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"Fotoluminescência excitada no ultravioleta em polímeros conjugados"; Photoluminescence excited in the ultraviolet in conjugated polymers

Faleiros, Marcelo Meira
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 13/02/2007 PT
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37.6%
Os polímeros conjugados luminescentes são materiais com grande potencial tecnológico, mas apesar de estudados desde a década de 80, algumas de suas propriedades óticas ainda não foram totalmente entendidas. Por exemplo, ainda persistem dúvidas quanto à natureza das suas excitações primárias. Nesse sentido foi feito um estudo da fotoluminescência do poli[2-metoxy-5-(2-etil-hexiloxi)-1,4-fenileno vinileno] (MEH-PPV), polímero semicondutor luminescente cujas propriedades ópticas já foram muito investigadas. Além da banda de absorção principal na região visível do espectro, ele possui três bandas no ultravioleta. O objetivo deste trabalho é investigar a fotoluminescência do MEH-PPV quando excitado na região do ultravioleta. Após fotoexcitação no ultravioleta, observou-se apenas a fotoluminescência usual no visível. A intensidade da emissão depende fortemente da energia de excitação, da temperatura e da estrutura morfológica do sistema polimérico, determinada pelo método de preparação das amostras. Os resultados indicam que os estados excitados no ultravioleta relaxam rapidamente de forma não-radiativa até os estados de menor energia, de onde então ocorre a luminescência. Entretanto, a eficiência da fotoluminescência excitada no ultravioleta é consideravelmente reduzida...

Estudo da estrutura e dinâmica molecular em filmes de polifluorenos e correlações com a fotoluminescência; Study of structure and molecular dynamics of polyfluorene films and correlations with photoluminescence

Faria, Gregório Couto
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 09/04/2008 PT
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37.23%
Neste trabalho, apresentamos uma investigação sistemática da microestrutura e da dinâmica de dois polímeros emissores de luz derivados do polifluoreno, a saber, Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (BE 329) and Poly[(9,9-dioctyl-2,7-divinylene-fluorenylene)-altco-{ 2-methoxy-5-(2-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene}] (GE 108), utilizando técnicas de Difração de Raios X em Alto Ângulo (WAXD), Espalhamento de Raios X em Baixo Ângulo (SAXS), Ressonância Magnética Nuclear (RMN) no estado sólido, Análise Térmica Dinâmico-Mecânica (DMTA) e Espectroscopia de Fotoluminescência (PL). Em relação as propriedades estruturais, diferenças notáveis entre a microestrutura de ambos os polímeros foram observadas. As medidas de WAXD revelaram a presença de cristalinidade nos filmes da amostra BE 329 (cristalinidade de aproximadamente 47 %) e, também, que o polímero sofre uma modificação estrutural em 433 K. Em contrapartida, as mesmas medidas na amostra GE 108 não revelaram a presença de cristalinidade, mas sim a de estruturas agregadas similares a fases mesomórficas típicas de cristais líquidos. A interpretação dos dados foi feita assumindo um modelo estrutural, onde a distância entre anéis aromáticos coplanares (empilhados) é de d1 = ~ 4.5 Å...

Filmes sensíveis a pressão pela técnica de fotoluminescência.; Pressure sensitive films based on photoluminescence technique.

