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Analysis of the current-voltage characteristics of polymer-based organic light-emitting diodes (OLEDs) deposited by spin coating; Universitas Scientiarum

Vera, Ricardo; Méndez-Pinzón, Henry Alberto; Pardo-Pardo, Diana Rocío; Cuéllar-Alvarado, Juan Pablo; Salcedo-Reyes, Juan Carlos; Páez-Sierra, Beynor Antonio
Fonte: Pontifícia Universidade Javeriana Publicador: Pontifícia Universidade Javeriana
Formato: 68-76
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26.92%
Vol. 15, No. 1; Análisis de la característica corriente-voltaje de diodos orgánicos emisores de luz (OLEDs) basados en polímeros depositados por spin coating. Se fabricaron diodos orgánicos emisores de luz (OLEDs) con la estructura ITO / PEDOT:PSS / MDMO-PPV / Metal mediante la técnica de spin coating. Es ampliamente conocido que la electroluminiscencia de estos diodos depende fuertemente del material usado como cátodo y también de los parámetros de crecimiento de la capa del polímero electroluminiscente MDMO-PPV. Objetivo. En este trabajo el efecto de i) la frecuencia del spin coater (1000-8000 rpm), ii) la concentración de la solución MDMO-PPV: Tolueno y iii) el material usado como cátodo (plata o aluminio) sobre la repuesta eléctrica de los dispositivos, fue evaluado a través de medidas de corriente-voltaje (I-V). Materiales y métodos. Películas delgadas de los materiales orgánicos PEDOT:PSS y MDMO-PPV fueron depositados por spin coating sobre sustratos de ITO, y la estructura del OLED fue terminada con cátodo de plata y aluminio. La respuesta eléctrica de los dispositivos fue evaluada a través de su característica I-V. Resultados. Los diodos fabricados con películas orgánicas más delgadas son los que suministran mayores corrientes a menores voltajes. Esto puede lograrse ya sea incrementando la frecuencia de rotación del spin coating o usando concentraciones de MDMO-PPV: Tolueno menores al 2% en peso. Un ajuste de los datos experimentales demostró que los diodos poseen contribuciones de una corriente parásita entre ánodo y cátodo...

Evaluación de un protocolo para la construcción de prototipos de LED orgánico basado en la técnica de Spin Coating

Pardo Pardo, Diana Rocío; Cuéllar Alvarado, Juan Pablo
Fonte: Pontifícia Universidade Javeriana Publicador: Pontifícia Universidade Javeriana
Formato: PDF
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En este trabajo de grado se evalúa el protocolo de construcción prototipos de OLED (organic light emitting diode) tipo bicapa, con heterostructura Semiconductor / Orgánico 1 / Orgánico 2 / Metal basados en la técnica de spin coating. El propósito es determinar la viabilidad técnica de su construcción con los recursos disponibles para el Proyecto 001860 convocatoria interna de Vicerrectoría académica Pontificia Universidad -3- Javeriana, además de evaluar su funcionamiento basado en caracterizaciones eléctricas de cada dispositivo construido. Para el desarrollo de este trabajo de grado en particular se usó la heterostructura ITO / PEDOT:PSS / MDMO-PPV / Metal Su desarrollo requirió el uso e implementación de sistemas automatizados de adquisición de datos basados en LABVIEW, debido a que la evaluación del protocolo se centra en la característica Corriente - Voltaje de los prototipos fabricados. Lo anterior permite, que a partir de una serie de pruebas experimentales, se logre establecer una combinación de los mejores parámetros de construcción (velocidad de rotación, aceleración, volumen entre otros) mediante la técnica de Spin Coating, para obtener dispositivos con característica eléctrica rectificadora. En general...

Síntesis de nuevos sistemas heteroacénicos y estudio de su propiedades como semiconductores orgánicos para su aplicación en electrónica molecular

