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Síntese, caracterização, estudos espectroscópicos e termoanalíticos de compostos de picratos de lantanídeos com o ligante N,N - Dimetilacetamida (DMA); Complexes between lanthanide picrates and N,N-dimethylacetamide (DMA): synthesis, characterization, spectroscopic studies and thermal behavior

Melo, Carlos Vital Paixão de
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 21/07/1997 PT
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18.427822%
Nesta tese são descritos as preparações e caracterizações dos compostos de picratos de Ln (III) com o ligante N,N - Dimetilacetamida (DMA). Apresentaram a seguinte estequiometria: Ln(pic)3.3DMA, Ln = La(III) - Lu(III) e Y(III). A coordenação do ânion picrato foi sugerida pelo comportamento não-eletrólito em solução de acetonitrila e nitrometano e pelos modos vibracionais νsNO2 e νasNO2 na região do infravermelho, que indicaram a coordenação bidentada destes ânions ao íon metálico. A coordenação da DMA foi sugerida pelo deslocamento da νCO para regiões de menor energia. Espectros de absorção na região do visível do composto de Nd(lll) sugeriram o envolvimento não-cúbico em torno do íon metálico e o caráter eletrostático da ligação metal - ligante. Os espectros de emissão do composto de Eu(III) indicaram a microssimetria de prisma trigonal triencapuzado em torno do íon metálico e o grupo de ponto D3h. O espectro de emissão do composto de Sm(III) mostrou a ressonância dos níveis eletrônicos 6H7/2 com a densidade fônon do composto através do aparecimento de picos satélites na transição 4G5/2 → 6H7/2. Os níveis de energia participantes do processo de transferência de energia foram estimados através de espectros de excitação e emissão dos compostos de La(III)...

Rare earth centers properties and electron trapping in SnO2 thin films produced by sol-gel route

de Morais, Evandro A.; Scalvi, Luis V. A.; Cavalheiro, Alberto A.; Tabata, Americo; Oliveira, Jose Bras Barreto de
Fonte: Elsevier B.V. Publicador: Elsevier B.V.
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 4840-4845
ENG
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38.750723%
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES); Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq); Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Some very relevant optical. electrical, and structural properties of SnO2 doped with rare-earth ions Er3+ and Eu3+ are presented. Films are produced by the sol-gel-clip coating process, and may be described as a combination of nanoscopic dimension crystallites (about 3-10 nm) with their respective intergrain potential barriers. The Er3+ and Eu3+ ions are expected to act as acceptors in SnO2. which is a natural n-type conductor, inducing a high degree of charge compensation. Electron trapping and emission spectra data are presented and are rather distinct, depending on the location of the rare-earth impurity. This behavior allows the identification of two distinct centers: located either in the SnO2 lattice or segregated at the particles surface. Based on a model for thermally activated cross-section defects, the difference between the capture energy of the photo-excited electron and the intergrain potential barrier is evaluated, leading to distinct values for high and low symmetry sites. A higher distortion in the lattice of undoped SnO2 and SnO2:Eu (1 at.%) was evaluated from Rieuveld refinements of X-ray diffraction data. This was confirmed by Raman spectra...

Interface Formation and Electrical Transport in SnO2:Eu3+/GaAs Heterojunction Deposited by Sol-Gel Dip-Coating and Resistive Evaporation

Pineiz, Tatiane F.; Scalvi, Luis V. A.; Saeki, Margarida J.; de Morais, Evandro A.
Fonte: Springer Publicador: Springer
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 1170-1176
ENG
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38.379072%
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES); Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq); Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); The natural n-type conduction of tin dioxide (SnO2) may be compensated by trivalent rare-earth doping. In this work, SnO2 thin films doped with Eu3+ have been deposited by the sol-gel dip-coating (SGDC) process, topped by a GaAs layer deposited by the resistive evaporation technique. The goal is the combination of a very efficient rare-earth emitting matrix with a high-mobility semiconductor. The x-ray diffraction pattern of SnO2:Eu/GaAs heterojunctions showed simultaneously the crystallographic plane characteristics of GaAs as well as cassiterite SnO2 structure. The electric resistance of the heterojunction device is much lower than the resistance of the SnO2:2 at.%Eu and GaAs films considered separately. Micrographs obtained by scanning electron microscopy (SEM) of the cross-section showed that the interface is clearly identified, exhibiting good adherence and uniformity. A possible explanation for the low resistivity of the SnO2:2 at.%Eu/GaAs heterojunction is the formation of small channels with two-dimensional electron gas (2DEG) behavior.

