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Os atletas de elite e a dopagem: 0 caso dos lançadores

Silva, Vânia Sofia de Sousa
Fonte: Universidade de Coimbra Publicador: Universidade de Coimbra
Tipo: Trabalho de Conclusão de Curso
POR
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37.475002%
Com esta investigação procurei saber em que medida a dopagem é uma prática corrente entre os atletas de elite. Durante o meu percurso de atleta de alta competição na modalidade de lançamento de martelo, tenho “visto” atletas que aparentam estar dopados, embora com todo o seu clamor ergam a bandeira do seu país em sinal da vitória. Depois de elaborada a problemática em estudo, com base nos contributos de vários autores, e definido o objecto e as hipóteses de investigação, construímos um inquérito sociográfico decorrente da metodologia desenvolvida. Durante a realização do Challenger Europeu de Lançamentos, na Turquia, durante os dias 12 e 13 de Março de 2005, aplicámos os inquéritos sociográficos, tendo obtido a colaboração de 51 atletas de 12 países diferentes, que constituiu a amostra do presente estudo. Os dados obtidos sugerem, que as pressões exercidas pelos vários agentes desportivos junto dos atletas de elite são em parte determinantes no recurso a meios ilícitos com vista ao aumento da performance, ainda que os melhores resultados sejam procurados por todos, e deste modo se tender a desresponsabilizar os atletas que recorrem à dopagem. As nossas hipóteses foram na sua maioria confirmadas...

Polianilina: síntese, filmes, dopagem e condução DC; Polyaniline: synthesis, films, doping and DC conduction

Zoppei, Reinaldo Takara
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 25/03/1999 PT
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37.360771%
Neste trabalho, realizamos um estudo da dependência da condutividade elétrica dc ( ), com a dopagem (tempo de exposição ao ácido clorídrico de (0 a 6 horas), temperatura (80 T 300K) e campo elétrico (E) em filmes auto-sustentáveis de polianilina. As amostras foram metalizadas com ouro em ambas as faces e as medidas realizadas utilizando-se o método de duas pontas. O pó utilizado nos filmes foi sintetizado quimicamente através da mistura da anilina com ácido clorídrico, a qual foi adicionada uma segunda solução de peroxidissulfato de amônio e que após desdopagem com hidróxido de amônio, obteve-se a base esmeraldina, esse produto foi dissolvido em N-Metil Pirrolidona possibilitando a obtenção dos filmes pelo método casting e posteriormente dopados por imersão em solução de ácido clorídrico em níveis desejados. Para um curto tempo de exposição ao ácido clorídico (menos de 30 minutos) observamos um rápido crescimento da condutividade com o aumento da dopagem. Para tempos mais longos a condutividade tende a saturação. Da análise da condutividade em função da temperatura obtivemos que ~ exp(T(-1/4)) consistente com o modelo de "Saltos de Alcance Variável" proposto por Mott. Nesse modelo a condução ocorre através do tunelamento assistido por fônons entre estados eletrônicos localizados. Se os estados são muito localizados um elétron só poderá saltar para o estado mais próximo...

Estrutura eletrônica em sistemas com dopagem tipo Delta; Electronic structures with planar doping or δ-doping