Más Montoya, Miriam
Fonte: Universidade de Múrcia Publicador: Universidade de Múrcia
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
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36.98%
Objetivos: Dado el interés que presenta el desarrollo de nuevos materiales con aplicación práctica en el ámbito de la electrónica molecular, los objetivos que se plantean en la presente Memoria se centran en la síntesis y caracterización de nuevos semiconductores orgánicos poliheteroaromáticos y en su aplicación en distintos tipos de dispositivos optoelectrónicos. Metodología: 1.-Diseño y optimización de las rutas sintéticas que permiten la preparación regioespecífica de tres nuevos isómeros estructurales de naturaleza carbazolocarbazólica. Estos sistemas hexacíclicos condensados, derivados de la fusión de dos unidades de carbazol, son: carbazolo[3,2-b]carbazol, carbazolo[1,2-a]carbazol y carbazolo[4,3-c]carbazol. 2.-Caracterización de las propiedades ópticas y electroquímicas de los distintos isómeros, para la determinación de las energías de los niveles electrónicos entre los que acontecen los procesos de transferencia de carga, así como el análisis de las propiedades térmicas y morfológicas. 3.-Evaluación de las propiedades transportadoras de carga en transistores orgánicos de efecto campo (OFETs). 4.-Evaluación como materiales transportadores de huecos en diodos orgánicos emisores de luz (OLEDs). 5.-Evaluación como materiales transportadores de huecos en células solares orgánicas (OSCs). Resultados: 1.- La caracterización optoelectrónica de los carbazolocarbazoles...

Nuevas tecnolog??as en los dispositivos electr??nicos

G??miz P??rez, Francisco; Godoy Medina, Andr??s; Rold??n Aranda, Andr??s; Sampedro Matar??n, Carlos; Jim??nez Tejada, Juan Antonio; Rold??n Aranda, Juan Bautista; Carceller Beltr??n, Juan Enrique; Jim??nez Molinos, Francisco; Cartujo Casinello, Pedro
Fonte: Granda: Univ. de Granada. Departamento de Electr??nica y Tecnolog??a de Computadores Publicador: Granda: Univ. de Granada. Departamento de Electr??nica y Tecnolog??a de Computadores
Tipo: Livro
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37.11%
Proyecto de innovaci??n docente financiado por la Univ. de Granada en la convocatoria 2003-04 y coordinado por Francisco G??miz P??rez; ???Nuevas tecnolog??as en los dispositivos electr??nicos??? es un libro de texto cuyo principal objetivo es proporcionar los fundamentos b??sicos de los dispositivos electr??nicos m??s comunes: uniones, el transistor bipolar y los transistores de efecto campo metal-??xido-semiconductor (MOSFET), metal-semiconductor (MESFET) y de uni??n (JFET). Antes de abordar estos dispositivos hay un primer cap??tulo donde se asientan las bases de los semiconductores. Despu??s del estudio de estos dispositivos cl??sicos hay un cap??tulo dedicado a dispositivos optoelectr??nicos. La tecnolog??a de fabricaci??n de circuitos integrados tambi??n se aborda en este libro con cap??tulos dedicados al crecimiento de semiconductores, su impurificaci??n, el crecimiento controlado de otros materiales, la litograf??a y el grabado. A continuaci??n se trata de forma espec??fica la tecnolog??a de fabricaci??n de circuitos integrados y finalmente se tratan aspectos industriales de la fabricaci??n de componentes. El libro termina con cap??tulos dedicados al modelado de dispositivos electr??nicos y los procesos de fabricaci??n. El libro forma parte de los resultados de un proyecto de innovaci??n docente denominado ???Aplicaciones de las nuevas tecnolog??as a la ense??anza de los dispositivos electr??nicos???. Los contenidos de este libro tambi??n est??n disponibles en formato web en la p??gina del departamento de ???Electr??nica y tecnolog??a de computadores???: http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/; ???New Technologies in electronic devices??? is a textbook ??? intended for undergraduate courses. Our aim is to provide the basic principles of common semiconductor devices: junctions...

Estudio numérico y asintótico de ecuaciones de evolución con ligaduras integrales : inestabilidades tipo Gunn en semiconductores y flujos granulares

Hernando Oter, Pedro José
Fonte: Universidade Carlos III de Madrid Publicador: Universidade Carlos III de Madrid
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf; application/pdf
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El propósito de esta tesis, es el estudio de las ecuaciones de evolución unidimensionales, que aparecen en la teoría de las inestabilidades de diferentes sistemas físicos. Fundamentalmente, se centra en las inestabilidades producidas en diversos semiconductores como consecuencia del efecto Gunn, consistente en la generación de oscilaciones de corriente eléctrica, en un amplio espectro de frecuencias. Los tipos de sistemas analizados se han clasificado en cuatro apartados: A,- Efecto Gunn en muestras largas de germanio tipo-p ultrapuro, a bajas temperaturas. B,- Efecto Gunn fotorrefractivo, producido en n-GaAs al ser luminado con dos haces de luz coherente. C,- Efecto Gunn en n-GaAs semiaislante, con generación de grandes osciladores, sobre las cuales se pueden realizar medidas experimentales precisas. D,- flujo granular lento inducido pro la gravedad. Las principales aportaciones de esta memoria se pueden resumir, de forma general, en tres: 1,- Desarrollo de métodos numéricos optimizados, para los diferentes sistemas estudiados. 2,- Desarrollo de métodos asintóticos específicos, mediante la utilización de técnicas perturbativas, con el fin de obtener soluciones analíticas aproximadas, simples, pero precisas. 3...

