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Propriedades eletrônicas de hetero-estruturas de semicondutores zincblende.; Electronic properties of zincbled semiconductor heterostructures.

Chitta, Valmir Antonio
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 27/10/1987 PT
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Utilizou-se um Hamiltoniano KP (6x6) do tipo Kane para, se estudar a estrutura de bandas e níveis de Landau para heteroestruturas de semicondutores zincblende dos grupos III-V e II-VI. Os efeitos do acoplamento entre as bandas de condução e valência, da mistura dos estados da banda de valência, da não-parabolicidade dos níveis, da total degenerescência dos níveis, do warping e das descontinuidades das massas efetivas nas heterointerfaces são levados em conta. Mostrou-se que a interação entre as bandas de condução e valência não pode ser desprezada, mesmo para semicondutores de gap largo, como citado em trabalhos existentes na literatura. Para um estudo sistemático do modelo, utilizou-se um poço quântico de GaAs Ga(Al)As e então aplicou-se o modelo a um sistema de semicondutores semi-magnéticos (poço quântico de CdTe Cd(Mn)Te).; A Kane-like (6x6) KP Hamiltonian is used to study the subband structure and Landau levels for group III-V and group II-VI zincblende semiconductor heterostructures. The effects of conduction-valence band coupling, valence band states mixing, nonparabolicity of the levels, the full degeneracy of the levels, warping and effective masses discontinuities at the heterointerfaces are taken into account. It is shown that the interaction between conduction-valence bands cannot be neglected...

Avaliação  dosimétrica de detectores semicondutores para aplicação na dosimetria e microdosimetria em reatores nucleares e instalações de radiocirugia; Dosimetric evaluation of semiconductor detectors for application in neutron dosimetry and microdosimetry in nuclear reactor and radiosurgical facilities

Cárdenas, José Patricio Náhuel
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 19/04/2010 PT
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Este trabalho tem como objetivo a avaliação dosimétrica de componentes semicondutores (detectores Barreira de Superfície e fotodiodos PIN) para aplicação em medições de dose equivalente em campos de baixo fluxo de nêutrons (rápidos e térmicos), utilizando uma fonte de AmBe de alto fluxo, a instalação de Neutrongrafia do reator IEA-R1 (fluxos térmicos/epitérmicos) e fluxo de nêutrons rápidos do núcleo do reator IPEN/MB-01 (UCRI Unidade Crítica). Para a detecção de nêutrons (térmicos, epitérmicos e rápidos) foram usados componentes moderadores e conversores (parafina, boro e polietileno). Os fluxos resultantes da moderação e conversão foram utilizados para a irradiação de componentes semicondutores (SSB - Barreira de Superfície e fotodiodos). Foi utilizado também um conversor misto constituído de uma folha de polietileno borado (marca Kodak). O método de simulação por Monte Carlo foi utilizado para avaliar de forma analítica a espessura ótima da parafina. O resultado obtido foi similar ao verificado experimentalmente e serviu para avaliar o fluxo de nêutrons emergentes do moderador (parafina). Da mesma forma, através de simulação, foi avaliado também o fluxo de nêutrons rápidos que atinge o conversor de polietileno que cobre a face sensível dos semicondutores. O nível de radiação gama foi avaliado cobrindo o detector por inteiro com uma folha de cádmio de 1 mm de espessura. O reator IPEN/MB-01 foi usado para avaliar a resposta dos detectores para nêutrons rápidos de alto fluxo. Os resultados...

Contribuição para o desenho organizacional de instituição pública brasileira: estudo de caso no setor de semicondutores.; Contribution to organizational design in Brazilian Public Institution: a case study in the semiconductor industry.