Lima, Washington Luiz Carvalho
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 22/06/1992 PT
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37.192144%
Neste trabalho estudamos as propriedades eletrônicas de um sistema com dopagem planar ou delta. Resolvemos as equações de Schrodinger e Poisson autoconsistentemente na aproximação de Hatree para diferentes situações de interesse com ou sem campos magnéticos ou elétricos externos. O método empregado para resolvermos a equação de Schrodinger e baseado na técnica do split operator. Obtemos o potencial efetivo, os níveis de energia e a densidade eletrônica em função da temperatura, densidade e largura de difusão dos doadores. Para um campo magnético uniforme aplicado perpendicularmente ao plano de doadores mostramos que não ocorre nenhuma alteração na estrutura das sub-bandas eletrônicas no intervalo entre 0 e 20T. Para um campo magnético uniforme aplicado paralelamente ao plano de doadores os níveis eletrônicos são deslocados para energias mais elevadas provocando uma diminuição na população dos níveis mais excitados e um aumento significativo na massa efetiva do elétron. Para sistemas na presença de um campo elétrico externo calculamos a energia das sub-bandas eletrônicas, a ocupação, a polarização e a capacitância em função da voltagem externa, da densidade e da posição das impurezas doadoras. Nossos resultados para capacitância estão qualitativamente em acordo com recentes resultados experimentais.; In this work we have studied the electronic proprieties of a system with planar doping or δ-doping. We have solved the Schrodinger and Poisson equations self-consistently in the Hatree approximation for several conditions with or without external magnetic or electric fields. In order to solve Schrodinger equation we have employed the split operator technique. The effective potential...

Propriedades Óticas de Estruturas Semicondutoras com Dopagem Planar do Tipo n ou p; Optical properties of semiconductor structures with doping Flat Type n or p

Levine, Alexandre
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 29/04/1998 PT
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37.707944%
Estruturas semicondutoras com dopagem planar são sistemas de considerável interesse tanto para a a pesquisa básica como para a aplicação em dispositivos. Neste trabalho caracterizamos estruturas semicondutoras com dopagem planar tipo n ou p, utilizando técnicas de espectroscopia ótica tais como fotoluminescencência (PL) e fotoluminescência-excitação (PLE). As amostras foram crescidas com a técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (BEM, Molecular Beam Epitaxy) no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do IFUSP, com exceção das amostras com dopagem planar tipo p que foram crescidas nos laboratórios do Departamento de Física da Universidade Federal de Minas Gerais. Investigamos as propriedades eletrônicas de super-redes de GaAs com dopagem planar de silício, em função da concentração dos átomos dopantes, mantendo-se fixa a distância entre os planos de dopagem. Através da comparação de nossos resultados experimentais com os de cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica das super-redes, identificamos a origem de todas as emissões observadas nos espectros de PL. As emissões principais (denominada bandas B) foram identificadas como oriundas do processo de recombinação radiativa dos portadores do gás bidimensional de elétrons (2DEG) com buracos fotogerados na banda de valência. Outras emissões (denominadas bandas A) foram associadas com o processo de recombinação dos elétrons do 2DEG com impurezas de Carbono. Analisamos também amostras de poços quânticos de InGaAs/GaAs com dopagem planar de Silício. Nestes sistemas...

Estudo da dopagem de agregados para finalidade de uso em concretos estruturais; Study of aggregates doping applied to structural concretes

Trigo, Ana Paula Moreno
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 03/09/2012 PT
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37.557502%
Este trabalho apresenta um estudo sobre a técnica de dopagem em agregados química e mineralogicamente deficientes e tem como objetivo demonstrar que se houver a dopagem de agregados, ainda que haja o limitante das respectivas resistências destes materiais, eles poderão vir a ser utilizados em grandes obras com pleno êxito. A técnica apresenta-se como uma solução para a problemática de disponibilidade de bens minerais, atualmente em declínio em virtude de problemas de sustentabilidade ambiental, de zoneamentos restritivos e de usos competitivos do solo, tornando preocupantes as perspectivas de garantia de suprimento futuro. Por meio da impregnação inicial do agregado com aglomerantes de alto desempenho foi possível modificar sua textura, estabelecer ponte de ligação entre ele e a matriz do concreto e criar carapaça de proteção e reforço, atingindo-se fc28 = 60 MPa nos concretos lateríticos dopados. A eficiência da técnica foi avaliada comparando-se propriedades mecânicas e microestruturais de concretos não dopados (referência) e dopados. Para tanto, foram realizados ensaios de resistências à compressão, à tração por compressão diametral e à tração na flexão, absorção de água por imersão e microscopia eletrônica de varredura. Os resultados demonstraram ser possível melhorar agregados graúdos deficientes por meio da dopagem e obter concretos de comportamento comparável ou até superior a concretos usualmente considerados como de bom desempenho. Ainda que seja um estudo inicial...

