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Construção e caracterização de fotodetetores metal-semicondutor-metal (MSM).; Construction and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors.

Ohta, Ricardo Luís
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 25/08/2006 PT
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36.71%
Este trabalho teve como objetivo principal a fabricação de fotodetetores do tipo Metal-Semicondutor-Metal (MSM) com corrente de escuro da ordem de 1 nA, responsividade da ordem de 0,1 A/W e razão fotocorrente/corrente de escuro de pelo menos 10. Estes valores asseguram que os fotodetetores obtidos tenham sensibilidade suficiente para serem utilizados em sensores ópticos integrados. Todos os materiais utilizados na construção dos fotodetetores MSM são compatíveis com processos convencionais de fabricação em microeletrônica, facilitando a integração com outros dispositivos em estado sólido. O semicondutor utilizado nos fotodetetores foi o silício, na forma monocristalina ou policristalina. Como material de eletrodo, foi utilizado o alumínio, o titânio ou o níquel. No processo de fabricação básico, foram utilizados apenas três etapas: deposição do filme metálico, fotolitografia e corrosão, confirmando a simplicidade de fabricação desse fotodetetor. Através da construção de dispositivos com diferentes geometrias e diferentes combinações dos materiais citados acima, foi possível verificar a influência que a estrutura cristalina do semicondutor, tipo de dopagem do semicondutor, geometria e material de eletrodo tem sobre o desempenho e o comportamento dos MSMs. O comprimento de onda de 632...

Avaliação  dosimétrica de detectores semicondutores para aplicação na dosimetria e microdosimetria em reatores nucleares e instalações de radiocirugia; Dosimetric evaluation of semiconductor detectors for application in neutron dosimetry and microdosimetry in nuclear reactor and radiosurgical facilities

Cárdenas, José Patricio Náhuel
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 19/04/2010 PT
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Este trabalho tem como objetivo a avaliação dosimétrica de componentes semicondutores (detectores Barreira de Superfície e fotodiodos PIN) para aplicação em medições de dose equivalente em campos de baixo fluxo de nêutrons (rápidos e térmicos), utilizando uma fonte de AmBe de alto fluxo, a instalação de Neutrongrafia do reator IEA-R1 (fluxos térmicos/epitérmicos) e fluxo de nêutrons rápidos do núcleo do reator IPEN/MB-01 (UCRI Unidade Crítica). Para a detecção de nêutrons (térmicos, epitérmicos e rápidos) foram usados componentes moderadores e conversores (parafina, boro e polietileno). Os fluxos resultantes da moderação e conversão foram utilizados para a irradiação de componentes semicondutores (SSB - Barreira de Superfície e fotodiodos). Foi utilizado também um conversor misto constituído de uma folha de polietileno borado (marca Kodak). O método de simulação por Monte Carlo foi utilizado para avaliar de forma analítica a espessura ótima da parafina. O resultado obtido foi similar ao verificado experimentalmente e serviu para avaliar o fluxo de nêutrons emergentes do moderador (parafina). Da mesma forma, através de simulação, foi avaliado também o fluxo de nêutrons rápidos que atinge o conversor de polietileno que cobre a face sensível dos semicondutores. O nível de radiação gama foi avaliado cobrindo o detector por inteiro com uma folha de cádmio de 1 mm de espessura. O reator IPEN/MB-01 foi usado para avaliar a resposta dos detectores para nêutrons rápidos de alto fluxo. Os resultados...

Vidros de germanato com nanopartículas metálicas e semicondutoras dopados com terras-raras para aplicações em fotônica.; Germanate glasses containing metalic an semiconductor nanoparticles dopes with rare-earth ions for photonic aplicattions.