Biazzi, Monica Rottmann de
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 16/04/2012 PT
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Nas últimas décadas, o domínio tecnológico tem sido enfatizado como elemento de progresso tanto no âmbito das empresas como no dos países. A tecnologia está presente na infra-estrutura das atividades econômicas e de toda a sociedade. Dessa forma, a tecnologia da informação é cada vez mais importante para o desenvolvimento tecnológico, mesmo em áreas não diretamente ligadas a ela. O setor de semicondutores, que em conjunto com os setores de computação e de software forma a indústria de microeletrônica, tem tido especial destaque na evolução da economia mundial. No Brasil, entretanto, o setor de semicondutores permanece restrito a um pequeno grupo de empresas. Neste contexto, com o propósito de desenvolver o setor de microeletrônica no Brasil, o governo federal, por meio do Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação, investiu na criação de uma empresa de semicondutores, no estado do Rio Grande do Sul. A empresa criada constitui o objeto de pesquisa deste estudo de caso, desenvolvido ao longo de 2011, com foco em seu desenho organizacional. Os objetivos alcançados com o presente trabalho foram os seguintes: levantamento dos modelos de desenho organizacional na literatura, tanto do setor privado como do setor público; estudo das características administrativas de instituições públicas brasileiras...

Investigação de parâmetros hiperfinos dos óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição 3d pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada; Investigation of hyperfine parameters in pure and 3d transition metal doped SnO2 and TiO2 by means of perturbed gamma-gamma angular correlation spectroscopy

Schell, Juliana
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 19/02/2015 PT
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O presente trabalho teve como objetivo utilizar a técnica nuclear de Correlação Angular γ-γ Perturbada (CAP) para a medida de interações hiperfinas em filmes finos e amostras em pó de óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição para uma investigação sistemática de defeitos estruturais e do magnetismo sob o ponto de vista atômico tendo como principal motivação a candidatura à aplicação desses óxidos em spintrônica. O trabalho também teve como foco a preparação e caracterização das amostras por meio de técnicas convencionais, como difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura, espectroscopia de energia dispersiva e medidas de magnetização. Amostras puras dos filmes foram medidas mediante a variação sistemática da temperatura de tratamento térmico e do campo magnético aplicado. Tais medidas foram realizadas no HISKP, na Universidade de Bonn (Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn), através de implantação de íons de 111In(111Cd) ou 181Hf(181Ta); no IPEN, por sua vez, essas medidas foram realizadas após a difusão dos mesmos núcleos de prova. Outra parte das medidas CAP foram feitas através de implantação de íons de 111mCd(111Cd) e 117Cd(117In) no Isotope Mass Separator On-Line (ISOLDE) do Centre Européen Recherche Nucléaire (CERN). As medidas foram realizadas nos intervalos de temperatura de 8 K a 1173 K. Para análise de ferromagnetismo...

Utilização da eletrodeposição em regime de subtensão na dopagem de filmes semicondutores eletrodepositados de selênio; Use of underpotential deposition in the doping of electrodeposited selenium semiconductive films

Coelho, Dyovani
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 23/01/2015 PT
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A deposição em regime de subtensão (DRS) tem sido amplamente utilizada para a formação de filmes semicondutores, mas muito pouco utilizada para estudar a dopagem de filmes eletrodepositados. Logo, neste trabalho é discutido o uso da DRS como técnica de dopagem de filmes de selênio. Para isso, estudou-se as condições de deposição de um filme de selênio trigonal sobre substrato de ouro (f-Se) e sua posterior modificação com a DRS de Bi (f-Se_Bi), Pb (f-Se_Pb) e Cu (f-Se_Cu). Estudos empregando voltametria cíclica, cronoamperometria, microscopia óptica, microscopia de varredura eletrônica e difração de raio-X evidenciaram a produção de um filme altamente cristalino, homogêneo e aderente formado por estruturas hexagonais em forma de microbastões com diâmetros entre 300 e 600 nm. Contudo, o filme com as características citadas é formado somente com a deposição a 80 ºC em HNO3 0,1 mol L-1 contendo SeO2 0,02 mol L-1, com polarização do substrato em -0,45 V (vs SCE), sob iluminação com lâmpada de halogênio 100 W, irradiância de 200 mW cm-2, agitação magnética e tempos de deposição ≥ 600 segundos. Essas estruturas são mantidas mesmo após a DRS dos metais, a qual foi caracterizada empregando a microbalança eletroquímica de cristal de quartzo (MECQ). A partir do perfil massométrico constatou-se a ocorrência de difusão dos metais para o interior da fase de selênio...