O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira.; The effect of photoconductivity and electronic structure of quantum wells of GaAs / InGaAs / GaAs doped planar type "n" in the barrier.

Cavalheiro, Ademir
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 23/11/2001 PT
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37.192144%
Neste trabalho, a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/In IND.0.15 Ga IND.0.85As/GaAs com dopagem planar de silício na barreira superior foi investigada utilizando-se medidas de Shubnikov-de Haas em função do tempo de iluminação, observou-se que uma quantidade significativa de elétrons estava faltando na região ativa (formada pela camada de InGaAs e pela região delta-dopada) de todas as estruturas analisadas. Um efeito fotocondutivo persistente (que persiste pelo menos 27 horas depois que a excitação óptica é desligada) foi observado em todas as amostras. Durante o processo de iluminação, portadores são liberados pela iluminação e fortes modificações nas mobilidades quânticas das sub-bandas foram observadas. Uma analise fenomenológica dos dados é apresentada, baseada em cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica dos sistemas analisados.; In this work, the sub-band electronic structure of de GaAs/In IND.0.15 Ga IND.0.85As/GaAs quantum wells with a Si delta-doped layer in the top barrier was investigated by Shubnikov-de Haas measurements as a function of the illumination time of the samples. Before the exposure of the heterostructure to any illumination time, we observed that a significant quantity of electrons was missing in the active region (consisting of the quantum well formed by the InGaAs layer and the Si delta-doped region) of all the analyzed structures. A persistent photoconductivity effect (which persisted at least for 27 hours after the optical excitation was turned off) was observed in all samples. During the illumination process...

Propriedades eletrônicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais semicondutoras; Electronic properties of super-networks with planar doped and epitaxial semiconductor heterostructure

Beliaev, Dmitri
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 12/12/1994 PT
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37.192144%
Os resultados apresentados neste trabalho estão sistematizados em três partes. Em uma primeira etapa, efetuamos um estudo sistemático do comportamento da estrutura eletrônica em super-redes de deltas em função do período da super-rede e em função da concentração planar de dopantes. Uma nova abordagem, que se baseia no método celular e na solução autoconsistente das equações de Schroedinger e de Poisson, foi desenvolvida e aplicada para super-redes com dopagem planar tipo n em GaAs e em silício. Em ambos os casos, foi observada a transição de um comportamento eletrônico de caráter bi- para tridimensional conforme o período da super- rede diminui. No caso de super-redes de deltas de Si em GaAs foi empreendido o cálculo da energia de corte nos espectros de fotoluminescência de excitação. Uma boa concordância com as medidas experimentais foi obtida. O estudo da estrutura eletrônica para o caso de super-rede de deltas de Sb em Si foi pioneiro. Isto tornou os resultados de nossa investigação teórica de importância fundamental para experimentais e teóricos atuando na 6rea. A concordância entre nossas previsões teóricas e dados experimentais da literatura demonstram a consistência e o poder da abordagem desenvolvida. Em uma segunda etapa...

Estrutura eletrônica de poços quânticos com dopagem seletiva; Electronic structure of quantum well with selective doping