SnO2 nanoparticles functionalized in amorphous silica and glass

Carreno, Neftali L. V.; Nunes, Michael R.; Raubach, Cristiane W.; Granada, Rosana L.; Krolow, Matheus Z.; Orlandi, Marcelo O.; Fajardo, Humberto V.; Probst, Luiz F. D.
Fonte: Elsevier B.V. Sa Publicador: Elsevier B.V. Sa
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 91-95
ENG
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28.130547%
Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq); Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Two different routes to obtain SnO2 nanoparticles, undoped and doped with rare earth metals (Eu or Pr), are described herein. The first route was based on the polymeric precursor method that led to the obtainment of SnO2 nanoparticles dispersed in amorphous silica. The second route was simply the impregnation with SnCl4 aqueous solution of SiO2-CaO glass microparticles functionalized with hydroxyl (-OH) groups. The materials were characterized by N-2 physisorption, XRD, EDS and TEM analyses. We also present the results of catalytic experiments involving the nanocrystalline composites in ethanol steam reforming. The catalytic properties of the undoped composites with SnO2 supported on SiO2-CaO glass differ from their doped analogues, however, they were both selective towards ethylene formation, in contrast to the doped composite obtained by the polymeric precursor method. (c) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved

SnO2:Eu nanocrystallites in SnO2 monolithic xerogels

Ribeiro, Sidney J.L.; Pulcinelli, Sandra H.; Santilli, Celso V.
Fonte: Universidade Estadual Paulista Publicador: Universidade Estadual Paulista
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 64-66
ENG
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48.45537%
By simple room temperature broad band time-resolved spectroscopy it was possible to discriminate different Eu3+ spectra in SnO2 monolithic gels obtained by a sol-gel synthetic route. Nanocrystalline domains of the cassiterite-like SnO2:Eu could be easily identified in the transparent medium. From X-ray diffraction profiles a mean particle radius of 2.2 nm was estimated. © 1992.

Optical and transport properties of rare-earth trivalent ions located at different sites in sol-gel SnO2

Morais, E. A.; Scalvi, L. V A; Ravaro, L. P.; Li, Siu M.; Floriano, E. A.
Fonte: Universidade Estadual Paulista Publicador: Universidade Estadual Paulista
Tipo: Conferência ou Objeto de Conferência
ENG
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28.293635%
Photoluminescence and photo-excited conductivity data as well as structural analysis are presented for sol-gel SnO2 thin films doped with rare earth ions Eu3+ and Er3+, deposited by sol-gel-dip-coating technique. Photoluminescence spectra are obtained under excitation with various types of monochromatic light sources, such as Kr+, Ar+ and Nd:YAG lasers, besides a Xe lamp plus a selective monochromator with UV grating. The luminescence fine structure is rather different depending on the location of the rare-earth doping, at lattice symmetric sites or segregated at the asymmetric grain boundary layer sites. The decay of photo-excited conductivity also shows different trapping rate depending on the rare-earth concentration. For Er-doped films, above the saturation limit, the evaluated capture energy is higher than for films with concentration below the limit, in good agreement with the different behaviour obtained from luminescence data. For Eu-doped films, the difference in the capture energy is not so evident in these materials with nanoscocopic crystallites, even though the luminescence spectra are rather distinct. It seems that grain boundary scattering plays a major role in Eu-doped SnO2 films. Structural evaluation helps to interpret the electro-optical data. © 2010 IOP Publishing Ltd.