Silva, Diego Silvério da
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 01/09/2010 PT
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Neste trabalho é apresentado um estudo espectroscópico sobre vidros de germanato contendo nanopartículas (NPs) metálicas e semicondutoras dopados com íons de terras-raras (TRs) Eu3+, Nd3+ e Er3+ visando o desenvolvimento de novos materiais para aplicações em fotônica. Estes vidros apresentam larga janela de transmissão (400-4500 nm), alto índice de refração (~ 1,9), baixa energia de fônon (700 cm-1), alta resistência mecânica e durabilidade química. Com a finalidade de verificar a nucleação das NPs metálicas e semicondutoras, foram realizadas análises por Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET) que indicaram a presença de NPs metálicas e semicondutoras. As técnicas de espectroscopia de fluorescência de raios X por energia dispersiva (EDS energy dispersive spectroscopy) e difração de elétrons comprovaram a natureza química das NPs. As medidas de absorção óptica evidenciaram a incorporação dos íons de TRs na forma trivalente, fenômeno responsável pela luminescência nos vidros, e permitiram as medidas das bandas de absorção relacionadas à ressonância dos plasmons superficiais e das bandas de absorção características de NPs de natureza semicondutora. Medidas de emissão foram realizadas através de diferentes procedimentos...

A semiconductor strain gage tactile transducer

Obana, F. Y.; Carvalho, A. A.; Gualda, R.; da Silva, J. G.; IEEE
Fonte: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) Publicador: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Tipo: Conferência ou Objeto de Conferência Formato: 429-432
ENG
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This paper describes the development of a semiconductor strain gage tactile transducer. It was designed with the goal of measuring finger forces without affecting the hand dexterity. The transducer structure was manufactured with stainless steel and has small dimensions ( 4 min diameter and I min thickness). It is light and suitable to connect to the finger pads. It has a device that prevents its damage when forces are applied. The semiconductor strain gage was used over due its small size and high sensitivity, although it has high temperature sensitivity. Theory, design and construction details are presented the signal conditioning circuit is very simple because the semiconductor strain gage sensitivity is high. It presents linear response from 0 to 100 N, 0.5 N resolution, fall time of 7.2 ms, good repeatability, and small hysteresis. The semiconductor strain gage transducer has characteristics that can make it very useful in Rehabilitation Engineering, Robotics, and Medicine.

Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores; System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization

Leandro Tiago Manera
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 24/02/2010 PT
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Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a análise da qualidade de interfaces e cálculo de cargas, utilizando o ruído 1/f. Na descrição do ruído em baixa freqüência é apresentado em detalhes todo o arranjo utilizado para a medição, além dos resultados da medida em transistores nMOS e CMOS do tipo p e do tipo n fabricados no Centro. Detalhes importantes sobre o cuidado com a medição, tais como a utilização de baterias para a alimentação dos dispositivos e o correto aterramento, também são esclarecidos. A faixa de freqüência utilizada vai de 1 Hz até 100 KHz. Como aplicação, a medida de ruído é utilizada como ferramenta de diagnóstico de dispositivos semicondutores. Resultados destas medidas também são apresentados. Foi desenvolvido também um sistema para a medição do ruído em alta freqüência. A caracterização teve como objetivo determinar o parâmetro conhecido como Figura de Ruído. Apresenta-se além da descrição do arranjo utilizado na medição...

Semiconductor gellan gum based composite hydrogels for tissue engineering applications

Berti, F. V.; Marques, A. P.; Correlo, V. M.; Reis, R. L.
Fonte: Wiley Online Library Publicador: Wiley Online Library
Tipo: Conferência ou Objeto de Conferência
Publicado em /09/2013 ENG
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Publicado em "Journal of Tissue Engineering and Regenerative Medicine", vol. 7, supp. 1 (2013); Semiconductor hydrogels can be developed by combining the intrinsic electrical properties of semiconductors with the specific characteristics of hydrogels. These hydrogels have recently attracted much attention for applications in tissue engineering, especially formulations incorporating pyrrole and excellent biocompatibility. Several studies have reported that electrical stimulation influences the migration, proliferation and differentiation of stem cells and other cell lines [1]. The goal of this work is to use in situ chemical polymerization of polypyrrole (PPy) with gellan gum (GG) in order to obtain a new generation of semiconductor composite hydrogels. For the synthesis of GG/PPy composites, GG at 1.25% (w/v) final concentration was prepared in distilled water at room temperature. The solution was then heated under stirring at 90°C for 20 min. Temperature was decreased to 65°C and Py was added under vigorous agitation. The crosslinker solution (CaCl2, 0.18%) was added at 50°C. After 2 h, GG/Py composite hydrogels were obtained. In a further step, GG/Py samples were immersed in a solution of oxidizing agent in PBS and the reaction was carried out for 18 h under agitation at room temperature. Finally...