Aladim Neto, Sebastiao Rocha
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 29/05/1990 PT
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37.192144%
Neste trabalho realizamos o cálculo da estrutura eletrônica de poços quânticos com dopagem seletiva, usando um método k-p com 8 bandas. Utilizamos um processo de bloco-diagonalização para reduzir o Hamiltoniano 8x8 a dois blocos 4x4 a fim de diminuir o esforço computacional. Calculamos o efeito do potencial auto-consistente sobre a massa dos portadores e sobre as densidades de estado. Os resultados obtidos para as energias de excitação de uma partícula estão em pleno acordo com os dados obtidos em experimentos de absorção óptica intra-banda (espalhamento Raman ressonante); In this work we developed a calculation of the electronic structure of modulation doped quantum wells using a k-p method with 8 bands. We have used a procedure which block-diagonalizes this 8x8 Hamiltonian into two 4x4 blocks to reduce the computacional effort. We have calculated the effect of the self-consistent potential on the effective mass of carriers and on the densities of states. The results obtained for one-particle excitations are in complete agreement with intra-band optic absorptions experiments (resonant Raman scattering)

Crescimento, dopagem e caracterização de filmes de nanodiamante CVD

Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
POR
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37.475002%
Filmes de nanodiamante (NCD – do inglês nanocrystalline diamond) são de amplo interesse tecnológico uma vez que reúnem propriedades ímpares numa reduzida área. A dopagem desses filmes permite controlar sua condutividade elétrica e, utilizá-los no setor eletroquímico e no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos. Usualmente, NCD são crescidos pelo método de deposição química a vapor (CVD – do inglês chemical vapor deposition) a partir de substratos de silício. Boro é incorporado controladamente à rede cristalina do diamante durante o processo CVD, a partir de fonte gasosa, num processo bastante complexo. Fontes de dopante no estado sólido e/ou líquido são possíveis de serem utilizadas desde que sejam realizadas adaptações nos reatores de deposição. Nesse contexto, esse trabalho consistiu no estudo da obtenção de procedimentos experimentais de crescimento e dopagem com boro de filmes NCD utilizando a técnica CVD mediante inserção de nitrogênio ao plasma reativo, substratos cerâmicos que permitam o crescimento autossustentado dos filmes e fonte de dopante sólida sem realização de adaptação do reator para, por conseguinte, caracterizar as propriedades dos filmes crescidos. Dentre os resultados obtidos...

Efeitos de dopagem e desordem em modelos de sistemas eletrônicos correlacionados

Carvalho, Rubens Diego Barbosa de
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
POR
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37.360771%
Elétrons em bandas estreitas de energia são fortemente afetados pela interação coulombiana como também por desordem na rede. Ambos os efeitos podem levar à localização, mas de naturezas diferentes: estado isolante de Mott, induzido por correlação, e localização de Anderson, induzida por desordem. A existência da fase de Mott ´e também significativamente dependente do preenchimento da banda. Abordagens teóricas para lidar com esse tipo de sistema são usualmente baseadas no hamiltoniano de Hubbard ou modelos relacionados, incluindo desordem como uma distribuição de energias locais. Neste trabalho, utilizando a Teoria de Campo Médio Dinâmico (DMFT), estudamos o modelo de Anderson-Falicov-Kimball e sua versão de três bandas, obtida como uma simplificação do modelo de Hubbard de três bandas associado aos planos de CuO2 dos cupratos supercondutores de alta temperatura crítica, realizando nossa análise para os casos magnético e não magnético. A densidade de estados de uma partícula é obtida por medias aritmética e geométrica sobre a desordem, já que somente a última pode detectar a localização na ausência de um gap de energia. Variando as intensidades de interação coulombiana e desordem, construímos diagramas de fases para esse modelo...

Efeitos da dopagem nas propriedades elétricas do sistema supercondutor BSCCO com elemento terra rara