Interface formation of nanostructured heterojunction SnO 2:Eu/GaAs and electronic transport properties

Pineiz, Tatiane F.; De Morais, Evandro A.; Scalvi, Luis V.A.; Bueno, Cristina F.
Fonte: Universidade Estadual Paulista Publicador: Universidade Estadual Paulista
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 200-205
ENG
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38.978752%
Thin films of tin dioxide (SnO2) are deposited by the sol-gel-dip-coating technique, along with GaAs layers, deposited by the resistive evaporation technique. The as-built heterojunction has potential application in optoelectronic devices, combining the emission from the rare-earth doped transparent oxide (Eu3+-doped SnO2 presents very efficient red emission) with a high mobility semiconductor. The advantage of this structure is the possibility of separation of the rare-earth emission centers from the electron scattering, leading to a strongly indicated combination for electroluminescence. Electrical characterization of the heterojunction SnO2:Eu/GaAs shows a significant conductivity increase when compared to the conductivity of the individual films, and the monochromatic light irradiation (266 nm) at low temperature of the heterojunction GaAs/SnO2:Eu leads to intense conductivity increase. Scanning electron microscopy (SEM) of the heterojunction cross section shows high adherence and good morphological quality of the interfaces substrate/SnO2 and SnO2/GaAs, even though the atomic force microscopy (AFM) image of the GaAs surface shows disordered particles, which increases with sample thickness. On the other hand, the good morphology of the SnO2:Eu surface...

Investigação de contatos elétricos e propriedades de filmes finos de SnO2 dopados com os íons terras raras Eu3+ e Ce3+

Silva, Vitor Diego Lima da
Fonte: Universidade Estadual Paulista (UNESP) Publicador: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: 117 f. : il.
POR
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28.644067%
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES); Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC; O objetivo principal deste trabalho é elucidar quais são os mecanismos de transporte de portadores de carga presentes na interface entre SnO2 e o contato metálico, pois tal conhecimento é fundamental para a aplicação na eletrônica. Além disso, é objetivo aqui também, estudar características de transporte em SnO2 dopado com alguns íons terras-raras. As amostras de SnO2 dopadas em Eu3+ e Ce3+ utilizadas nesta pesquisa foram sintetizadas a partir do método sol-gel e os filmes finos depositados pela técnica dip-coating. Os contatos estudados foram feitos a partir dos metais In, Sn e Al, depositados via evaporação resistiva. Medidas de resistência em função da temperatura nas amostras dopadas com Eu indicaram uma variação significativa da resistividade, de até 10 vezes, quando alterado o metal do contato. Isto se deve a diferença entre a função de trabalho de cada metal, que consequentemente acarreta em variação da barreira de potencial na junção metal-semicondutor. Pela característica das curvas de corrente medida em função da tensão aplicada, observou-se que os dois mecanismos de condução elétrica dominantes na interface são a emisssão termiônica...

Preparação e caracterização de filmes óxidos contendo componentes opticamente ativos

Gonçalves, Rogéria Rocha
Fonte: Universidade Estadual Paulista (UNESP) Publicador: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo: Tese de Doutorado Formato: 303 f.
POR
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18.644069%
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Pós-graduação em Química - IQ; A preparação dos sistemas dopados com ions lantanídeos (Eu e Er): SnO2, HfO2, HfO2 disperso em matriz híbrida, SiO2-HfO2, Ta2O5, Ta2O5 disperso em matriz híbrida, através da metodologia sol gel, foi objetivo desta tese . São apresentados resultados para suspensões coloidais, sólidos (géis, xerogéis e pós) e filmes preparados por spin coating. Suspensões coloidais de SnO2 dopados com até 2% em mol de íons Eu e Er foram preparadas a partir da redispersão, em meio aquoso básico, de nanoparticulas com a superfície modificada. Diâmetro médio de 4 e 6 nm foram observados para os compostos dopados e puros respectivamente, através de espalhamento de luz e microscopia eletrônica de transmissão. Os compostos apresentam nanocristalitos, estrutura cassiterita. O íon Eu3+ ocupa dois diferentes sítios de simetria na matriz SnO2. Um referente ao ion Eu3+ na rede cristalina de SnO2, substituindo átomos de Sn4+, sítio de alta simetria (D2h, C2h) apresentando um tempo de vida de emissão do 5D0 de 6ms; e o segundo referente ao Eu3+ adsorvido na superfície da partícula apresentando um tempo de vida de emissão do 5D0 de 0...