Identificação de oportunidades para a indústria brasileira de semicondutores através das teorias de vantagem competitiva e investimento internacional

Kimura, Amilcar Key
Fonte: Fundação Getúlio Vargas Publicador: Fundação Getúlio Vargas
Tipo: Dissertação
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O mercado mundial de semicondutores cresce vigorosamente ao longo de décadas impulsionado pela evolução tecnológica, que permitiu semicondutores de melhor performance a um custo relativamente menor. Entretanto os gastos com fábricas e P&D aumentam junto com a evolução da tecnologia, obrigando as empresas a controlar as métricas financeiras em busca da lucratividade necessária para financiar o desenvolvimento das novas tecnologias. O crescimento do mercado motivou vários países a fornecerem incentivos para atrair investimentos de semicondutores. Este trabalho segmenta o mercado de semicondutores de acordo com as tecnologias de espessura da pastilha de silício e utiliza as principais teorias sobre vantagem competitiva e investimento internacional, para analisar os incentivos que uma empresa de semicondutores teria para estabelecer uma fábrica de difusão de wafers e uma operação de design house no Brasil. A indústria de semicondutores brasileira está em seu estágio inicial, e existem algumas ações do governo juntamente com a iniciativa privada que apresentaram resultados positivos, entretanto é necessário reavaliar a efetividade dos incentivos oferecidos atualmente. Existe a possibilidade do Brasil atrair empreendedores para explorar oportunidades em nichos de mercado e assim iniciar a construção de uma cadeia completa de desenho...

Ligação química em semicondutores

José Antônio Brum
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 24/07/1983 PT
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Nucho et al (Phys. Rev. B17, 1843 e 4835 (1978) desenvolveram a aproximação da ligação química para o cálculo da constante dielétrica dos semicondutores tetraédricas. Eles expressam E1 (0), através das relações de Kramers-Kronig, como uma função dos momentos de ordem zero e primeira ordem de E2 (w), desprezando contribuições de maior ordem. Nós extendemos o cálculo para os semicondutores II-VI com estrutura "zinc-bled"e para o Se e Te. No caso do Se e Te mostramos que as contribuições de maior ordem não podem ser desprezadas. Dos valores experimentais de E2 (w) e encontramos novos valores para o parâmetro que mede a delocalizaçào das funções de onda. Utilizando o modelo "tight-binding" com interações intra-cadeia e inter-cadeias, desenvolvido por Joanopoulos et al (Phys. Rev. B11, 2186 (1975)), nós obtivemos as funções de Wannier envolvendo os parâmetros de Hall-Weaire para os semicondutores Se e Te. Com os valores de Herman-Skillman para os orbitais atômicos, obtivemos resultados numéricos para os momentos de ordem zero e primeira ordem de E2 (w) para o Se e Te que concordam com os valores obtidos dos gráficos experimentais de E2 (w) e com a estrutura de banda; Nucho et al (Phys. Ver. B17, 1843 e 4835 (1978)) developed the chemical-bond approach to calculate the dielectric constant of tetrahedral semiconductors. They expressed e 1 (0)...

Estudo teórico de complexos excitônicos em poços quânticos de semicondutores

Luis Carlos Ogando Dacal
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 29/08/2001 PT
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Um sistema físico com presença de partículas indistinguíveis interagentes cria a rica possibilidade do estudo dos efeitos de correlação e troca, os quais são frutos desta indistinguibilidade. O complexo mais simples para a manifestação destes efeitos seria aquele onde apenas duas partículas indisntinguíveis estão presentes. Em física da matéria condensada, estes complexos são os éxcitons, os doadores e os aceitadores carregados. No caso específico de poços quânticos semicondutores, a não parabolicidade da banda de valência faz com que éxcitons e doadores negativamente carregados sejam os complexos com modelamento teórico mais simples. Apesar da previsão da estabilidade dos éxcitons carregados ("trions") ter sido feita no final da década de 50 para os materiais semicondutores tipo "bulk", sua primeira observação experimental só ocorre no início da década de 90 e em poços quânticos, onde o confinamento unidimensional das cargas aumenta a energia de ligação destes complexos em uma ordem de grandeza. Desde então iniciou-se uma intensa pesquisa a respeito da física destes complexos pois a blindagem das interações coulombianas nos materiais semicondutores permite que campos magnéticos usuais em laboratórios sejam capazes de provocar fortes alterações na energia de ligação dos "trions". Outra rica possibilidade de investigação é o fato dos éxcitons carregados aparecerem como um estado intermediário entre o éxciton neutro e a singularidade do nível de Fermi quando a concentração de elétrons dopantes na amostra é aumentada. Nesta tese apresentamos um estudo teórico dos éxcitons carregados e dos doadores negativamente carregados em poços quânticos de GaAs/Al0.3G a0.7As considerando os efeitos da presença de campos elétricos e magnéticos externos. Nossa contribuição acrescenta um método simples...

