Página 1 dos resultados de 15 itens digitais encontrados em 0.000 segundos

Micromagnetic models for high-temperature magnetization dynamics

Nieves Cordones, Pablo
Fonte: Universidade Autônoma de Madrid Publicador: Universidade Autônoma de Madrid
Tipo: Tese de Doutorado
ENG
Relevância na Pesquisa
16.88%
Tesis doctoral inédita leída en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física de la Materia Condensada. Fecha de lectura: 05-05-2015; Recientemente, se han descubierto sorprendentes fenómenos en materiales magnéticos como son la dinámica magnética ultrarrápida y el efecto spin Seebeck con un gran interés tecnológico que va desde la grabación magnética a la espintrónica. Para el desarrollo de aplicaciones tecnológicas basadas en estos nuevos procesos es necesario por un lado modelos micromagnéticos que permitan reproducir en simulaciones computacionales el comportamiento magnético a gran escala de dichos procesos y por otro lado es necesario también un mayor conocimiento sobre los mecanismos microscópicos responsables de los mismos. Los modelos micromagnéticos basados en la ecuación de Landau-Lifshitz- Gilbert (LLG) son muy utilizados en la modelización de materiales magnéticos ya que en la mayoría de situaciones describen correctamente el comportamiento magnético de dichos materiales, y por tanto, estos modelos son una herramienta muy útil para el diseño de aplicaciones tecnológicas en las que se emplean materiales magnéticos. En la ecuación de LLG la magnitud de la magnetización promedio en un pequeño volumen del material (del orden de nm3) es constante. Sin embargo...

Propiedades electrónicas de nanografenos de borde zig-zag interaccionando con agregados ferromagnéticos

Alonso Lanza, Tomás
Fonte: Universidade de Cantabria Publicador: Universidade de Cantabria
Tipo: Trabalho de Conclusão de Curso
SPA
Relevância na Pesquisa
16.88%
Este trabajo se encuadra en el campo de la investigación sobre las propiedades electrónicas del grafeno, concretamente en la caracterización de la variación de sus propiedades al añadirle átomos de metales de transición mediante simulación computacional. En este caso se ha estudiado la colocación de uno, dos y cuatro átomos de cobalto sobre grafeno. La estructura de grafeno empleada es una lámina hexagonal de tres átomos de carbono en cada borde, pasivada con átomos de hidrógeno (hexagonal nano-graphene HNG). Los bordes de la lámina son de tipo zig-zag. Se hacen cálculos de optimización de geometría, en los que se varían las coordenadas de los átomos en busca de un mínimo en la energía. Para llevar a cabo el cálculo de la estructura electrónica se resuelven las ecuaciones de Kohn-Sham de la teoría del funcional de la densidad (DFT), mediante el uso del programa Amsterdam Density Functional (ADF). Se emplean la aproximación de la densidad local (LDA) y la aproximación de gradiente generalizado (GGA). Para la energía de intercambio y correlación se usan las expresiones PW92 y revPBEx. En el cálculo se emplean todos los electrones, y se usa la aproximación de “core” congelado. Se ha encontrado que la posición de mínima energía para el átomo de cobalto consiste en situarlo sobre el centro de un hexágono de átomos de carbono...

Magnetismo y propiedades electrónicas de compuestos nitruros dopados con metales de transición

Magíster en Física Aplicada; González García, Álvaro
Fonte: Maestría en Física Aplicada; Ciencias Básicas Publicador: Maestría en Física Aplicada; Ciencias Básicas
Tipo: masterThesis; acceptedVersion Formato: application/pdf
SPA
Relevância na Pesquisa
17.59%
Tesis (Magister en Física Aplicada) -- Universidad del Norte. Programa de Maestría en Física Aplicada, 2011.; En esta Tesis de Maestría se han investigado las propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas de compuestos nitruros del grupo III-V, en particular AlN y GaN, dopados con metales de transición 4d y 5d, en distintas concentraciones. Para el semiconductor nitruro de aluminio se realizó un dopaje sustitucional con átomos de plata y paladio ; mientras que para el semiconductor nitruro de galio se estudió el dopaje con impurezas de átomos de plata y platino . El estudio teórico se realizó a partir de cálculos computacionales fundamentados en la Teoría del Funcional de la Densidad y la aproximación del pseudopotencial. El objetivo fundamental de este trabajo fue determinar si los compuestos resultantes al dopar los semiconductores AlN y GaN con metales de transición 4d y 5d presentaban propiedades electrónicas y magnéticas que los hicieran aptos para aplicaciones en espintrónica, como ya se ha encontrado teórica y experimentalmente al dopar estos semiconductores del grupo III-V con otros metales de transición. Los resultados muestran que las sustituciones de aluminio en el semiconductor nitruro de aluminio y el galio en el semiconductor nitruro de galio por metal de transición 4d-Ag...