Rodrigues, Vivian Delmute
Fonte: Universidade Estadual Paulista (UNESP) Publicador: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: 74 f. : il.
POR
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37.360771%
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES); Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS; Com a descoberta dos supercondutores de alta temperatura crítica na década de 80, as propriedades elétricas desses materiais passaram a ser intensamente estudadas, principalmente por meio do processo de dopagem. Desta forma, este trabalho teve por objetivo estudar os efeitos da dopagem nas propriedades elétricas do sistema supercondutor BSCCO com fórmula estequiométrica Bi1,6Pb0,4Sr2-xRExCa2Cu3O10+δ, por meio da substituição do elemento terra rara (RE), lantânio (La), em sítios de Sr, onde 0≤x≤2,0, em intervalos de 0,5. As soluções precursoras foram preparadas baseadas no método de Pechini, obtendo-se uma resina polimérica submetida a tratamento térmico de 200oC/10h, resultando em um material na forma de pó, o qual foi levado novamente a tratamento térmico entre 400oC a 810oC. Com o pó, foram preparadas pastilhas, submetendo-as a um novo tratamento térmico de 810oC/+31h. Para se conhecer as principais características das amostras, foram feitas a caracterização estrutural por meio da técnica de Difratometria de Raios X (DRX) para todos os tratamentos térmicos realizados; a caracterização elétrica...

Efeito da exitação no espectro de emissão de múltiplos poços quanticos (GaAs/ALxGa1-xAs) com dopagem modulada

Flávio Orlando Plentz Filho
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 20/03/1989 PT
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37.192144%
Neste trabalho nós estudamos o espectro de fotoluminescência de uma estrutura de Múltiplos Poços Quânticos com Dopagem Modulada Assimétrica (AlxGa1-xAs/GaAs). Quando a amostra é excitada por um laser de Kr+ o espectro exibe apenas uma linha proveniente dos poços de GaAs, a qual tem uma energia em torno de 1.526 eV. Sob condições de excitação similares, agora com um laser de Ar+, nós observamos a manifestação do Efeito de Fotocondutividade Permanente (PPC) o qual propicia o preenchimento da segunda sub-banda de elétrons. Neste caso, observamos duas transições, originadas nos poços, com energias em torno de 1,527 eV e de 1,545 eV. Nos dois casos (Kr+ e Ar+) as transições sofrem um deslocamento e direção a altas energias quando a potência de excitação é aumentada. À partir dos nossos resultados concluímos que as linhas em 1,527 eV (1,526 eV) e 1,545 eV correspondem as recombinações do gás bi-dimensional de elétrons confinados em duas sub-bandas distintas sendo que a ultima viola a regra de seleção para transições entre sub-bandas. Concluímos também que o deslocamento mencionado corresponde a uma diminuição na densidade do gás, o qual é explicado em termos de um mecanismo de transferência de buracos...

Estudo de processos de dopagem em ZnSe por MBE

Suhaila Maluf Shibli
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 10/05/1991 PT
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Seleneto de zinco, um importante semicondutor do tipo II-VI, é um excelente candidato para fabricação de dispositivos que emitam no azul, devido a sua larga banda proibida de 2,1 eV. No entanto, a aplicação prática deste material em dispositivos de junções p-n requer técnicas de dopagem eficientes que possam produzir materiais dos tipos n e p de baixa resistividade e cuja luminescência perto da borda da banda, a temperatura ambiente, emita predominantemente no azul. Gálio é conhecido como um bom dopante do tipo n para ZnSe, particularmente para epitaxia por feixes moleculares (MBE). A utilização de técnicas de dopagem convencional, com altas concentrações de Ga, introduz níveis de aceitadores profundos, que ocasionam a saturação e correspondente decréscimo nos valores da concentração de portadores e da mobilidade. A descoberta de novas técnicas de dopagem é imprescindível na melhoria da qualidade do material ZnSe. Estudaremos nesta tese o avanço obtido com a técnica de dopagem planar para dopagem tipo n bem como novos dopantes do tipo p para ZnSe; Zinc selenide, an important II-VI semiconductor compound, is of great potential interest for blue light-emitting devices due to its large band gap of 2.7 eV. However...