Semiconductor characteristics of Nd doped PbO-Bi2O3-Ga2O3 films

Kassab,Luciana R. P.; Mansano,Ronaldo D.; Zambom,Luís da S.; Del Cacho,Vanessa D.
Fonte: Sociedade Brasileira de Física Publicador: Sociedade Brasileira de Física
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/06/2006 EN
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In this work optical and semiconductor characteristics of gallium oxide based thin films are studied. This material has important electro-optic applications and offers possibilities for semiconductor applications in heavy metal oxide semiconductor technology. In this study thin films of PbO-Bi2O3-Ga2O3 were deposited by reactive sputtering. Two targets with different concentrations of Nd2O3 (0.2 and 1.0 wt%) were prepared. Thin films were deposited by pure Ar plasma, at 5 mTorr pressure and RF power of only 20 W. Films were deposited on three inch diameter substrates of (100) silicon wafers. Optical UV-Vis-Nir transmittance and FTIR analyses showed that the films are transparent in the visible and middle infrared region of the electromagnetic spectrum. The refractive index of the films was of about 2.3, as measured by ellipsometry; Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) analyses were employed for the compositional analysis of the films. For the electrical characterization it was used metallic electrodes, and the final structure obtained is a capacitor structure where the gallium oxide film plays the role of a dielectric. In the current versus voltage (IxV) analyses, the samples with 1.0 wt% of Nd2O3 show semiconductor characteristics similar to the ones obtained for the degenerated transistors. The electric characteristics of these films allow applications with electro-optic devices (phototransistors and photo detectors).

Recent advances in semiconductor nanowire heterostructures

Jackson, H. E.; Smith, L. M.; Jagadish, Chennupati
Fonte: Electrochemical Society Publicador: Electrochemical Society
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 5 pages
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We review a selection of recent optical experiments which provide unique characterizations of the energy landscape in semiconductor nanowires, both simple nanowires and more complex semiconductor heterostructures. The optical experiments include the techniques of photoluminescence, time-resolved photoluminescence, photoluminescence excitation spectroscopy, photocurrent spectroscopy, and Raman scattering brought to bear on structures from simple core-shell structures, to axial heterostructures, to core-multiple-shell heterostructures. The physics that is illuminated ranges from localization of excitons in GaAs quantum well tubes, to strain in GaAs/GaP axial heterostructures, to carrier relaxation dynamics in GaAs/AlGaAs core-shell NWs probed by the new technique of transient Rayleigh scattering.

Advanced Synthesis Techniques and Characterization of Functional Semiconductor Nanomaterials

Gullapalli, Sravani
Fonte: Universidade Rice Publicador: Universidade Rice
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Semiconductor materials are used in several modern day applications ranging from photovoltaic devices to environmental remediation. The electronic, optical, catalytic and physical properties of semiconductor nanomaterials can be precisely tuned by altering their size, shape and composition. It is thus imperative to develop simplified cost-effective techniques to synthesize functional semiconductor nanomaterials with structural and morphological control. The overall goal of this thesis is to design new synthetic schemes for well-characterized semiconductor nanomaterials and subsequently demonstrate their potential in photovoltaic and photocatalytic applications. Shape control of semiconductor nanomaterials is crucial for photovoltaic applications. Longer armed cadmium selenide (CdSe) tetrapods have demonstrated enhanced performance in hybrid solar cells. Conventional long arm tetrapod syntheses necessitate multiple injections of flammable phosphorous based chemicals. A new non-phosphorous route to long CdSe tetrapods with arm lengths > 70 nm is demonstrated by manipulating the “greener” selenium precursor temperature in the presence of a quaternary ammonium salt as the shape directing agent. Another interesting shape is the hollow morphology that provides the advantage of higher surface-to-volume ratio. However this shape for CdSe is much less investigated in photovoltaic applications. A novel molten-droplet synthesis strategy is developed to synthesize quantum confined CdSe HNPs based on the slow heating of a low melting point cadmium salt...