Relajación de espín en semiconductores dopados y nanoestructuras semiconductoras; Spin relaxation in doped semiconductors and semiconductor nanostructures

Intronati, Guido A.
Fonte: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires Publicador: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires
Tipo: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis; tesis doctoral; info:eu-repo/semantics/publishedVersion Formato: application/pdf
Publicado em //2013 SPA
Relevância na Pesquisa
17.59%
Actualmente, los dispositivos basados en materiales semiconductores están presentes en varias aplicaciones de comunicación y procesamiento de información. En estos dispositivos, las distintas operaciones involucradas implican el desplazamiento controlado de cargas. Para el almacenamiento de información, arreglos de múltiples capas formadas por metales magnéticos, así como materiales aislantes, son ampliamente utilizados. En este último caso, la información es registrada y recuperada al reorientar dominios magnéticos. La posibilidad de construir dispositivos que uliticen otra propiedad de las partículas, el llamado espín, da lugar al campo de la Espintrónica, a diferencia de la electrónica tradicional basada en la carga eléctrica de las partículas. Más aún, la Espintrónica con materiales semiconductores busca el desarrollo de dispositivos híbridos en los cuales las tres operaciones básicas (lógica, comunicación y almacenamiento) puedan estar integradas en un mismo material. A pesar de los grandes progresos y avances en esta dirección, son varias las preguntas y dificultades técnicas que quedan por resolver. El desafío, entre otros, es entonces entender cómo el espín se comporta e interacciona en un material sólido. El espín...

Transporte cuántico e interferencia en sistemas mesoscópicos; Quantum transport and interference in mesoscopics systems

Rizzo, Bruno
Fonte: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires Publicador: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires
Tipo: Tesis Doctoral Formato: text; pdf
Publicado em //2015 04 01 ESPAñOL
Relevância na Pesquisa
16.88%
Caracterizar y manipular los estados cuánticos es una tarea esencial para el avance de la tecnología relacionada con el desarrollo de la electrónica de pequeña escala y la computación cuántica. La generación y manipulación de estados, son la base para realizar cualquier procesamiento cuántico de la información. El objetivo general de esta tesis es el de investigar sistemas eléctricamente controlables, de interés para aplicaciones de espintrónica y computación cuántica. Con este fin, presentamos un estudio sobre las propiedades del transporte en una serie de sistemas mesoscópicos. Para ello, utilizamos el formalismo de funciones de Green fuera del equilibrio (también conocido como de Kadanoff-Baym-Schwinger-Keldysh). En una primera parte, estudiamos un anillo de Aharonov-Bohm unidimensional, como mediador de entrelazamiento de dos partículas entre reservorios de electrones libres. Allí vemos como las correlaciones de corriente entre los distintos reservorios sirven, en determinadas circunstancias, para estimar el grado de entrelazamiento orbital. En la segunda parte de esta tesis, presentamos un modelo de un aislador topológico bidimensional donde los estados de borde son helicoidales y están protegidos por la simetría de reversión temporal. Estudiamos el comportamiento de la corriente en presencia de contactos puntuales que favorezcan el paso de partículas entre distintos canales y vemos como el ruido de frecuencia cero permite estimar la presencia o ausencia de procesos de salto entre canales con distinto espín. Mostramos que...