Photo-Induced Conductivity of Heterojunction GaAs/Rare-Earth Doped SnO2

Bueno, Cristina de Freitas; Oliveira Machado, Diego Henrique de; Pineiz, Tatiane de Fatima; Andrade Scalvi, Luis Vicente de
Fonte: Univ Fed Sao Carlos, Dept Engenharia Materials Publicador: Univ Fed Sao Carlos, Dept Engenharia Materials
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 831-838
ENG
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38.240112%
Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq); Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Rare-earth doped (Eu3+ or Ce3+) thin layers of tin dioxide (SnO2) are deposited by the sol-gel-dip-coating technique, along with gallium arsenide (GaAs) films, deposited by the resistive evaporation technique. The as-built heterojunction has potential application in optoelectronic devices, because it may combine the emission from the rare-earth-doped transparent oxide, with a high mobility semiconductor. Trivalent rare-earth-doped SnO2 presents very efficient emission in a wide wavelength range, including red (in the case of Eu3+) or blue (Ce3+). The advantage of this structure is the possibility of separation of the rare-earth emission centers, from the electron scattering, leading to an indicated combination for electroluminescence. Electrical characterization of the heterojunction SnO2:Eu/GaAs shows a significant conductivity increase when compared to the conductivity of the individual films. Monochromatic light excitation shows up the role of the most external layer, which may act as a shield (top GaAs), or an ultraviolet light absorber sink (top RE-doped SnO2). The observed improvement on the electrical transport properties is probably related to the formation of short conduction channels in the semiconductors junction with two-dimensional electron gas (2DEG) behavior...

Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs

Bueno, Cristina de Freitas
Fonte: Universidade Estadual Paulista (UNESP) Publicador: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: 123 f. : il.
POR
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29.225552%
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq); Processo FAPESP: 12/21239-9; Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC; The purpose of this work is the deposition of GaAs thin films through the simple resistive evaporation technique, and SnO2 thin films doped with Eu3+ rare-earth ion, by sol-gel-dip-coating process, combining a semiconductor material with high electron mobility and direct transition (GaAs), with a wide bandgap semiconductor (SnO2), and natural n-type conductivity, where the rare-earth ion emission, including Eu3+, is very efficient. Samples of these two materials are investigated separately, where SnO2:Eu3+ are in the form of thin films or pressed powder into pellets, as well a combined heterostructure. Thus, results for GaAs, SnO2:2%Eu thin films, Eu-doped SnO2 xerogels, and thin films forming the heterostructure GaAs/SnO2:2%Eu are shown and discussed in the this paper. X-ray difraction (XRD) measurements have shown the main crystallographic directios of SnO2 crystals, with identified rutile structure and cassiterite phase, where the estimated crystallite size along the (101) plane has yielded the values 16nm and 19nm...

Estudo da estabilidade das propriedades estruturais, vibracionais e hiperfinas de nanopartículas de SnO2 dopadas com Cr após tratamento térmico

Romero Aquino, Juan Carlos
Fonte: Universidade de Brasília Publicador: Universidade de Brasília
Tipo: Dissertação
POR
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28.690647%
Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, Programa de Pós-Graduação em Física, 2014.; Nesse trabalho foram estudadas as propriedades estruturais, vibracionais e hiperfinas de nanopartículas de SnO2 dopadas com Cr em porcentagens de 0% a 30%, sintetizadas pelo método de precursores poliméricos. Os resultados obtidos por espectroscopia de energia dispersiva (EDS) evidenciam a presença de Cr nas porcentagens nominais. A análise dos difratogramas de raios X (DRX) das amostras, como preparadas, mostra a presença de uma fase em todas as amostras que corresponde à estrutura tipo rutilo. Esta fase permanece sendo única nas amostras tratadas termicamente, com exceção das amostras tratadas em temperaturas acima de 1050 oC para a amostra com 10% e 900 oC na amostra com 30%, nas quais se observou a formação da fase secundária Cr2O3. Os parâmetros de rede mostram uma diminuição linear para concentrações de Cr abaixo de 7%. Isto sugere que os íons de Cr entram na rede substituindo íons de Sn. Acima desta concentração, observa-se uma desaceleração na taxa de variação dos parâmetros de rede, o que foi assumido como sendo resultado da entrada tanto substitucional como intersticial de íons Cr na rede cristalina. O tamanho médio dos cristalitos mostra uma diminuição à medida que se incrementa a concentração de Cr. No entanto...