Matos, Keth Rousbergue Maciel de
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 20/05/2011 PT
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37.23%
O presente projeto tem como objetivo contribuir para o desenvolvimento de dispositivos para monitoração de pressão dinâmica do ar. Para isso, foram produzidos filmes sensíveis a pressão baseados na detecção de concentração de oxigênio por meio de processos de emissão fotoluminescente das moléculas de Azul de Metileno (MB) e Platina Octaetilporfirina (PtOEP). Nesse sentido, foi estudado o comportamento da emissão fotoluminescente dessas moléculas em interação com o gás de oxigênio. A concentração de oxigênio (do ar) sobre superfície sensível depende da pressão dinâmica de superfície. Desta forma, monitorando a fotoluminescência dos dispositivos submetidos a diferentes concentrações de oxigênio, pode-se determinar uma relação entre a pressão pontual da superfície analisada e a intensidade de emissão fotoluminescente do filme. Os dispositivos de monitoração de pressão dinâmica são constituídos de um filme de estado sólido contendo as moléculas sensíveis. Foram utilizados como substratos hospedeiros para o Azul de Metileno e para a Octaetilporfirina de Platina, os filmes de silício poroso oxidado e Poliestireno, respectivamente. É proposto um arranjo experimental que utiliza um fluorímetro para caracterizar as amostras produzidas e uma câmara de fluxo de gases. Os dispositivos apresentaram elevada sensibilidade e evidenciaram o potencial para desenvolvimento e integração de sensores baseados no silício poroso à microeletrônica.; This project aims to contribute to the development of devices for monitoring dynamic pressure of the air. In this sense...

Fotoluminescência de nitreto de silício não estequiométrico depositado por sputtering reativo

Sombrio, Guilherme
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
POR
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37.23%
Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de nitreto de silício não estequiométricos obtidos pela técnica de deposição por pulverização catódica com gases reativos (sputtering reativo) nas propriedades estruturais e luminescentes. Os filmes foram depositados mantendo a pressão na câmara principal em 6,7 ou 10 mTorr com diferentes pressões parciais dos gases Ar, N2 e O2, com a finalidade de controlar a composição. Os tratamentos térmicos foram feitos em atmosferas de argônio e uma mistura gasosa contendo 10% de H2 e 90% N2 em diversas temperaturas (450 até 700 °C) e nos tempos de 5 a 60 min. Após os tratamentos térmicos, foram feitas análises de composição, usando Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e medidas de fotoluminescência das amostras, excitadas com comprimento de onda de 266 nm. As características de emissão variaram de acordo com a composição da amostra medida. Os filmes de nitreto não estequiométrico que não possuem altas concentrações de oxigênio (<20%) apresentaram emissão nas regiões de 380-390 nm...

Fotoluminescência em semicondutores de gap indireto

Girotto, Matheus
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Trabalho de Conclusão de Curso Formato: application/pdf
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37.52%
Foram preparadas amostras de nanocristais de silício usando óxido de silício não-estequiométrico depositado por sputtering reativo. Nessas amostras o silício, semicondutor de gap indireto, tem a possibilidade de emissão de luz na recombinação do par elétron-lacuna. A estequiometria do óxido foi variada para obter diferentes concentrações de excesso de silício, de 15% a 40%, assim como o tempo de recozimento para a formação dos nanocristais, 1050 °C a 1100 °C. Nos espectros de fotoluminescência observou-se dois mecanismos responsáveis pela fotoluminescência e a título de obter uma estimativa do tempo de vida dos portadores de cada mecanismo se executou medidas de fotoluminescência a potência variável, num intervalo de 100 μW até 10 mW focalizados em uma área aproximada de 10 (mm)². Um modelo quântico simples de dois níveis para a emissão, assim como a observação que os dois picos eram compostos por gaussianas independentes, permitiu concluir que os dois mecanismos tem tempos de vida substancialmente diferentes, da ordem de 2 a 4 vezes maior um que o outro.; Silicon nanocrystrals embedded in non-stoichiometric silicon oxide samples were prepared by reactive sputtering. Silicon, semiconductor of indirect gap...

