ácidos de minas (AMD) y se basa en la precipitación de sulfuros metálicos mediante el H2S producido biológicamente. Durante casi 20 años se han usado tecnologías de tratamiento pasivo de drenajes ácidos de minas de carbón que emplean SRB. El uso de bacterias reductoras para la remoción de impurezas como el sulfato arsénico y otros metales pesados en soluciones industriales drenajes o desechos de minas representa por lo tanto una posible tecnología en forma conceptual para enfrentar esta problemática de las empresas mineras. Sin embargo la aplicación de esta tecnología presenta un desafío dado que las SRB se caracterizan en general por vivir en ambientes neutros con pH cercanos a 7 (agua pura). Sin embargo el CBAR a través del proyecto Fondecyt 1100795 logró obtener cultivos bacterianos reductores de sulfato y de arsénico capaces de crecer en ambientes ácidos. Estos ambientes son los típicos encontrados en minería. Por lo cual este material biológico representa un potencial para la descontaminación de las soluciones en cuestión (DAM soluciones de procesos de biolixiviación) orientado a disminuir la carga de las impurezas como sulfato y arsénico. Otro desafío importante es la concentración de impurezas que es más de 20 veces superior a las reportadas en los procesos en funcionamiento. El objetivo de este proyecto es llegar a proponer el desarrollo de un proceso biotecnológico aplicado al tratamiento de soluciones industriales para disminuir la concentración de impurezas usando la capacidad de los cultivos obtenidos de crecer en medio ácido. El proyecto tendrá un importante impacto científico y tecnológico en el área minera. La ventaja de nuestra propuesta es que nuestros cultivos son obtenidos de un ambiente extremo ácido de la región lo que le da un valor agregado a la hora de proponer una estrategia de desarrollo tecnológico con el uso de estos microorganismos. La novedad de esta propuesta además es que se podrán tratar soluciones industriales que tengan altas concentraciones de impurezas que interfieren en el proceso de la planta y poder obtener así una mayor recuperación de cobre total. Por otro lado permitirá disminuir el uso de recursos hídricos que es un bien escaso en nuestra región y el mundo.; Buscar soluciones biotecnológicas no disponibles en el mercado para la remoción de impurezas desde soluciones industriales de procesos mineros.; Elaborar el Proyecto de Línea 2 de I+D Aplicada de acuerdo a las bases vigentes e identificando las metodologías de investigación seleccionadas en base al estado del arte y al desafío que representa el uso de estos microrganismos en medio ácido.; Seleccionar una estrategia de desarrollo tecnológico a partir de cultivos bacterianos reductores de sulfato y arsénico obtenidos en el proyecto Fondecyt 1100795 para reducir los niveles de impurezas desde soluciones industriales de procesos mineros considerando las diferentes oportunidades y mercados potenciales.; Corporación de Fomento de la Producción