Estudo de semicondutores amorfos dopados com terras raras (Gd e Er) e de polímeros condutores através das técnicas de RPE e susceptibilidade magnética

Maurício da Silva Sercheli
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 22/04/1999 PT
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Este trabalho de tese aborda dois sistemas de estudo: semicondutores amorfos e polímeros condutores. Ambos os sistemas foram estudados através da técnica de RPE, sendo ainda utilizadas as técnicas de susceptibilidade magnética, Raman e RBS (estas duas últimas como técnicas complementares), para o estudo de semicondutores amorfos. No estudo de semicondutores, foram utilizados filmes finos de silício amorfo dopados com terras raras, essencialmente érbio e gadolíneo, para o estudo de suas propriedades magnéticas. Estes estudos permitiram determinar o estado de valência da terra rara, bem como suas concentrações na matriz de silício do filme fino. De acordo com nossos resultados, a valência dos íons de terra rara é 3+, permitindo-nos concluir que a camada eletrônica 4f, por não contribuir com elétrons para a camada de condução, não poderia fazer parte do cálculo de bandas nesse tipo de semicondutor. E ainda, através da análise dos dados de susceptibilidade magnética do íon de Er 3+ em campo cristalino de simetria cúbica, pudemos estimar, de forma inédita, a separação máxima (overall splitting) de seus estados eletrônicos. No capítulo de polímeros condutores, foram estudadas amostras de poli (3-metiltiofeno) dopadas com ClO4 - ...

Célula de pressão biaxial e aplicações em filmes semicondutores

Marcio Peron Franco de Godoy
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 26/02/2002 PT
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Neste trabalho, foi projetado e construído um dispositivo,denominado célula de pressão biaxial, onde é possível aplicar tração biaxial em filmes epitaxiais, em particular, semicondutores. Este sistema foi adaptado a um criostato de imersão com bobina supercondutora, que aplica campos de até 15 T, permitindo-nos o estudo de propriedades ópticas, magneto-ópticas e de magneto-transporte, a baixas temperaturas. A tensão máxima obtida foi de aproximadamente 3 kbar em filmes de GaAs. A tração biaxial acarreta mudança na estrutura eletrônica dos materiais, influenciando suas propriedades ópticas e elétricas. A célula de pressão foi utilizada no estudo de dois sistemas: poços quânticos de dopagem modulada GaAs/InGaP, por fotoluminescência, e magneto-éxcitons em InP-bulk, por magneto-fotoluminescência, demonstrando ser uma ferramenta complementar no estudo de filmes semicondutores. Neste trabalho, foi projetado e construído um dispositivo, denominado célula de pressão biaxial, onde é possível aplicar tração biaxial em filmes epitaxiais, em particular, semicondutores. Este sistema foi adaptado a um criostato de imersão com bobina supercondutora, que aplica campos de até 15 T, permitindo-nos o estudo de propriedades ópticas...

Nitrogênio em semicondutores amorfos

Antonio Ricardo Zanatta
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 08/05/1995 PT
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Neste trabalho estão contidas informações experimentais relativas aos efeitos causados, nas propriedades opto-eletrônicas, pela introdução de nitrogênio em semicondutores amorfos à base de silício e de germânio. Segundo este estudo, tanto a presença de átomos nitrogênio, quanto a sua respectiva concentração (conforme determinada por meio de reações nucleares), são responsáveis por importantes modificações em várias das propriedades opto-eletrônicas, bem como características estruturais, dos mencionados semicondutores. Em linhas gerais, a presença de nitrogênio a baixas concentrações atua como uma impureza doadora nas versões hidrogenadas do a- Si e do a-Ge; a altas concentrações, no entanto, grandes mudanças nas propriedades opto- eletrônicas e estruturais são observadas. Todas as amostras foram depositadas, sob a forma de filmes finos, através da técnica de ri reactive sputtering em atmosferas controladas de Ar+(H2)+N2. Diferentes técnicas de espectroscopia (absorção óptica nas regiões de visível e infra-vermelho, espalhamento Raman e estudos de fotoemissão) foram empregadas para a análise das principais propriedades ópticas e eletrônicas destes semicondutores; segundo suas respectivas concentrações de nitrogênio. Uma atenção especial foi dedicada às caracterizações eletrônicas incluindo medidas de transporte (condutividade no escuro em função da temperatura) e estudos de fotoemissão através de espectroscopia de elétrons excitados por fótons com energias típicas de raios-x moles e ultra-violeta (XPS e UPS...

Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um

Francisco Carlos de Prince
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 23/07/1981 PT
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A idéia de se fabricar lasers semicondutores de InGaAsP surgiu em fins de 76 quando o Prof. Navin Patel retornou de uma conferência nos Estados Unidos, na qual J. Hsieh havia apresentado um trabalho sobre tais lasers. Isso encaixou muito bem nos objetivos do grupo na época, que estava se voltando para a fabricação de lasers semicondutores de GaAlAs aplicáveis em comunicações ópticas, através do projeto Laser-Telebrás. Além de alguns trabalhos publicados em revistas internacionais, este é o principal fruto do trabalho iniciado na época. O trabalho, contém duas idéias novas. Primeiro, um laser especial que evita distorções e não-linearidades na curva de intensidade de luz como função da corrente foi fabricado e caracterizado. Segundo, uma inovação nos lasers convencionais foi feita com êxito: a introdução de camadas confinantes quaternárias cuja morfologia de superfície é melhor, possibilitando uniformizar as propriedades dos dispositivos de uma determinada pastilha, e aumentar a repetibilidade do processo de fabricação. Além dessas duas idéias, a tese contém toda tecnologia desenvolvida na fabricação, desde o crescimento epitaxial até a caracterização do dispositivo final, dos lasers semicondutores de InGaAsP...

Aplicação de contatos orgânico-inorgânico para caracterização de semicondutores

Flávio César Vicentin
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 12/02/1990 PT
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Este trabalho trata da caracterização elétrica de dispositivos formados por um semicondutor orgânico (3,4,9,10 perilenetetracarboxílico dianidrido - PTCDA) sobre semicondutores inorgânicos (Si, GaAs, InP e InGaAs) através de medidas de corrente versus tensão (IxV) e capacitância versus tensão (CxV). Com as medidas IxV analisamos a teoria de transporte de cargas desenvolvida para estes dispositivos e com as medidas CxV determinamos o perfil de portadores dos semicondutores inorgânicos usados. Estudamos também com estes dispositivos, heteroestruturas de Ga1-xAlxAs/Ga1-yAlyAs determinando a descontinuidade da banda de condução e a densidade de cargas na interface para três diferentes concentrações de alumínio. Os resultados obtidos mostram a aplicabilidade e reprodutibilidade destes dispositivos na análise de semicondutores inorgânicos; Not informed

Termodinmica estatística e transporte em semicondutores de gap largo em campos elétricos moderados para intensos

Clóves Gonçalves Rodrigues
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 31/12/2001 PT
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Apresentamos um estudo extenso e detalhado do estado termodinâmico de não-equilíbrio, e de propriedades ópticas e de transporte de semicondutores polares de gap direto na presença de campos elétricos moderados e intensos. Para tal fim recorremos à teoria cinética quântica não-linear, que é baseada num atual e poderoso formalismo mecânico estatístico de ensembles para sistemas abertos longe do equilíbrio. Particular atenção foi dada ao caso de semicondutores polares de gap largo, especialmentes aos nitretos dos elementos da coluna III ( III-N, como GaN, InN, AlN ). Foram deduzidas as equações de evolução temporal para: o momento dos portadores, a energia dos portadores, a energia dos fônons ópticos longitudinais e trânsversais e dos fônons acústicos. Cálculos numéricos foram realizados considerando o caso particular do plasma fotocriado no semicondutor polar polar de gap direto GaN, na forma zincblenda ( cúbico ) e wurtzita ( hexagonal ), nas condições iniciais estabelecidas em um experimento de espectroscopia óptica de resolução temporal ultra-rápida. Analizamos tanto o estado transiente quanto o estacionário. Foi estudado também o caso dos semicondutores dopados tipo n, em particular: n-AlN, n-GaN e n-InN...