O papel dos modificadores de rede na produção da fotoluminescência no CaWO4

Ciaco, F. R. C.; Pontes, Fenelon Martinho Lima; Pinheiro, C. D.; Leite, E. R.; Lazaro, S. R. de; Varela, José Arana; Pizani, P. S.; Paskocimas, C. A.; Souza, A. G.; Longo, Elson
Fonte: Associação Brasileira de Cerâmica Publicador: Associação Brasileira de Cerâmica
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 43-49
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37.23%
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP); Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq); Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES); Discutiu-se a fotoluminescência para o tungstato de cálcio amorfo, observada à temperatura ambiente. Verificou-se que há concordância entre os resultados experimentais e teóricos. Neste trabalho foram simuladas as estruturas cristalinas e amorfas do tungstato de cálcio (CaWO4), comparando-se as respectivas estruturas eletrônicas. Os resultados dos cálculos teóricos indicam a formação de novos níveis de energia na banda de valência e de condução do amorfo. Estes níveis eletrônicos extras são os responsáveis pela formação da cauda na curva do espectro de absorção. Correspondentemente, medidas experimentais de absorção óptica mostraram a presença da cauda, com relação ao espectro do cristalino. Desta forma, pode-se interpretar a formação da cauda, como sendo associada aos defeitos promovidos na estrutura desordenada do material amorfo.; We discuss the nature of visible photoluminescence at room temperature in amorphous calcium tungstate taking into account the results of recent experimental and quantum mechanical theoretical studies. Our investigation of the electronic structure involved the use of first-principle molecular calculations to simulate the variation of the electronic structure in the calcium tungstate crystalline phase...

Fotoluminescência e mecanismo de crescimento em titanatos nanoestruturados

Souza, Agda Eunice de
Fonte: Universidade Estadual Paulista (UNESP) Publicador: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo: Tese de Doutorado Formato: 130 f. : il.
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37.23%
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES); Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC; Nanopartículas cristalinas com estrutura do tipo perovskita de BaxSr1-xTIO3, Ba1-xCaxTiO3 e CaxSr1-xTiO3 (x = 0, 0,25, 0,50, 0,75 e 1) foram sintetizadas usando o método de hidrotermalização assitido por microondas. As amostras foram processadas por 40 minutos a 140ºC, sob pressão máxima de 4 bar, usando um forno de microondas doméstico adaptado. A ação das microondas, associada às condições de temperatura e pressão facilitaram a formação das faces em um tempo de síntese relativamente curto, porém não possibilitou um controle sobre o crescimento e morfologia das partículas. Um conjunto de técnicas foi utilizado para a caracerização das amostras e os resultados mostraram que o método de hidrotermalização assistido por microondas é eficiente na obtenção dos compostos cristalinos com partículas nanométricas. Foi observado que todas as amostras apresentam um comportamento fotoluminiscente que varia com a concentração x dos modificadores de rede (Ba, Ca e Sr). A emissão radiativa na região visível azul-verde apresentada por estes materiais está diretamente associada à presença de imperfeições ou defeitos de ordem local. Estes defeitos locais podem ser causados pelo deslocamento do metal de transição Ti no interior da célula unitária de cada composto que dão origem à clusters distorcidos (em quebra de simetria) ou complexos (contendo vacâncias de oxigênio ou grupos OH). A banda larga observada nos espectros de fotoluminescência é característica de materiais com grau de ordem-desordem estrutural de curto alcance indicando que...

Absorção óptica e fotoluminescência em pontos quânticos de CdTe em vidros dopados