Estudos óticos e magneto-óticos em múltiplos poços quânticos com dopagem modulada

Flávio Orlando Plentz Filho
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 05/08/1993 PT
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Neste trabalho desenvolvemos um estudo, por meio das técnicas de fotoluminescência e excitação de luminescência, das propriedades óticas e magneto óticas de poços quânticos com dopagem modulada. Desenvolvemos um cálculo auto-consistente para a obtenção das autofunções e autovalores de energia em poços com dopagem modulada. Estes estudos nos permitiram caracterizar de forma clara que a densidade do gás bidimensional de elétrons, presente em uma das nossas estruturas, sofre uma diminuição quando a amostra é excitada por fótons de energia inferior ao "gap" da barreira de AlxGa1-xAs que confina os portadores. Mostramos também a existência de um centro profundo na liga, a uma energia de 460 meV, medida a partir do fundo da banda de condução, o qual foi associado a um estado gerado por um átomo de Si substitucional no lugar do AI. Este estado foi descrito em termos do modelo de coordenada configuracional para centros profundos. A diminuição na densidade do gás de elétrons por nós observada está relacionada à existência deste nível profundo na liga. De fato, é este centro que permite a absorção de luz no AlxGa1-xAs, mesmo para fotoexcitação com energia abaixo do "gap", processo necessário ao mecanismo que gera a diminuição na densidade de portadores no poço de GaAs; In this work we investigated the optical and magneto-optical properties of modulation doped quantum wells. This study was performed by the use of photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy as experimental technics. We developed a self-consistent calculation in order to obtain the eigenfunctions and eigenvalues for electrons and holes in these structures. We have demonstrated that...

Controle de dopagem no esporte: aspectos químicos e farmacológicos que afetam a detecção de drogas no cabelo

Aquino Neto,Francisco Radler de; Marques,Marlice Aparecida Sipoli; Pereira,Henrique Marcelo Gualberto
Fonte: Divisão de Biblioteca e Documentação do Conjunto das Químicas da Universidade de São Paulo Publicador: Divisão de Biblioteca e Documentação do Conjunto das Químicas da Universidade de São Paulo
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/09/2002 PT
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Análise em cabelo (AC) é bem documentada na área de toxicologia forense. AC tem sido empregada para inferir se o consumo de determinado fármaco é crônico ou esporádico. A Sociedade de Teste Capilar (STC) publicou normas sobre AC em dopagem no esporte, às quais são aceitas em cortes judiciais, apesar de não terem sido incorporadas pelo Comitê Olímpico Internacional (COI). Dentre as substâncias proibidas pelo COI o grande desafio da AC na área de controle de dopagem (CD) é a comprovação da sua viabilidade na detecção de esteróides anabolizantes (EA). Antes de validar a AC para o CD, a comunidade científica tem de responder pelo menos a cinco questões críticas: Qual a quantidade mínima detectável no cabelo após a administração? Qual a relação entre a quantidade detectada e a encontrada no cabelo? Qual a influência da cor do cabelo? Existe algum viés no teste em cabelo? Qual a influência da contaminação exógena e do tratamento capilar e com cosmético? O fator limitante da AC em dopagem de atletas é a carência de dados científicos. O presente artigo faz uma revisão dos trabalhos publicados com um enfoque aos parâmetros analíticos e farmacológicos que limitam o emprego da AC no CD.

Determinação de efedrinas em urina por cromatografia em fase gasosa (CG/DNP) para o controle da dopagem no esporte

