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Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V dopados com Mn; Nanostructured materials of type IV and III-V doped with Mn.

Arantes Junior, Jeverson Teodoro
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 04/12/2007 PT
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No presente trabalho, investigamos propriedades eletr^onicas, estruturais e de transporte de nanoestruturas do tipo IV e tipo III-V usando c´alculos de primeiros princ´?pios. (I) Como ponto de partida, verificamos sistematicamente a estabilidade do Mn substitucional nas camadas de Ge em uma heteroestrutura de Si/Ge. Estudamos a intera¸c~ao magn´etica Mn-Mn relativa a varia¸c~ao do par^ametro de rede do substrato, indicando uma mudan¸ca na diferen¸ca de energia entre as configura¸c~oes de alto e baixo spin. Para um substrato com par^ametro de rede igual ao do Si, esta diferen¸ca de energia favorece a configura¸c~ao de baixo spin, entretanto com o aumento do par^ametro de rede a configura¸c~ao com alto spin passa a ser a mais est´avel. (II) No estudo de nanofios de Ge, crescidos nas dire¸c~oes [110] e [111], verificamos a depend^encia do gap de energia em rela¸c~ao ao di^ametro do mesmo. Estudamos a reconstru ¸c~ao da superf´?cie (001) para alguns di^ametros de nanofios crescidos na dire¸c~ao [110]. Fizemos um estudo sistem´atico da dopagem de Mn em nanofios de Ge para verificar quais os s´?tios mais est´aveis para a impureza. Investigamos, tamb´em, o acoplamento magn´etico Mn-Mn ao longo da dire¸c~ao de crescimento do fio e radialmente ao mesmo...

Quantum spin Hall effect in a transition metal oxide Na2IrO3

Shitade, Atsuo; Katsura, Hosho; Kunes, Jan; Qi, Xiao-Liang; Zhang, Shou-Cheng; Nagaosa, Naoto
Fonte: Universidade Cornell Publicador: Universidade Cornell
Tipo: Artigo de Revista Científica
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We study theoretically the electronic states in a $5d$ transition metal oxide Na$_2$IrO$_3$, in which both the spin-orbit interaction and the electron correlation play crucial roles. Tight-binding model analysis together with the fisrt-principles band structure calculation predicts that this material is a layered quantum spin Hall system. Due to the electron correlation, an antiferromagnetic order first develops at the edge, and later inside the bulk at low temperatures.; Comment: 5 pages, 2 figures