Walter Americo Arellano Espinoza
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 23/08/1996 PT
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37.4%
Apresentamos estudos das propriedades ópticas de pontos quânticos de CdTe em vidros dopados, através de medidas de absorção óptica e fotoluminescência. Mostramos espectros obtidos à baixa temperatura (15 K) e à temperatura ambiente (300 K) para várias amostras crescidas com diferentes processos de tratamento térmico. A comparação dos espectros de absorção nessas duas temperaturas permitiram o cálculo do alargamento não - homogêneo (devido a distribuição de tamanho dos pontos quânticos) e do alargamento homogêneo (devido principalmente à interação dos elétrons com fônos da rede cristalina) para as nossas amostras. Obtivemos também, através das energias dos picos de fotoluminescência e absorção, medidas do deslocamento Stokes em função do raio do ponto quântico para as amostras crescidas com dois tratamentos térmicos. O deslocamento Stokes aumenta à medida que diminui o raio dos pontos quânticos. Os resultados mostram também que as amostras crescidas com dois tratamentos térmicos apresentam distribuições de tamanho bem estreitas (desvio padrão de 5,8 %) e melhores qualidades ópticas que as amostras crescidas com apenas um tratamento; We present studies of the optical properties of CdTe quantum dots in doped glasses by means of optical absorption and photoluminescence measurements. We show spectra at low temperature (15 K) and at room temperature (300 K) for series of samples grown under differente heat - treatment conditions. Comparing the low and room temperature absorption spectra we could calculate the inhomogeneous broadening (due to the quantum dot size distributions) and the homogeneous broadening (due mainly to electron - phonon interactions) for our samples. We obtained also...

Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn

Carmen Lúcia Novis Cardoso
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 01/02/1985 PT
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37.23%
Medidas de fotoluminescência foram feitas em amostras de GaAs dopado com Sn (GaAs:Sn). Os resultados apresentaram duas regiões de emissão: excitônica é caracterizada pelas linhas A1 (1.5224 eV); A2 (1.5164eV); A3 (1.4966eV) e A4 (1.4600eV). A região profunda pelas bandas B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) e B3 (1.2974eV). A linha A1 é interpretada como sendo a transição do éxciton livre; linha A2, éxciton ligado à impureza doadora de Sn; linha A3, éxciton ligado a impureza aceitadora de Sn e a linha A4 como sendo réplica de um fonon LO da linha A3. A origem da banda B1 não é muito clara; a banda B2 é interpretada como sendo a recombinação do elétron da banda de condução com nível aceitador profundo de Sn e a banda B3 como sendo réplica de um fonon da banda B2. Além disto, alguns efeitos foram observados: A posição em energia do éxciton livre (linha A1) está » 7.4MeV acima do valor encontrado na literatura. A posição em energia do éxciton ligado a impureza aceitadora profunda de Sn (linha A3) está » 10.4MeV abaixo do valor encontrado na literatura. Alguns comentários são feitos sobre os efeitos observados; Photoluminescence measurements have been done on Sn doped GaAs samples (GaAs:Sn). The results have shown two emission regions: excitons (high energy) and deep levels (low energy). The exciton regions is characterized by the lines A1 (1.5224eV)...

Fotoluminescência resolvida no tempo em a-Si1-x Cx:H

Lucicleide Ribeiro Cirino
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 13/03/1997 PT
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37.23%
A eficiência quântica de luminescência h em ligas de silício-carbono amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) a baixa temperatura diminui com o aumento da concentração de carbono para amostras com menos de 25 % de carbono. A partir daí hpassa a aumentar com o aumento da concentração de carbono e sua dependência com a temperatura diminui. O objetivo deste trabalho é entender os processos de recompilação presentes em a-Si1-xCx:H. Foram feitas medidas de fotoluminescência resolvida no tempo variando-se a temperatura entre 17 K e 300 K. As amostras utilizadas foram preparadas por PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) de misturas iH4/CH4 no "regime de baixa potencia" de radio-frequência. Como no a-Si:H, o decaimento da PL em a-Si1-xCx:H não é exponencial, podendo ser descrito como uma distribuição de tempos de vida. As amostras com baixa concentração de carbono (<25 %), apresentam um pico de distribuição de tempos de vida centrado aproximadamente em 10-4s-10-3s, o qual se desloca para tempos mais curtos com o aumento da concentração de carbono ou com o aumento da temperatura. As amostras com maior concentração de carbono (>25 %), apresentam dois picos na distribuição de tempos de vida. O pico mais lento comporta-se qualitativamente da mesma forma que o pico presente nas amostras com menos de 25 % de carbono. A posição do pico mais rápido ( ~10-8s) praticamente não depende da temperatura. Nestas amostras os dois dependem pouco da concentração de carbono. O comportamento do tempo de vida de PL nas amostras com menos de 25 % de carbono e do pico mais lento das amostras com mais de 25 % de carbono pode ser explicado pelo modelo aceito para o a-Si:H. O pico rápido que aparece nas amostras com mais de 25 % de carbono é descrito por outro mecanismo de recompilação. Este mecanismo está provavelmente associado com funções de onda de elétron e buraco coincidentes no espaço...