Garcia,Paula Rodrigues; Yonamine,Mauricio; Moreau,Regina Lúcia de Moraes
Fonte: Divisão de Biblioteca e Documentação do Conjunto das Químicas da Universidade de São Paulo Publicador: Divisão de Biblioteca e Documentação do Conjunto das Químicas da Universidade de São Paulo
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/09/2005 PT
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Efedrinas são aminas simpatomiméticas componentes de diversas especialidades farmacêuticas, utilizadas no tratamento de doenças respiratórias devido à sua ação descongestionante e broncodilatora. Atualmente, diversos produtos comercializados como suplementos nutricionais contêm efedrinas e são amplamente utilizados no meio esportivo, com o objetivo de facilitar a queima de gorduras e melhorar o desempenho. Entretanto, o uso indiscriminado destas substâncias pode acarretar série de efeitos tóxicos como hipertensão, taquicardia, cefaléia e tremores. Devido à sua ação psicoestimulante, foram incluídas na lista de substâncias proibidas nas atividades esportivas pelo Comitê Olímpico Internacional (COI) e estabelecidas concentrações na urina para o controle da dopagem (efedrina e metilefedrina: 10 µg/mL). O presente trabalho teve como objetivo a validação de um método para quantificação de efedrinas, por cromatografia em fase gasosa acoplada a detetor de nitrogênio/fósforo (CG/DNP), em amostras de urina com a finalidade de controle da dopagem. O método consistiu em extração líquido-líquido e posterior derivação das efedrinas com anidrido trifluoroacético, e demonstrou ser simples e prático, apresentando linearidade nas faixas de concentração estudadas. Amostras de urina de voluntários que relataram uso de efedrinas foram submetidas à análise pelo método proposto.

O papel do atleta na sociedade e o controle de dopagem no esporte

Aquino Neto,Francisco Radler de
Fonte: Sociedade Brasileira de Medicina do Exercício e do Esporte Publicador: Sociedade Brasileira de Medicina do Exercício e do Esporte
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/08/2001 PT
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37.192144%
A prática do doping e seu controle são abordados numa perspectiva histórica. As razões para sua prática pelos atletas e a responsabilidade da sociedade sobre esse comportamento são avaliadas. Em seguida, informações sobre a sofisticação atual das práticas de dopagem e a conseqüente evolução das técnicas de análise para seu controle são apresentadas. A situação do seu controle no país, com metodologia do Comitê Olímpico Internacional, é apresentada, bem como a sua complexidade e os custos envolvidos. Esse panorama da situação do controle do doping no Brasil pretende situar os profissionais da medicina desportiva e do desporto em geral nesse segmento importantíssimo para a preservação da integridade física e mental de nossos atletas.

A técnica de dopagem no tratamento da zona de interface: ligações entre concreto novo e velho

Trigo,Ana Paula Moreno; Conceição,Rodrigo Vieira da; Liborio,Jefferson Benedicto Libardi
Fonte: Associação Nacional de Tecnologia do Ambiente Construído - ANTAC Publicador: Associação Nacional de Tecnologia do Ambiente Construído - ANTAC
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/03/2010 PT
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Para que as estruturas de concreto alcancem uma vida útil adequada é necessário avaliar a durabilidade e considerar a manutenção das mesmas. Isso tem estimulado o desenvolvimento de tecnologias destinadas a solucionar a problemática de peças deterioradas ou danificadas. Este trabalho analisa o comportamento da zona de interface entre concreto novo e velho após a escarificação do concreto velho (tratamento físico) e o emprego da técnica de dopagem (tratamento químico). A técnica de dopagem consiste na impregnação de pó por via seca ou pasta de alto desempenho, seguida do lançamento de concreto novo, ou no lançamento direto de um concreto novo com características de alto desempenho. O desempenho dessa ligação foi avaliado por meio de ensaios de tração na flexão, até a ruptura, em corpos de prova prismáticos de concreto simples (fck = 20 MPa) e em seguida remoldados. A partir dos resultados, verificou-se que a ruptura dos corpos de prova recuperados ocorreu fora da região de interface e que as resistências à flexão desse concreto foram mantidas tais quais as originais, demonstrando a eficácia do procedimento na ligação entre concreto novo e velho.