Interacciones magnéticas en nanoestructuras de metales de transición depositadas sobre sustratos no metálicos; Magnetic interactions on transitions metal nanostructures deposited onto non-metallic substrates

Urdaníz, María Corina
Fonte: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires Publicador: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires
Tipo: Tesis Doctoral Formato: text; pdf
Publicado em //2014 03 27 INGLéS
Relevância na Pesquisa
16.88%
En este trabajo de tesis, a partir de cálculos de primeros principios, realizamos un estudio sistemático de la interacción magnética entre átomos de metales de transición 3d (Cr,Mn, Fe, y Co) al depositar cadenas de losmismos sobre unamonocapamolecular de nitruro de cobre (Cu2N) crecida sobre Cu(001). Nos propusimos reconocer el tipo de interacción magnética que subyace al magnetismo de estas cadenas y analizar, a su vez, como las propiedades magnéticas dependen del sitio de depósito de las mismas. Se comprobó que el efecto del sustrato, que es fuertemente covalente, es muy importante, obteniéndose que distintas geometrías de adsorción dan distinto estado fundamental magnético para una misma cadena y una misma distancia interatómica. Nuestros cálculos indican que en una de las geometrías, la interacción magnética más importante entre los átomos 3d es la de superintercambio. En esta configuración, el estado fundamental como función del llenado de la banda d, pasa de ser no magnético a ser ferromagnético, para finalmente ser antiferromagnético al final de la serie 3d. Posteriormente, y debido a la importancia de la interacción sp-d en la determinación de las interacciones magnéticas en estos sistemas, realizamos los cálculos reemplazando la monocapa de Cu2N por dióxido de cobre (Cu2O ). Estudiamos la dependencia de ls interacción magnética de tipo superintercambio entre los átomos de metal de transición (MT) de las cadenas...

Relajación de espín en semiconductores dopados y nanoestructuras semiconductoras; Spin relaxation in doped semiconductors and semiconductor nanostructures

Intronati, Guido A.
Fonte: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires Publicador: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires
Tipo: Tesis Doctoral Formato: text; pdf
Publicado em //2013 INGLéS
Relevância na Pesquisa
17.59%
Actualmente, los dispositivos basados en materiales semiconductores están presentes en varias aplicaciones de comunicación y procesamiento de información. En estos dispositivos, las distintas operaciones involucradas implican el desplazamiento controlado de cargas. Para el almacenamiento de información, arreglos de múltiples capas formadas por metales magnéticos, así como materiales aislantes, son ampliamente utilizados. En este último caso, la información es registrada y recuperada al reorientar dominios magnéticos. La posibilidad de construir dispositivos que uliticen otra propiedad de las partículas, el llamado espín, da lugar al campo de la Espintrónica, a diferencia de la electrónica tradicional basada en la carga eléctrica de las partículas. Más aún, la Espintrónica con materiales semiconductores busca el desarrollo de dispositivos híbridos en los cuales las tres operaciones básicas (lógica, comunicación y almacenamiento) puedan estar integradas en un mismo material. A pesar de los grandes progresos y avances en esta dirección, son varias las preguntas y dificultades técnicas que quedan por resolver. El desafío, entre otros, es entonces entender cómo el espín se comporta e interacciona en un material sólido. El espín...