Dinámica de Láseres de Semiconductor Sometidos a Retroalimentación Óptica; Dynamics of Semiconductor Lasers Subject to Optical Feedback

Estandía Rodríguez, Saúl
Fonte: Universidade de Cantabria Publicador: Universidade de Cantabria
Tipo: Trabalho de Conclusão de Curso
SPA
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RESUMEN: Los láseres de semiconductor son muy apreciados comercialmente por sus excelentes prestaciones, bajo consumo, facilidad de miniaturización, altas frecuencias de modulación, etc. Además, los láseres de semiconductor pueden presentar un comportamiento que les confiere especial interés: la emisión caótica. Este tipo de emisión aparece frecuentemente al reinyectar pequeñas cantidades de luz (retroalimentación óptica) en láseres de semiconductor. La emisión caótica presenta una gran riqueza en cuanto a comportamientos y está relacionada con un sinfín de sistemas complejos que aparecen en la naturaleza por lo que su comprensión es de gran interés científico. En este trabajo experimental nos centramos en el estudio de la dinámica de emisión caótica de luz por dos láseres de semiconductor de emisión vertical (VCSEL), uno de ellos de tipo monomodo y el otro de tipo multimodo al ser sometidos a retroalimentación óptica. Otro de los puntos de interés de este trabajo se centra en comprender y aprender a tratar con el efecto de la utilización de fibra óptica como guía de luz en los experimentos de láseres de semiconductor sometidos a retroalimentación óptica. La utilización de fibra óptica en este tipo de caracterizaciones es poco común...

European Semiconductor Laser Workshop. Madrid, Spain, september 24-25th 2015: Abstract book

Fonte: Universidade Carlos III de Madrid Publicador: Universidade Carlos III de Madrid
Tipo: info:eu-repo/semantics/publishedVersion; info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Publicado em /09/2015 ENG
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The workshop provides the opportunity for informal discussions about recent advances and achievements in the field of semiconductor laser diodes, related devices and their applications. The workshop is arranged in the form of invited talks, contributed presentations, both oral and poster.; Contiene: Session ID, 1-1: Semiconductor lasers with high-order surface gratings for optical communications applications. (pp. 1-2).-- Session ID, 1-2: Performance of a Three-Section Master Oscillator Power Amplifier at 1.5 μm. (pp. 3-4).-- Session ID, 1-3: Improved optical field stability in high-power laser diodes with multi-stripe gain distribution. (pp. 5-6).-- Session ID, 1-4: Longitudinal Multimode Instabilities in Master Oscillator Power Amplifiers at 1.5 μm. (pp. 7-8).-- Session ID, 1-5: Dissipative Light Bullets in Passively Mode-Locked Semiconductor Lasers. (pp. 9-10).-- Session ID, 1-6: Theoretical investigation of multi-mode dynamics and mode-locking in an inhomogeneously broadened laser. (pp. 11-12).-- Session ID, 1-7: Temperature and current dependence of 1/f frequency noise in narrow-linewidth discrete-mode lasers. (pp. 13-14).-- Session ID, 1-8: Directive emission from multimode lasers with subwavelength transverse dimensions. (pp. 15-16).-- Session ID...