Diseño automático del circuito de control del convertidor CA/CC elevador con corrección del factor de potencia

Girón González, Emilio
Fonte: Universidade Carlos III de Madrid Publicador: Universidade Carlos III de Madrid
Tipo: info:eu-repo/semantics/bachelorThesis; info:eu-repo/semantics/masterThesis Formato: application/pdf
Publicado em //2009; 2009 SPA
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26.68%
El ámbito en que se encuadra el presente Proyecto de Fin de Carrera es la corrección del factor de potencia en convertidores conmutados. La Electrónica de Potencia es una disciplina que queda a medio camino entre la Electrónica y la Electricidad. Se ocupa del control y la conversión de la potencia eléctrica mediante dispositivos semiconductores que operan como interruptores. A diferencia de la electrónica de pequeña señal no se da prioridad a la ganancia, sino al rendimiento. El avance tecnológico en el campo de los semiconductores ha permitido que la Electrónica de Potencia abarque campos muy diversos. El creciente aumento de productos electrónicos ha impulsado el desarrollo de las fuentes de alimentación. La mayor parte de estos dispositivos precisan tensiones de alimentación estables y bien reguladas para trabajar correctamente. Las primeras fuentes de alimentación eran lineales. Este tipo de fuentes se caracteriza por su gran tamaño, poca eficiencia y por disipar gran parte de la energía en forma de calor. Las progresivas necesidades de miniaturización y reducción del consumo de las fuentes dio origen a una nueva tecnología, las fuentes de alimentación conmutadas. Esta nueva tecnología se basa en la idea de transferir la energía de la entrada a la salida partiendo de la tensión de entrada...

Diseño y caracterización de sistemas optoelectrónicos de comunicaciones basados en fibra óptica

García Rodríguez, Alfonso
Fonte: Universidade Carlos III de Madrid Publicador: Universidade Carlos III de Madrid
Tipo: info:eu-repo/semantics/bachelorThesis; info:eu-repo/semantics/masterThesis Formato: application/pdf
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26.63%
En este trabajo se presenta un estudio de todos los componentes que forman una red óptica de transmisión de datos y de los factores que limitan su comportamiento y capacidad de trasnsmisión. El proyecto se divide en dos partes: una teórica y otra experimental. En la parte teórica se estudia la bra óptica, los dispositivos optoelectrónicos, los sistemas optoelectrónicos, los transmisores y los receptores de datos. En la parte experimental se caracterizan diversos dispositivos optoelectrónicos y se proponen diseños (basados en componentes electrónicos convencionales) de los módulos encargados de transmitir y recibir datos. Este documento se divide en 6 capítulos: Capítulo 1, Introducción Introducción y objetivos de este proyecto. Capítulo 2, Dispositivos optoelectrónicos Introducción a los dispositivos optoelectr ónicos. Características de los dispositivos semiconductores que funcionan como fuentes ópticas (láser y LED) y características de los dispositivos que sirven como fotodetectores (fotodiodos PIN y APD) Capítulo 3, Sistemas de comunicación y bra óptica Exposición general de los principales componentes de un sistema de comunicaciones y descripción de los diferentes bloques que forman la transmisión...

Métodos espectrales aplicados a problemas de transporte de carga en dispositivos semiconductores

Arrocha Rodríguez, Idulfo Humberto
Fonte: Universidade Carlos III de Madrid Publicador: Universidade Carlos III de Madrid
Tipo: Tese de Doutorado
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66.98%
El objetivo de esta tesis doctoral es proponer métodos numéricos eficientes para la resolución de modelos que describen la dinámica de los portadores en dos tipo de dispositivos semiconductores: una estructura de múltiples pozos cuánticos (MQW) y un transistor de efecto de campo (MESFET). Para estudiar los procesos dinámicos en un dispositivo de MQW, consideramos un modelo hidrodinámico bidimensional propuesto por Sherman, Abrarov y Sipe [1], el cual describe la dinámica de las cargas producida mediante inyección óptica. Dicho modelo está descrito por un sistema de ecuaciones diferenciales en derivadas parciales hiperbólicas acopladas y fuertemente no lineales. Para resolver numéricamente este modelo, usamos métodos espectrales, los cuales han demostrado una alta eficacia en la resolución de este tipo de ecuaciones diferenciales que involucran fenómenos ondulatorios. El esquema numérico que hemos desarrollado es estable, robusto y permite calcular soluciones para tiempos largos. De hecho, la solución del modelo hidrodinámico bidimensional nos permite observar que la dinámica de las cargas tiene un comportamiento predominantemente unidimensional. Este hecho nos ha motivado a formular una versión unidimensional del modelo...