Magnones y plasmones en un film geométricamente modulado

Jarufe Troncoso, Claudio Felipe
Fonte: Universidad de Chile Publicador: Universidad de Chile
Tipo: Tesis
ES
Relevância na Pesquisa
16.88%
Magíster en Ciencias, Mención Física; En este trabajo se presenta la teoría para estudiar los modos de oscilación de plasmones y magnones en un lm geométricamente modulado y se analiza la respuesta de la polarización y magnetización, respectivamente, al aplicar un campo externo paralelo al eje de simetría de la perturbación. La geometría en cuestión corresponde a un lm delgado ferromagnético para el análisis de los magnones y dieléctrico en el caso de los plasmones. El lm posee una modulación periódica de sus superficies en una cierta dirección. El estudio se realizó suponiendo que la escala relevante de la nano-estructura, en este caso el ancho del lm, es pequeña en comparación con la longitud de onda de la radiación incidente, esto corresponde al límite estático. En este caso se pueden despreciar los efectos de retardo, no existen efectos inductivos y los problemas eléctricos y magnéticos se desacoplan y por lo tanto se pueden estudiar las respuestas plasmonicas y magnonicas separadamente. Utilizando elementos de variable compleja se obtuvieron ecuaciones integrales para los potenciales electro-estáticos y magneto-estáticos en el borde de la muestra; luego, utilizando una base adecuada para la descripción del potencial en el borde las ecuaciones integrales se transforman en un problema matricial de valores y vectores propios. Los potenciales en el interior y exterior de la estructura y la respuesta a un campo externo se pueden obtener integrando adecuadamente el potencial en el borde. La ventaja al utilizar ecuaciones integrales es que se pueden resolver geometrias complejas. Se realizaron simulaciones numéricas para estudiar los modos normales en el caso plasmónico y magnónico. Los modos estudiados se propagan perpendicularmente a la perturbación de la superficie. La periodicidad de la geometría genera modos de Bloch análogos a los que se encuentran para electrones en redes cristalinas periódicas y se puede apreciar la aparición de bandas prohibidas. Para perturbaciones geométricas sinusoidales de pequeña amplitud se puede calcular analíticamente el ancho de las bandas permitiendo el diseño de dispositivos que cumplan ciertos requerimientos.

Semiconductores magnéticos diluidos: Materiales para la espintrónica

Quesada, Adrián; García, Miguel Ángel Pérez; Costa Krämer, José Luis; Fernández Navarro, José María; Martín-González, Marisol S.; Hernando, A.
Fonte: Real Sociedad Española de Física Publicador: Real Sociedad Española de Física
Tipo: Artículo Formato: 1635542 bytes; application/pdf
SPA
Relevância na Pesquisa
27.59%
Los dispositivos electrónicos modernos basan su funcionamiento en dos tipos de materiales: semiconductores y materiales magnéticos. Los semiconductores son materiales que en su estado fundamental tienen la banda de valencia (BV) completa y la banda de conducción (BC) vacía, lo que correspondería a un estado aislante o no-conductor. Sin embargo, si se promocionan algunos electrones a la BC (mediante la aplicación de un potencial eléctrico, iluminando el material con luz u otro método) aparecen portadores (electrones en la BC y huecos en la BV) que permiten que el material conduzca electricidad. Con estos semiconductores se pueden fabricar dispositivos como el transistor MOSFET, en los que se mide la resistencia eléctrica entre dos contactos óhmicos. En principio, la ausencia de portadores en el cuerpo semiconductor da un estado de alta resistencia o no-conductor, pero si se aplica un voltaje “de puerta” en el electrodo central, aparecen portadores en el semiconductor de manera que el sistema pasa a un estado baja resistencia o conductor. A estos dos estados, se les pueden asignar los valores 0 y 1, y utilizarlos para gestionar información en formato binario. Estos dispositivos pueden realizar millones de operaciones por segundo y son la base de los microprocesadores actuales. La gran limitación de los transistores es que la información es volátil: Necesitamos aplicar la tensión de manera permanente para mantener la información almacenada en el dispositivo. Cuando se apaga el sistema...

Material sólido con estructura de orbitales electrónicos cuasicompletamente polarizados, su procedimiento de obtención y su uso en electrónica y nanoelectrónica

García García, Nicolás
Fonte: Conselho Superior de Investigações Científicas Publicador: Conselho Superior de Investigações Científicas
Tipo: Patente Formato: 465225 bytes; application/pdf
SPA
Relevância na Pesquisa
16.88%
Referencia OEPM: P200201701.-- Fecha de solicitud: 19/07/2002.-- Titular: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC).; El objeto de la presente invención es un material sólido, en adelante material de la invención, caracterizado porque los electrones de la banda de conducción están cuasi completamente polarizados en el orbital seleccionado y su procedimiento de obtención. Esta invención permite construir conductores, nanocontactos y contactos a medida con una selección estricta de las propiedades de resistencia del material así constituido. Además, se describe el uso del material sólido de la invención en la elaboración, fabricación y producción de dispositivos, entre otros, de tipo conductores, uniones, nanocontactos o contactos para su aplicación en el campo de la electrónica y nanoelectrónica.; Peer reviewed