Semiconductor development in Ireland: reducing 'development stress' caused by digital hardware and embedded software team interaction

Griffin, Ivan J.
Fonte: University of Limerick, Department of Computer Science & Information Systems Publicador: University of Limerick, Department of Computer Science & Information Systems
Tipo: Doctoral thesis; all_ul_research; ul_theses_dissertations; none
ENG
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36.79%
peer-reviewed; Today's consumer electronic products are complex, multi-discipline systems, far beyond just physical gates on a semiconductor chip. Their development involves a delicate mix of engineering disciplines and technologies such as analog hardware, digital hardware, software, board design, semiconductor physics and chemical engineering. The research presented in this dissertation examines the specific relationship between the integration of digital hardware and software development activities and the successful creation of modern consumer electronics devices and embedded computing platforms, to determine which aspects of inter-discipline development caused the most difficulty to a semiconductor device for the consumer electronics market as it progressed in life-cycle through from design to tape-out/mass production. As of 2010, Semiconductor Fabrication techniques continue to (broadly) follow Gordon Moore’s Law (Moore, 1965), which states that the number of transistors on a chip doubles approximately every 18 months. In addition, incremental improvements in fabrication techniques have resulted in successively smaller chip geometries—greater functionality requiring less silicon area and consuming lower power than the previous generation. Embedded computing devices are omnipresent in consumer electronics in modern society. Consumer desire and expectations of product improvement has lead to rampant innovation in the consumer electronics market...

Circuito equivalente e extração de parametros em um amplificador optico a semicondutor; Equivalent circuit and parameters extraction in a semiconductor optical amplifier

Murilo Guimarães
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 18/07/2007 PT
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O advento das comunicações por fibras ópticas esteve intrinsecamente ligado aos lasers a diodo semicondutor. Posteriormente, principalmente na área de redes metropolitanas, iniciaram-se as aplicações envolvendo o amplificador óptico a semicondutor (SOA, em inglês). O SOA é muito similar ao laser a diodo semicondutor, pois também amplifica a luz incidente através da emissão estimulada, a qual advém da emissão pelos portadores elétricos da região ativa. Estes são bombeados na região ativa através da corrente elétrica injetada na porta elétrica do SOA. A similaridade não é completa devido ao fato do amplificador não possuir realimentação de luz através de uma cavidade óptica ressonante, uma vez que sua região ativa é terminada por faces anti-refletivas. Dessa forma, a luz é amplificada apenas em uma passagem pela região ativa do SOA, sendo também denominado neste caso, SOA-TW, ou de onda caminhante. Desta forma, fazendo-se uma analogia com circuitos, a diferença SOAlaser é semelhante à diferença amplificador-oscilador eletrônico. Devido a esta semelhança, o estudo desenvolvido no presente trabalho, sobre o comportamento da impedância do amplificador óptico a semicondutor, foi baseado em um modelo equivalente de circuito de microondas desenvolvido para o laser a diodo semicondutor. O comportamento da impedância do SOA...

Diseño, construcción y puesta a punto de un circuito de alimentación de láseres de diodo de alta potencia y amplificadores ópticos de semiconductor

Gutiérrez Hernández, Marcos
Fonte: Universidad Politécnica de Madrid Publicador: Universidad Politécnica de Madrid
Tipo: Proyecto fin de carrera Formato: 5047910 bytes; application/pdf
SPA
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36.84%
211 páginas.-- Proyecto fin de carrera (PTC) presentado en Dpto. de Ingeniería Audiovisual y Comunicaciones de la E. U. de Ingeniería Técnica de Telecomunicación de la Universidad Politécnica de Madrid y realizado en el Departamento de Metrología del Instituto de Física Aplicada del CSIC (IFA-CSIC).; [ES] Se ha diseñado, construido y puesto a punto un sistema de alimentación y estabilización de láseres y amplificadores ópticos de semiconductor. El sistema se basa en dos controladores ultra estables de corriente o potencia que alimenta al diodo y controlan la temperatura del mismo. El sistema puede alimentar a dispositivos hasta corrientes de 2 A o hasta corrientes de 200 mA en sus dos modos de funcionamiento. Se ha probado el sistema sobre dos tipos de láseres de semiconductor, uno de transmisión de datos de telecomunicaciones y otro de bombeo para amplificadores de Er, obteniéndose en ellos una estabilidad en potencia de 1% y 1 nm en longitud de onda. Se ha probado el sistema en dos amplificadores ópticos de semiconductor, demostrándose su capacidad de controlar la ganancia de estos.; [EN] A system for laser diodes and semiconductor optical amplifiers control has been designed and implemented. The system is based on two ultrastable controllers...