Caracterização de nanocristais de SnO2 e SnO2: Eu crescidos por LAFD

Sena, Ana Isabel da Costa Viegas
Fonte: Universidade de Aveiro Publicador: Universidade de Aveiro
Tipo: Dissertação de Mestrado
POR
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69.32632%
Neste trabalho foram crescidas amostras de SnO2 e SnO2:Eu pela técnica de deposição de fluxo assistida por laser. As amostras de SnO2 também foram posteriormente sujeitas a um tratamento térmico superficial com laser. Após o crescimento as amostras foram caracterizadas utilizando técnicas experimentais avançadas de modo a inferir sobre as suas propriedades estruturais, morfológicas e óticas. A caracterização por difração de raios-X complementada com a espetroscopia de Raman mostra que ambos os tipos de amostras se encontram na fase tetragonal do rútilo e que as amostras dopadas intencionalmente não apresentam fases secundárias associadas ao Eu2O3. Na análise por microscopia eletrónica de varrimento observa-se que as amostras são policristalinas com grãos de forma poliédrica, hábito bipiramidal, cujo tamanho aumenta quando se submete as amostras a um tratamento térmico superficial com laser. Na caracterização ótica, através de medidas de refletância difusa determinouse um hiato energético de 4,0 eV. Quando excitadas com 3,8 eV as amostras de SnO2 apresentam uma banda de emissão larga à temperatura ambiente centrada a 1,85 eV, Contudo a baixa temperatura, 14 K, observa-se um alargamento da emissão, sendo possível identificar que ocorre a sobreposição de dois centros óticos cujas bandas se centram a 2...

Photo-Induced conductivity of heterojunction GaAs/Rare-Earth doped SnO2

Bueno,Cristina de Freitas; Machado,Diego Henrique de Oliveira; Pineiz,Tatiane de Fátima; Scalvi,Luis Vicente de Andrade
Fonte: ABM, ABC, ABPol Publicador: ABM, ABC, ABPol
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/08/2013 EN
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38.240112%
Rare-earth doped (Eu3+ or Ce3+) thin layers of tin dioxide (SnO2) are deposited by the sol-gel-dip-coating technique, along with gallium arsenide (GaAs) films, deposited by the resistive evaporation technique. The as-built heterojunction has potential application in optoelectronic devices, because it may combine the emission from the rare-earth-doped transparent oxide, with a high mobility semiconductor. Trivalent rare-earth-doped SnO2 presents very efficient emission in a wide wavelength range, including red (in the case of Eu3+) or blue (Ce3+). The advantage of this structure is the possibility of separation of the rare-earth emission centers, from the electron scattering, leading to an indicated combination for electroluminescence. Electrical characterization of the heterojunction SnO2:Eu/GaAs shows a significant conductivity increase when compared to the conductivity of the individual films. Monochromatic light excitation shows up the role of the most external layer, which may act as a shield (top GaAs), or an ultraviolet light absorber sink (top RE-doped SnO2). The observed improvement on the electrical transport properties is probably related to the formation of short conduction channels in the semiconductors junction with two-dimensional electron gas (2DEG) behavior...