Fotoluminescência resolvida no tempo em pontos quânticos de CdTe

Marcela Leal Redígolo
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 29/01/1998 PT
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37.6%
Apresentamos nesta dissertação um estudo das propriedades ópticas de vidros dopados com pontos quânticos de CdTe. Apresentamos espectros de absorção como função da temperatura e calculamos estes espectros considerando os alargamentos inomogêneo, devido à distribuição de tamanhos dos pontos quânticos, e homogêneo, devido principalmente às interações elétron-fônon. Os resultados mostram que a largura homogênea cresce conforme o tamanho dos pontos quânticos diminui. Obtivemos também distribuições de tamanhos com desvio percentual (dependendo da amostra) de 5,8% ou 6,0% para amostras crescidas por um processo de dois tratamentos térmicos. Nós também apresentamos neste trabalho medidas de fotoluminescência resolvida no tempo em uma escala de nanossegundos para pontos quânticos de CdTe em função da temperatura da amostra (20 K e 120 K). A fotoluminescência foi resolvida espectralmente e observamos dois picos, um dominante com um deslocamento Stokes em relação ao espectro de absorção e um pico menos intenso a mais baixa energia. Medimos os tempos de decaimento para várias energias nestes picos e obtivemos um comportamento exponencial com tempos de decaimento variando de 95 ns a aproximadamente um microssegundo. O pico mais intenso da fotoluminescência apresenta o tempo de decaimento mais rápido e está relacionado com recombinação banda-a-banda. Atribuímos o pico menos intenso da fotoluminescência...

Fotoluminescência em fios quânticos cilíndricos de GaAs - (Ga,Al)As

Servio Tulio Pérez Merchancano
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 18/02/1997 PT
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37.6%
Neste trabalho calculamos as energias de ligação de impurezas rasas aceitadoras num fio quântico cilíndrico de GaAs-(Ga, Al)As em função do raio do fio e a posição da impureza. Estas energias de ligação foram estudadas usando a aproximação da massa efetiva e o método variacional. Aqui se usou um poço de confinamento finito com uma profundidade determinada pela descontinuidade da banda proibida no fio quântico e no meio que o rodeia. Encontrou-se que a energia de ligação se incrementa quando o raio do fio diminui indo para valores característicos do material em bloco quando o raio do fio é muito pequeno ou muito grande. Nossos resultados estão em boa concordância com os resultados teóricos obtidos em fios quânticos de seção transversal retangular . Processos de recombinação radiativa em fios quânticos de GaAs-(Ga, Al)As excitados por um feixe laser de onda contínua num experimento de fotoluminescência em condições quase-estacioárias também são calculados. Trabalhamos na aproximação da massa efetiva e o modelo de banda parabólica com o fim de descrever elétrons e buracos. No estado estacionário, estudamos a absorção interbanda e alguns mecanismos de recombinação tais como a recombinação de elétrons com buracos livres e com buracos ligados a aceitadores...