Periodic entrainment of power dropouts in mutually coupled semiconductor lasers

Buldú, Javier M.; Vicente, Raúl; Pérez, Toni; Mirasso, Claudio R.; Torrent, M. C.; García-Ojalvo, Jordi
Fonte: American Institute of Physics Publicador: American Institute of Physics
Tipo: Artículo Formato: 2373 bytes; 533867 bytes; text/plain; application/pdf
ENG
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36.71%
3 pages, 4 figures.-- PACS nrs.: 42.55.Px, 42.60.Fc, 85.30.De, 42.60.By.; We examine the effect of current modulation in the irregular dropout dynamics exhibited by two mutually coupled semiconductor lasers. Our experimental results show that a weak periodic modulation in the injection current of one of the lasers entrains the power dropouts in a very efficient way. It is also observed that the laser with the highest frequency leads the dynamics independently of which laser is modulated. As a result, the entrainment is anticipative when modulation is applied to the laser with lowest frequency. Numerical simulations of a model based on delay-coupled rate equations successfully reproduce the observed behavior.; We acknowledge financial support from MCyT (Spain, projects BFM2001-2159 and BFM2002-04369), from the EU IST network OCCULT, and from the Generalitat de Catalunya (project 2001SGR00223).; Peer reviewed

Experimentally Observed Dynamical Characteristics of Mutually Coupled Semiconductor Lasers With or Without Optoelectronic Feedback

Tang, Shuo; Chiang, Margaret; Liu, Jia-Ming; Vicente, Raúl; Mirasso, Claudio R.
Fonte: Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers Publicador: Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers
Tipo: Comunicación de congreso Formato: 2373 bytes; 1754232 bytes; text/plain; application/pdf
ENG
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36.71%
12 pages, 7 figures.-- Communication presented at: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XII (San Jose, CA, USA, 26 January 2004).; Mutually-coupled semiconductor lasers are of great current interest because of the important insight they provide into coupled physical, chemical, and biological systems. Two semiconductor lasers either with or without optoelectronic feedback are mutually coupled together through optoelectronic paths. It is found that mutual coupling can significantly affect the dynamics of the semiconductor lasers, depending on the coupling delay time and the coupling strength. Interesting phenomena such as generation of chaos, quasiperiodic and period-doubling bifurcation to chaos, and death by delay are observed. Synchronization of the chaotic outputs from mutually coupled semiconductor lasers is also observed.; This work is supported by the U.S. Army Research Office under contract No. DAAG55-98-1-0269.; Peer reviewed

Correlations in semiconductor ring lasers in the bidirectional regime

Pérez Serrano, Antonio
Fonte: Universidad de las Islas Baleares Publicador: Universidad de las Islas Baleares
Tipo: Tesis Formato: 2373 bytes; 1849612 bytes; text/plain; application/pdf
ENG
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36.76%
Memoria de Master en Física de la Universidad de las Islas Baleares, Facultad de Física y del Instituto de Física Interdisciplinar y Sistemas Complejos (IFISC-CSIC/UIB).-- Texto en inglés, prefacio en castellano.-- Fecha de lectura: 19-07-2007.; We study the influence of spontaneous emission noise in a two-mode model for semiconductor ring lasers, biased in the bidirectional static emission regime. The analysis is carried out by linearizing the model close to a stable stationary solution, and considering effect of noise as stochastic perturbations expressed by Langevin forces. At a linear level, pertubations concerning the total intensity and carrier inversion dynamics decouple from the energy distribution processes between the two modes. This fact permits a full analytic analysis, well confirmed by numerical simulations of the complete non linear system. The analysis shows that semiconductor ring lasers have peculiar noise properties. On one side the total intensity and carrier density show a noise spectrum characterized by a resonance induced by the typical field-medium exchange processes (relaxation oscillations) and the global phase invariance induced by the Goldstone mode, so as far as those variables are concerned, it behaves as a standard single-mode Fabry-Perot semiconductor laser. Besides...