Transporte e espalhamento em um líquido de Fermi : plasma e magneto-plasma em semicondutores

Aurea R. Vasconcelos
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 15/07/1976 PT
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Neste trabalho, desenvolvemos um extensivo estudo de espalhamento inelástico de luz e de transporte em sistemas que, na literatura correspondente, são designados por plasmas de estado sólido, ou mais precisamente, no presente caso, plasmas em semicondutores. Estes sistemas representam um exemplo extremamente interessante de um líquido de Fermi. Nosso objetivo foi realizar este estudo em uma forma unificada, utilizando uma descrição em termos das quase-partículas de Landau. Consideramos o espalhamento inelástico da luz por este sistema. A secção de espalhamento é relacionada com a flutuação, induzida pelo potencial espalhador, no operador densidade de quase-partículas de Landal. Esta flutuação é obtida como solução de uma apropriada equação de transporte, deduzida usando o método do campo auto-consistente generalizado. A presença de um campo magnético uniforme e constante é considerada, e uma apropriada representação no espaço K é introduzida. A equação de transporte para a matriz densidade a uma quase-partícula de Landau, assim obtida, resulta corretamente invariante de calibre, e não está restrita ao limite de longos comprimentos de onda. O papel da interação de troca e de correlações coulombianas é discutido. Usando o esquema descrito...

Uma perspectiva para a industria de semicondutores no Brasil : o desenvolvimento das "design houses"; A perspective for the industry of semiconductors in Brazil : development of "design houses"

Pollyana de Carvalho
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 29/08/2006 PT
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No Brasil, o setor de componentes semicondutores, os chips, permanece restrito a um pequeno grupo de empresas, fato que tem ocasionado déficits crescentes na balança comercial. Diante desse fato, existem várias discussões e estudos sobre formas de aumentar a internalização das atividades desse setor no país, além do debate recente sobre a necessidade da instalação de uma planta produtiva (foundry) realizado pelo governo. Outro elemento de destaque é que o segmento foi adotado como um dos setores prioritários na Política Industrial, Tecnológica e de Comércio Exterior (PITCE), lançada em 2004. Com essa preocupação, o objetivo dessa dissertação foi examinar as perspectivas, com suas possibilidades e limitações, do desenvolvimento da indústria brasileira de semicondutores por meio de um segmento específico - as companhias de projeto dos circuitos, chamadas de design houses. Para tanto, por meio da revisão bibliográfica, o trabalho foi estruturado em três capítulos: o primeiro que trata de uma discussão sobre o panorama existente e as tendências recentes na indústria mundial de semicondutores; o segundo que traz a análise de um país com desenvolvimento tardio nessa indústria - a experiência de Taiwan, e...

Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores; System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization

Leandro Tiago Manera
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 24/02/2010 PT
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Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a análise da qualidade de interfaces e cálculo de cargas, utilizando o ruído 1/f. Na descrição do ruído em baixa freqüência é apresentado em detalhes todo o arranjo utilizado para a medição, além dos resultados da medida em transistores nMOS e CMOS do tipo p e do tipo n fabricados no Centro. Detalhes importantes sobre o cuidado com a medição, tais como a utilização de baterias para a alimentação dos dispositivos e o correto aterramento, também são esclarecidos. A faixa de freqüência utilizada vai de 1 Hz até 100 KHz. Como aplicação, a medida de ruído é utilizada como ferramenta de diagnóstico de dispositivos semicondutores. Resultados destas medidas também são apresentados. Foi desenvolvido também um sistema para a medição do ruído em alta freqüência. A caracterização teve como objetivo determinar o parâmetro conhecido como Figura de Ruído. Apresenta-se além da descrição do arranjo utilizado na medição...