Caracterização de filmes policristalinos de CdSe através da espectroscopia de fotoluminescência

Maria José Santos Pompeu Brasil
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 23/07/1985 PT
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37.52%
Fizemos um estudo de caracterização de filmes policristalinos de CdSe através da espectroscopia de fotoluminescência, da análise por. difração de raios-X, das curvas I x V, e da eficiência de conversão solar de células feitas com esses filmes. Observamos que todos estes dados experimentais são fortemente dependentes da temperatura de recozimento dos filmes de CdSe, e determinamos um valor ótimo desta temperatura em torno de 650 ºC. Antes do tratamento térmico, os filmes basicamente não apresentam sinal de fotoluminescência, mas o espectro de amostras recozidas apresentam estruturas finas na região excitônica que podem ser comparadas qualitativamente com as características de amostras monocristalinas. O recozimento também mostrou-se responsável por uma mudança de fase cristalina, um aumento no tamanho dos grãos que compõe o filme, e uma melhora substancial na eficiência da célula. Medidas de fotoluminescência entre 2 e 300 K, revelaram duas bandas de emissão infravermelha bastante largas e intensas. A forma, a meia - largura e a intensidade integrada dê uma destas bandas foram bastantes bem descritas por um modelo de coordenadas de configuração para centros profundos. Baseados nos resultados obtidos propomos algumas hipóteses sobre a origem destas bandas e a sua correlação com a eficiência das células feitas com estes filmes policristalinos de CdSe; Not informed

Influência do ambiente químico na fotoluminescência de oxi-nitreto de titânio dopado com érbio; Influence of the chemical environment on the photoluminescence of Er-doped TiNxOy thin films

Diego Leonardo Silva Scoca
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 10/12/2013 PT
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37.67%
Neste trabalho foi investigada a influência do ambiente químico na fotoluminescência de filmes finos de Oxi-nitreto de titânio dopados com érbio (TiNxOy : Er). Os filmes finos foram crescidos utilizando a técnica de Deposição por Feixe de Íons (IBD ¿ Ion Beam Deposition) e, a fim de modificar o ambiente químico ao qual os íons de Er3+ estão submetidos para controlar as características da fotoluminescência dos íons de érbio, foi realizado tratamento térmico sequencial sob atmosfera de oxigênio, durante 30 minutos em cada uma das seguintes temperaturas: 250°C, 500°C, 750°C e 1000°C. A investigação do estado atômico e da concentração relativa de cada elemento presente nos filmes foi analisada através da técnica de XPS, para as amostras antes (AD) de passarem pelo tratamento térmico e após todos os tratamentos serem realizados (TA). A estrutura cristalina dos filmes foi investigada por Difração de Raio-X à Baixo Ângulo (1°) antes (AD) e após (TA) o tratamento térmico, enquanto que, através de espectroscopia Raman, foi acompanhada cada etapa (temperatura) do tratamento térmico, possibilitando a identificação de duas fases distintas do TiO2, onde a 750°C foram detectados modos vibracionais referentes a fase anatásio e...

Estudo de filmes finos de GaAs1−xNx/GaAs por espectroscopia Raman e de fotoluminescência

Teixeira, Jonathan Fernando
Fonte: Universidade de Brasília Publicador: Universidade de Brasília
Tipo: Dissertação
POR
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37.4%
Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2008.; A dependência da quantidade de nitrogênio (N) nas propriedades ópticas e estruturais de filmes finos de GaAs1−xNx/GaAs, com 0, 0144 x 0, 0370, tratados termicamente e como crescidos, foram investigados por espectroscopias Raman e de Fotoluminescência. Os espectros Raman exibem a presença de dois modos caracter ísticos do filme de GaAs1−xNx. É observado um sistemático decréscimo da freqüência do fônon longitudinal óptico do tipo-GaAs (LO1), próximo a 292 cm−1 e um aumento linear da intensidade do fônon longitudinal óptico do tipo-GaN (LO2), próximo a 475 cm−1, com o aumento da concentração de N. É também evidente que a concentração de N nos filmes de GaAs1−xNx, determinado por espectroscopia Raman (xRaman), exibe uma dependência linear com aquela determinada por difração de Raios-X de alta resolução (HRXDR) (xXRD). Foi verificado que o sistemático redshift observado para o fônon LO1 e geralmente associado a deformações (strain) da rede e aos efeitos de liga, é também influenciado pela presença da dopagem não intencional assim como pela quebra da ordem de longo alcance da rede cristalina, devido a introdução do N. Os resultados de Fotoluminescência (PL) evidenciaram um decréscimo de até 460 meV do band gap do GaAs1−xNx com o aumento da concentração de N...