Electroluminescence in ion gel gated organic polymer semiconductor transistors

Bhat, Shrivalli
Fonte: University of Cambridge; Department of Physics; Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory; Queens' College Publicador: University of Cambridge; Department of Physics; Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory; Queens' College
Tipo: Thesis; doctoral; PhD
EN
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36.76%
This thesis reports the light emission in ion gel gated, thin film organic semiconductor transistors and investigates the light emission mechanism behind these devices. We report that ion gel gated organic polymer semiconductor transistors emit light when the drain source voltage is swept slightly beyond the energy gap of the polymer divided by the elementary charge (Vds > Eg/e). In particular, the light emission in poly(9,9'-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole) (F8BT) polymer semiconductor, with 1-ethyl-3-methylimidazoliumbis (trifluoromethylsulfonyl) imide/ poly(styrene-block-ethylene oxide-block-styrene (EMIM TFSI/ SOS) ion gel as dielectric material is reported. The current-voltage characteristics corresponding to the light emission, where the systematic increase of the drain current, correlated with light emission is reported. In low voltage regime, (Vds < Eg/e), well saturated transistor characteristics are observed. By charge modulation spectroscopy (CMS) study we show that there is a prominent electrochemical doping occurring with gate voltages. Further, owing to the movement of ions with voltages, irrespective of the location of electrodes, we show that the ion gel, bilayer planar devices emit light in Vds > Eg/e regime (without any gate voltages)...

Analysis of production control methods for semiconductor research and development fabs using simulation

Ramamurthi, Vikram
Fonte: Rochester Instituto de Tecnologia Publicador: Rochester Instituto de Tecnologia
Tipo: Tese de Doutorado Formato: 1326761 bytes; 181214 bytes; 2061 bytes; 698 bytes; 5008 bytes; 49 bytes; 1326761 bytes; application/pdf; text/plain; text/plain; application/octet-stream; application/octet-stream; application/octet-stream; application/pdf
EN_US
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36.76%
The importance of semiconductor device fabrication has been rising steadily over many years. Integrated circuit technology and innovation depends on successful research and development (R&D). R&D establishes the direction for prevailing technology in electronics and computers. To be a leader in the semiconductor industry, a company must bring technology to the market as soon as its application is deemed feasible. Using suitable production control methods for wafer fabrication in R&D fabs ensures reduction in cycle times and planned inventories, which in turn help to more quickly, transfer the new technology to the production fabs, where products are made on a commercial scale. This helps to minimize the time to market. The complex behavior of research fabs produces varying results when conventional production control methodologies are applied. Simulation modeling allows the study of the behavior of the research fab by providing statistical reports on performance measures. The goal of this research is to investigate production control methods in semiconductor R&D fabs. A representative R&D fab is modeled, where an appropriate production load is applied to the fab by using a representative product load. Simulation models are run with different levels of production volume...

Comment on “A Prototype SECS message service for communication in the semiconductor manufacturing environment"

Baratz, James; Birchak, John; Brehm, Frederic; Vallino, James
Fonte: IEEE - Transactions on semiconductor manufacturing Publicador: IEEE - Transactions on semiconductor manufacturing
Tipo: Artigo de Revista Científica
EN_US
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The protocol described in the article “A Prototype SECS Message Service for Communication in the Semiconductor Manufacturing Environment”’ was designed in cooperation with the Subnet Task Force of the Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) Communications Standards Committee. The technical design and a software implementation were carried out at the University of Michigan with frequent reviews by the task force, particularly during the early months. The primary development of SMS was done by James R. Moyne as a research project directed by Prof. Leo C. McAfee, Jr., and supported by the Semiconductor Research Corporation. The published article reflects the services and protocol as agreed to by the Subnet through August 1988. Moyne produced a software implementation and also a demonstration which was shown at SEMICON/West’88.; IEEE Transactions on semiconductor manufacturing article. Copyright 1989 IEEE.