Luminescence of Eu3+ in the thin film heterojunction GaAs/SnO2

Bueno, Cristina de Freitas; Scalvi, Luis Vicente de A.; Li, Maximo Siu; Saeki, Margarida J.
Fonte: Optical Soc Amer Publicador: Optical Soc Amer
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 59-72
ENG
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27.968809%
Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq); Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Eu3+ doped tin dioxide (SnO2) thin films are deposited by the sol-gel- dip-coating process on top of GaAs films, which is deposited by resistive evaporation on glass substrate. This heterojunction assembly leads to interesting luminescent emission from the rare-earth ion, unlike the SnO2 deposition directly on a glass substrate, where the Eu3+ transitions are absent. In the heterojunction, the Eu3+ transitions are clearly identified and are similar to emission from samples in the form of pressed powder (pellets), thermally treated at much higher temperatures. However, in the form of films, the Eu emission comes along a broad band, located at higher energy compared to Eu3+ transitions. This broad band is blue shifted as the thermal annealing temperature as well as the crystallite size increase. Although the size of nanocrystallites points toward quantum confinement, another cause of the detected broad band is more feasible: the electron transfer between oxygen vacancies, originated from the disorder in the material, and trivalent rare-earth ions, which present acceptor-like character in this matrix. This electron transfer may relax for higher temperatures in the case of pellets...

Photoluminescence of the Eu-doped thin film heterojunction GaAs/SnO2 and rare-earth doping distribution

Bueno, C. F.; Scalvi, L. V. A.; Saeki, M. J.; Li, M. S.; IOP
Fonte: Iop Publishing Ltd Publicador: Iop Publishing Ltd
Tipo: Conferência ou Objeto de Conferência Formato: 1-5
ENG
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28.455374%
Tin dioxide (SnO2) thin films doped with Eu3+, are deposited by the sol-gel-dip-coating process on top of GaAs films, which is deposited by resistive evaporation on glass substrate. This heterojunction assembly presents luminescence from the rare-earth ion, unlike the SnO2 deposition directly on a glass substrate, where emissions from the Eu3+ transitions are absent. The Eu3+ transitions are clearly identified and are similar to the observation on SnO2 pressed powder (pellets), thermally treated at much higher temperatures. However, in the form of heterojunction films, the Eu emission comes along a broad band, located at higher energy compared to Eu3+ transitions, which is blue-shifted as the thermal annealing temperature increases. The size of nanocrystallites points toward quantum confinement or electron transfer between oxygen vacancies, originated from the disorder in the material, and trivalent rare-earth ions, which present acceptor-like character in this matrix. This electron transfer may relax for higher temperatures in the case of pellets, and the broad band is eliminated.

Matrizes semicondutoras GaAs e Sn'X IND. 2' dopado com terras-raras Ce ou Eu: investigação do transporte elétrico

Pineiz, Tatiane de Fátima
Fonte: Universidade Estadual Paulista (UNESP) Publicador: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: 113 f. : il.
POR
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27.6992%
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC; Dióxido de estanho (Sn'X IND. 2') é um semicondutor de bandgap largo com condutividade do tipo-n na forma não dopada, sendo aplicado em dispositivos diversos. Neste trabalho, filmes finos e géis secos de Sn'X IND. 2' dopados com os íons terras-raras 'Ce POT. 3+' e Eu POT 3+' foram sintetizados através do processo sol-gel. Por outro lado, filmes finos de GaAs têm também sido amplamente utilizados, devido a alta mobilidade eletrônica e transição direta. Neste trabalho, também foram produzidos filmes finos de GaAs através da técnica de evaporação resistiva. Serão mostrados e discutidos aqui resultados referentes a filmes finos de Sn'X IND. 2' dopado com íons terras-raras, filmes finos de GaAs e resultados referentes ao crescimento de filmes finos de GaAs sobre filmes finos de SnO2 dopados com terras-raras. Medidas de absorção óptica permitiram avaliar a qualidade óptica dos filmes e estimar a energia do bandgap. Dados de difração de raios-X mostraram estrutura do tipo rutilo e fase cassiterita dos filmes de Sn'X IND. 2' e também as direções principais dos filmes de GaAs. A microscopia eletrônica de varredura permitiu a espessura e a qualidade morfológica da heterojunção...