Nuevos óxidos metálicos ferromagnéticos

Rubi, Diego
Fonte: Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, Publicador: Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona,
Tipo: Tesis i dissertacions electròniques; info:eu-repo/semantics/doctoralThesis Formato: application/pdf
Publicado em //2007 SPA; SPA
Relevância na Pesquisa
17.59%
Consultable des del TDX; Desde la invención del transistor en la década del 40', los dispositivos electrónicos han basado su funcionamiento en la manipulación de la carga del electrón para almacenar o procesar información. Sin embargo, desde hace algunos años se viene realizando un intenso trabajo de investigación destinado a la implementación de una nueva generación de dispositivos, denominados de electrónica de espín o espintrónica, que además de aprovechar la carga del electrón puedan hacer uso de su grado de libertad de espín. Entre los materiales con potencial aplicación en dispositivos de espintrónica hay que mencionar: i) los materiales ferromagnéticos con una banda de conducción completamente polarizada en espín, tales como las manganitas, las dobles perovskitas, o la magnetita; y ii) los semiconductores magnéticos diluidos (DMS), obtenidos al dopar con cationes magnéticos como el Co o el Mn semiconductores standard como ZnO, SnO2, o TiO2. En esta Tesis se ha abordado el estudio de ambas familias de materiales. En primer lugar se estudiaron las propiedades estructurales, magnéticas, eléctricas y espectroscópicas de distintas series de dobles perovskitas de tipo A2FeMoO6 (A=Sr, Ca). Estos materiales presentan una temperatura de Curie por encima de temperatura ambiente (TC~400K) y poseen una banda de conducción polarizada en espín...

Structuration and integration of magnetic molecules and nanoparticles on surfaces and devices by directwrite AFM lithography

Bellido Vera, Elena
Fonte: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, Publicador: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona,
Tipo: Tesis i dissertacions electròniques; info:eu-repo/semantics/doctoralThesis Formato: application/pdf
Publicado em //2012 ENG; ENG
Relevância na Pesquisa
16.88%
La progresiva miniaturización de los materiales a la escala nanométrica ha abierto en la última década nuevas expectativas en el campo de la Ciencia de Materiales. Dichos materiales nanométricos presentan propiedades únicas, difiriendo a menudo de las propiedades del propio material a la macroescala, las cuales abren un amplio abanico de nuevas fenomenologías, y en consecuencia, de aplicaciones tecnológicas. De especial interés han sido los nanomateriales magnéticos, incluyendo las nanopartículas magnéticas o sistemas moleculares, dado que emergen como sistemas clave en el desarrollo de nuevas tecnologías de interés tales como sistemas de almacenamiento de memoria, computación cuántica o dispositivos de espintrónica. El desarrollo de aplicaciones reales en base al uso de dichos nanomateriales requiere primero la búsqueda de nuevas estrategias de estructuración que permitan organizar dichos sistemas magnéticos en superficies, a la vez que estudiar cómo es su comportamiento en la transición de la macroescala a la micro- o nanoescala. En este sentido es de interés estudiar cómo sus propiedades magnéticas pueden verse afectadas por efectos de la estructuración o de la propia superficie. En este contexto, de cara a estudiar las propiedades magnéticas de estos sistemas...

Spin-dependent transport in oxide-based tunnel junctions

Galceran Vercher, Regina; Sort Viñas, Jordi
Fonte: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, Publicador: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona,
Tipo: Tesis i dissertacions electròniques; info:eu-repo/semantics/doctoralThesis; info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Publicado em //2015 ENG
Relevância na Pesquisa
17.59%
Aquesta tesi estudia les propietats de magnetotransport en unions túnel on un dels elèctrodes és l'òxid ferromagnètic La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO). En concret, ens interessem per dos fenòmens diferents: (i) magnetoresistència (MR) en unions túnel amb un sol elèctrode magnètic i (ii) filtratge d'espí en unions túnel magnètiques. L'efecte túnel és extremadament dependent de les interfícies i una bona qualitat de les heteroestructures resulta crucial per a obtenir un bon rendiment dels dispositius. És per aquest motiu que bona part d'aquesta tesi es dedica al creixement (per polvorització catòdica) i caracterització de capes primes, a l'estudi de les interfícies de les heterostructures i a la fabricació de les unions. Pel que fa a les unions amb un únic elèctrode magnètic, ens centrem en l'estudi del transport túnel en funció de la temperatura i del camp magnètic aplicat en unions de Pt/LaAlO3/LSMO. En el nostre treball hem identificat diferents mecanismes físics que juguen un paper important en la MR d'aquest sistema: la magnetoresistència túnel anisòtropa (TAMR), de l'ordre de 4 % a baixa temperatura, i una altra contribució a la magnetoresistència, de l'ordre de 17%. A més, TAMR a baix camp magnètic s'atribueix a la rotació de dominis magnètics. En el cas d'unions amb dos elèctrodes magnètics...