Caracterização de silício por fotoluminescência e electroluminescência: implementação de um sistema de medida

Madeira, José Carlos Videira
Fonte: Universidade de Lisboa Publicador: Universidade de Lisboa
Tipo: Dissertação de Mestrado
Publicado em //2011 POR
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37.67%
Tese de mestrado em Engenharia da Energia e do Ambiente, apresentada à Universidade de Lisboa, através da Faculdade de Ciências, 2011; There has been an increasing use of renewable energy systems in our planet. Replacing the old energy sources for renewable ones is inevitable. The process has already begun with hydroelectric power plants and wind power plants. Solar energy is extremely vast and free to be consumed and there lies the importance of solar photovoltaic technology with the hope of a fast transition to this type of renewable energy source. The development of solar photovoltaic technology lies on the improved quality of materials processing, which implies the development of improved diagnostic techniques. Characterization techniques based on steady-state luminescence images have recently emerged as powerful, fast and precise tools in the development of high efficient silicon solar cells. A technique, based on luminescence imaging for characterization of solar cells throughout their construction-phases, is presented in this thesis. In order to perform characterization through photoluminescence techniques, an experimental system was developed and together with software routines created with MatLab being capable of processing the images obtained by photoluminescence. To be able to obtain a comparative method with a similar technique...

Fotoluminescência em materiais com desordem estrutural

Lucena,P. R. de; Pontes,F. M.; Pinheiro,C. D.; Longo,E.; Pizani,P. S.; Lázaro,S.; Souza,A. G.; Santos,I. M. G. dos
Fonte: Associação Brasileira de Cerâmica Publicador: Associação Brasileira de Cerâmica
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/06/2004 PT
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37.4%
A grande maioria dos estudos fotoluminescentes foram realizados com materiais cristalinos, cuja emissão ocorre em temperaturas criogênicas, limitando a aplicação destes materiais. Por sua vez, determinados sólidos com alta densidade de defeitos (amorfos), como titanatos, tungstatos, zirconatos, entre outros, apresentam fotoluminescência à temperatura ambiente, semelhante à do silício amorfo. Essa descoberta levou à necessidade de se desenvolver novos modelos para explicar o comportamento desses materiais, mais adequados ao estudo desses materiais. Esta revisão tem como objetivo explicar os resultados de fotoluminescência, utilizando uma abordagem teórico-experimental, com base nas recentes pesquisas desta propriedade em óxidos amorfos.

Fotoluminescência no infravermelho da cerâmica galato de magnésio dopada com cromo trivalente

Sosman,L. P.; Fonseca,R. J. M. da; Tavares Jr,A. Dias; Barthem,R. B.; Abritta,T.
Fonte: Rede Latino-Americana de Materiais Publicador: Rede Latino-Americana de Materiais
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/01/2007 PT
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37.4%
Amostras policristalinas de MgGa2O4 dopadas com Cr3+ são investigadas por espectroscopia de luminescência e luminescência de excitação sob as temperaturas 4,2 K, 77 K e ambiente. Nos espectros observamos bandas de fotoluminescência nas regiões do vermelho e do infravermelho próximo, associadas às transições eletrônicas ²E(²G)-> 4A2(4F) e 4T2(4F)-> 4A2(4F) dos íons trivalentes de cromo em sítios de coordenação octaédrica. Os espectros de fotoluminescência do MgGa2O4 contendo 1% de Cr3+ apresentam picos estreitos de intensidade na região de maior energia e várias estruturas sobre uma larga e intensa banda na região de menor energia. Os picos são atribuídos à transição proibida por spin ²E(²G) -> 4A2(4F) e as bandas largas são associadas à transição 4T2(4F)-> 4A2(4F) do Cr3+ em sítios octaédricos. Nos espectros de emissão também surgem linhas estreitas na região de alta energia atribuídas à presença do composto beta-Ga2O3:Cr3+. Os espectros de excitação exibem duas bandas largas. A de menor energia é identificada com a transição 4A2 (4F) -> 4T2(4F), enquanto a banda de maior energia é associada com a transição 4A2(4F)-> 4T1(4F). A partir das posições em energia das bandas de excitação...