Doping control in sports: chemical and pharmacological aspects that effect the detection of drugs in hair; Controle de dopagem no esporte: aspectos químicos e farmacológicos que afetam a detecção de drogas no cabelo

Aquino Neto, Francisco Radler de; Marques, Marlice Aparecida Sipoli; Pereira, Henrique Marcelo Gualberto
Fonte: Universidade de São Paulo. Faculdade de Ciências Farmacêuticas Publicador: Universidade de São Paulo. Faculdade de Ciências Farmacêuticas
Tipo: info:eu-repo/semantics/article; info:eu-repo/semantics/publishedVersion; Artigo Avaliado pelos Pares Formato: application/pdf
Publicado em 01/09/2002 POR
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Hair analysis is very well documented in forensic toxicology. It has been employed for differentiation between chronic or occasional consumption of certain drugs. The Society of Hair Testing published rules about hair analysis in sportive doping, which are accepted in most courts of justice, in spite that they had not been incorporated by the International Olympic Committee. Among the substances forbidden by the IOC, the great challenge of hair analysis in doping control is to confirm his validity in the detection of anabolic steroids. Before validation of hair analysis in doping control, the scientific community has to answer at least five critical questions: (1) What is the minimal amount detectable in hair after administration? (2) What is the relationship between the amount of the drug used and the concentration of the drug or its metabolites in hair? (3) What is the influence of hair's color? (4) Is there any racial bias in hair testing? (5) What is the influence of cosmetic treatments? Until now, the limiting factor for hair analysis in doping control is the lack of scientific data. The present article revises published material with special attention to the analytical and pharmacological parameters that may hinder the use of hair analysis in doping control.; Análise em cabelo (AC) é bem documentada na área de toxicologia forense. AC tem sido empregada para inferir se o consumo de determinado fármaco é crônico ou esporádico. A Sociedade de Teste Capilar (STC) publicou normas sobre AC em dopagem no esporte...

Determinação de efedrinas em urina por cromatografia em fase gasosa (CG/DNP) para o controle da dopagem no esporte; Gas chromatographic method for the determination of ephedrines in urine for doping control purposes

Garcia, Paula Rodrigues; Yonamine, Mauricio; Moreau, Regina Lúcia de Moraes
Fonte: Universidade de São Paulo. Faculdade de Ciências Farmacêuticas Publicador: Universidade de São Paulo. Faculdade de Ciências Farmacêuticas
Tipo: info:eu-repo/semantics/article; info:eu-repo/semantics/publishedVersion; Artigo Avaliado pelos Pares Formato: application/pdf
Publicado em 01/09/2005 POR
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Efedrinas são aminas simpatomiméticas componentes de diversas especialidades farmacêuticas, utilizadas no tratamento de doenças respiratórias devido à sua ação descongestionante e broncodilatora. Atualmente, diversos produtos comercializados como suplementos nutricionais contêm efedrinas e são amplamente utilizados no meio esportivo, com o objetivo de facilitar a queima de gorduras e melhorar o desempenho. Entretanto, o uso indiscriminado destas substâncias pode acarretar série de efeitos tóxicos como hipertensão, taquicardia, cefaléia e tremores. Devido à sua ação psicoestimulante, foram incluídas na lista de substâncias proibidas nas atividades esportivas pelo Comitê Olímpico Internacional (COI) e estabelecidas concentrações na urina para o controle da dopagem (efedrina e metilefedrina: 10 µg/mL). O presente trabalho teve como objetivo a validação de um método para quantificação de efedrinas, por cromatografia em fase gasosa acoplada a detetor de nitrogênio/fósforo (CG/DNP), em amostras de urina com a finalidade de controle da dopagem. O método consistiu em extração líquido-líquido e posterior derivação das efedrinas com anidrido trifluoroacético, e demonstrou ser simples e prático, apresentando linearidade nas faixas de concentração estudadas. Amostras de urina de voluntários que relataram uso de efedrinas foram submetidas à análise pelo método proposto.; Ephedrines are sympathomimetic amines present in many pharmaceutical preparations used in the treatment of respiratory diseases due to their actions against broncospasm and congestion. Nowadays...