Electrical properties of BaTiO3, CoFe2O4 and La1/2(Ca, Sr)1/2MnO3 thin films and their importance for active barriers in tunnel transport

Gutiérrez Yatacue, Diego Fernando; Rodríguez Viejo, Javier
Fonte: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, Publicador: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona,
Tipo: Tesis i dissertacions electròniques; info:eu-repo/semantics/doctoralThesis; info:eu-repo/semantics/publishedVersion Formato: application/pdf
Publicado em //2015 ENG
Relevância na Pesquisa
16.88%
La miniaturización ha sido el concepto relevante de la tecnología basada en silicio. No obstante, el escalamiento de su elemento pilar (el transistor de efecto de campo por apilamiento de metal/óxido/semiconductor) pronto llevará a la capa óxido de silicio a un espesor de 2 nm, donde la eficiencia de los dispositivos es afectada por el incremento de las corrientes de fuga debida al efecto túnel. Por lo tanto, la substitución del óxido de silicio parece inminente. La implementación de óxidos que presentan orden ferroico puede ser vista como una nueva ruta a seguir en el campo tecnológico. Por ejemplo, en memorias de acceso aleatorio (en inglés RAMs). Memorias ferroelectricas (RAMs), en las cuales la información es codificada a través de polarización ferroelectrica, ya están siendo usadas en dispositivos comerciales. Materiales ferroelectricos están siendo usados en investigaciones sobre celdas solares. Aislantes magnéticos han sido importantes en espintrónica. El control del magnetismo mediante campos eléctricos es otro tópico que resulta prometedor. Aquí, la corriente de fuga asociada al transporte túnel no es vista como un problema sino como una herramienta para leer información en dispositivos eléctricos o magnéticos y memorias. No obstante la física de las capas delgadas y ultradelgadas de ciertos óxidos ferroicos a un no está completamente entendida. Esta tesis está encaminada a investigar materiales con propiedades ferroicas a nanoescala. En el primer bloque...

Electronic spin transport and thermoelectric effects in graphene

Neumann, Ingmar
Fonte: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, Publicador: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona,
Tipo: Tesis i dissertacions electròniques; info:eu-repo/semantics/doctoralThesis; info:eu-repo/semantics/publishedVersion Formato: application/pdf
Publicado em //2014 ENG
Relevância na Pesquisa
16.88%
La espintrónica y la espín caloritronica en grafeno son campos de investigación muy activos, y esta tesis es una contribución a ambos campos. El tema principal es el estudio de la corriente de espín a través de métodos de inyección y detección eléctrica en válvulas de espín no locales de grafeno. Preliminarmente, estudiamos analíticamente el efecto túnel de electrones de conducción entre materiales ferromagnéticos y no magnéticos. En la parte experimental, se investiga la precesión de espín en las válvulas de espín de grafeno en suspensión. En este contexto, hemos desarrollado un nuevo método para la fabricación de dispositivos de grafeno suspendido que, además, proporciona una inyección y detección de espín más eficiente. Con el fin de investigar estas corrientes de espín más eficientes, hemos realizado medidas en función de la corriente inyectada. Estos experimentos han dado lugar a la demonstración experimental de un termopar de espín en grafeno. La predicción teórica de distancias de relajación de espín de varias decenas de micrómetros en grafeno nos ha motivado a estudiar las propiedades intrínsecas de grafeno. Para ello el grafeno es suspendido libremente, eliminando así las influencia de substrato y permitiendo a posteriori emplear métodos de limpieza. Con el fin de lograr este objetivo...