Fotoluminescência estacionária em carbeto de silício amorfo hidrogenado

Cristiana Schmidt de Magalhães
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 31/05/1994 PT
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Neste trabalho, através da técnica de fotoluminescência estacionária (PL), extraímos informações sobre os mecanismos de recombinação radiativa e não-radiativa no a-Si:H e nas ligas a-SiC:H, depositadas por 'glow discharge' com alta diluição (HD) de hidrogênio na mistura gasosa de metano e silana, e sem diluição de hidrogênio (ST) na mistura gasosa. Analisamos os resultados experimentais obtidos a partir da PL à 77K. Verificamos que o mecanismo responsável pelo alargamento e deslocamento dos picos de PL para menores energias em relação ao' gap' dos materiais é principalmente a desordem intrínsica dos materiais. Estudamos a fotoluminescência estacionária (PL) em função da temperatura, entre 77 e 200K, e os diversos comportamentos dos materiais. Assumimos que à baixa temperatura, 77K, as recombinações entre os estados localizados ocorrem por tunelamento e determinamos o comprimento de localização (Lo) para a função de onda do elétron nestes estados. Abordamos três maneiras possíveis de se calcular Lo a partir de resultados experimentais, onde verificamos que para os filmes de a-SiC:H mais desordenados, Lo é aproximadamente igualou menor ao valor de Lo encontrado para o a-Si:H. Isto é consistente com a interpretação de quanto mais desordenado o material...

Síntesi i estudi de les propietats de fotoluminescència de nanoestructures de sulfur de cadmi

Rosado Iglesias, Marcos; Rossinyol Casals, Emma; Pellicer Vilà, Eva M.
Fonte: Universidade Autônoma de Barcelona Publicador: Universidade Autônoma de Barcelona
Tipo: Trabalho de Conclusão de Curso Formato: application/pdf
Publicado em //2009 CAT
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S’han sintetitzat estructures de CdS a partir de sílice mesoporosa (SBA-15, SBA-16 i KIT-6) pel mètode del motlle rígid i s’han caracteritzat mitjançant TEM i XRD, i se n’han estudiat les seves propietats de fotoluminescència mitjançant CSLM. Els resultats obtinguts s’han comparat amb una mostra de CdS comercial. El CdS SBA-15 ha conservat l’estructura mesoporosa del motlle, mentre que en els altres dos casos s’ha mantingut només de manera parcial. Per a totes les mostres, la mida de partícula es troba en el rang dels 3-10 nm. Pel que fa a l’estructura, s’ha detectat fase wurtzita i zinc-blenda, en diferents percentatges entre elles. La formació de wurtzita pot ser en part responsable del col·lapse parcial de la mesostructura. El pic de màxima emissió en l’espectre de fotoluminescència es desplaça entre les diferents estructures segons la mida de partícula. L’amplada del pic varia en funció del grau de dispersió de partícula, de manera que s’observa que aquesta és inferior en les mostres sintetitzades respecte de la comercial.; CdS nanostructures have been synthesized from mesoporous silica (SBA-15, SBA-16 and KIT-6) by hard template route and characterized by TEM and XRD. Their photoluminiscence properties have been analyzed by CSLM and compared with those displayed by a commercial CdS. The SBA-15 replica fully replicated the parent template structure...