Homogeneidade química, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V; Chemical homogeneity, interfaces and structural defects in III-V semiconductor nanowires

Luiz Henrique Galvão Tizei
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 28/05/2011 PT
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O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido à ocorrência de novos fenômenos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplicações tecnológicas. Em particular, nas últimas décadas, esforços imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redução de tamanho e de dimensão. Entre os diferentes avanços alcançados, podemos citar o desenvolvimento significativo de nanofios semicondutores (estruturas quasi-unidimensionais) com dezenas ou centenas de nanometros de espessura e milhares de nanometros de comprimento. O método mais utilizado para o crescimento de nanofios é o método catalítico chamado VLS (Vapor-Líquido-Sólido), no qual uma nanopartícula metálica serve como sorvedouro preferencial de átomos de um vapor e, também, como posição para a formação de um sólido (nanofio). O VLS foi proposto por Wagner e Ellis nos anos 60. Em nossos trabalhos, nos concentramos no estudo de nanofios de semicondutores III-V crescidos em um reator de Epitaxia de Feixe Químico (CBE) catalisados por nanopartículas de Au. Mais especificamente, estudamos nanofios de InP, InAs, InGaP, InAsP e heteroestruturas InP/InAs/InP. Como a qualidade de interfaces e homogeneidade química do material crescido...

Construção de um sistema automatizado para caracterização elétrica de semicondutores pelo método de Van Der Pauw

França, Maurício Paz
Fonte: Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul; Porto Alegre Publicador: Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul; Porto Alegre
Tipo: Dissertação de Mestrado
PORTUGUêS
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Nos materiais semicondutores a condução elétrica ocorre através do movimento de cargas negativas (elétrons) ou positivas (formadas por lacunas deixadas pelos elétrons). Assim, o efeito Hall nos materiais semicondutores poderá informar qual o tipo e a densidade dos portadores de carga na amostra e a mobilidade destas cargas. Além dessas grandezas, outras características do material como a largura da banda proibida e condutividade elétrica podem indicar a qualidade estrutural e a pureza do material. Neste trabalho foi construído um sistema automatizado para medições de resistividade, mobilidade e número de portadores de carga em amostras de materiais semicondutores de dimensões não padronizadas, ou seja, amostras típicas encontradas em laboratórios de pesquisa. Foi utilizado o método de Van der Pauw que despreza o formato superficial da amostra, desde que tenham espessura conhecida. Um sistema criogênico que envolve o porta amostras e assim permite a realização de medidas em temperaturas de -60 até +70 ºC. Para a automação das medidas de resistividade, número de portadores de carga e mobilidade foi desenvolvido um programa para o sistema de controle e aquisição de dados. Uma fonte com medidores de corrente e tensão da Keithley® Instruments foi acoplada ao sistema. Medidas realizadas em amostras padrão comprovam que o sistema preenche os requisitos do National Institute of Standards and Technology (NIST) para materiais semicondutores...

Política Industrial de Apoio ao Desenvolvimento da Indústria Brasileira de Semicondutores

Campanario, Milton Abreu; da Silva, Marcello Muniz; Costa, Tiago Ribeiro
Fonte: Universidade Federal de Santa Catarina Publicador: Universidade Federal de Santa Catarina
Tipo: info:eu-repo/semantics/article; info:eu-repo/semantics/publishedVersion; ; Formato: application/pdf
Publicado em 08/12/2009 POR
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http://dx.doi.org/10.5007/2175-8077.2009v11n24p69 A conquista da estabilidade macroeconômica tende a aumentar a discussão em torno de formas de intervenção nos planos microeconômico e setorial. A Política Industrial, Tecnológica e de Comércio Exterior (PITCE), lançada no início de 2004, sinalizou nessa direção, elegendo quatro setores considerados prioritários: fármacos, bens de capital, software e semicondutores. O presente artigo procura analisar a indústria de semicondutores nos contextos nacional e internacional e focaliza o papel da política industrial seletiva na dinamização de seu desenvolvimento. A partir da caracterização dessa indústria, é feito um benchmarking das políticas adotadas pela Coreia do Sul – país que apresentou, em certas fases de seu desenvolvimento industrial, características semelhantes ao brasileiro, mas que despontou como grande produtor e exportador de tecnologia de ponta. O texto indica que as políticas orientadas ao desenvolvimento da indústria de semicondutores, na PITCE, geram condições para a maturidade do setor. Contudo, essa maturidade enfatiza a fase de “imitação” (ligada ao processo de engenharia reversa) e de internalização (por meio do incremento dos processos de aprendizado e produção interna)...