Estudio numérico y asintótico de modelos discretos en física de semiconductores

Dell'Acqua, Guido
Fonte: Universidade Carlos III de Madrid Publicador: Universidade Carlos III de Madrid
Tipo: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis; info:eu-repo/semantics/doctoralThesis Formato: application/pdf
SPA; SPA
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Esta tesis presenta el estudio y el desarrollo de modelos de transporte de carga eléctrica en superredes semiconductoras. Las superredes semiconductoras son sistemas fuertemente no lineales cuasi-unidimensionales, formados por una sucesión de barreras y pozos de potencial, y cuya riqueza radica en la gran variedad de patrones y comportamientos distintos que se encuentran variando los parámetros físicos involucrados. Después una breve introducción en la que se presentan las características principales del transporte electrónico en estos sistemas, el contenido de la tesis se centra en el caso particular de las superredes débilmente acopladas. El comportamiento de dispositivos basados en estas superredes lo describe un modelo, propuesto por Luis L. Bonilla en 1994, en el que el mecanismo de túnel resonante secuencial es el principal responsable del transporte de carga. El modelo consiste en un sistema de ecuaciones diferenciales no lineales acopladas, cuyo número viene determinado por el número de periodos de la superred, y que representan la continuidad de carga y la ecuación de Poisson en cada pozo de la superred. En este modelo, toda la información cuántica está recogida en la función de densidad de corriente túnel a través de la barrera que separa dos pozos cuánticos. Tras la descripción del modelo...

Caracterización de dispositivos electrónicos basados en materiales avanzados sobre silicio cristalino

Fonte: Universidad Autónoma de Occidente; Ingeniería Electrónica Publicador: Universidad Autónoma de Occidente; Ingeniería Electrónica
Tipo: Bachelor Thesis; Proyecto de Grado Formato: PDF
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36.87%
Mientras las tecnologías avanzan cada día más rápido, los materiales semiconductores tienen que cumplir con requisitos cada vez más estrictos en búsqueda del mejoramiento del rendimiento de los dispositivos semiconductores, esto ha forzado a los fabricantes a obtener nuevas tecnologías y con ello mejores características lo cual ha requerido una evaluación previa del desempeño de dichos dispositivos mediante pruebas experimentales y simulaciones. Por este motivo es necesario realizar investigaciones sobre materiales más avanzados, las dimensiones de los dispositivos y las propiedades eléctricas que permitan determinar los parámetros de funcionamiento de estos. Esto nos ha llevado a lanzar una búsqueda sobre posibles materiales que nos permitan trabajar en diferentes regiones del rango espectral, como lo es el silicio poroso (de aquí en adelante abreviado “SP”) que posee emisiones en el infrarrojo. Con estas propiedades naturales del material, establecemos como parámetro importante la dimensión de las capas de los materiales con el fin de buscar confinamientos cuánticos que permitan determinar las longitudes de onda en la que trabajan los dispositivos optoelectrónicos

Simulador didáctico para dispositivos semiconductores de potencia

Fonte: Universidad Autónoma de Occidente; Ingeniería Eléctrica Publicador: Universidad Autónoma de Occidente; Ingeniería Eléctrica
Tipo: Bachelor Thesis; Trabajo de Grado Formato: PDF
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Análisis y diseño de un puente inversor trifásico VSI controlado mediante SVM utilizando un microcontrolador

Aguirre Díaz, Jonathan Alejandro; Chiquito Manso, Cesar Augusto
Fonte: Universidad Tecnológica de Pereira; Facultad de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y Ciencias de la Computación Publicador: Universidad Tecnológica de Pereira; Facultad de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y Ciencias de la Computación
Tipo: Tese de Doutorado Formato: PDF
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26.55%
La electrónica de potencia como una rama de la ingeniera eléctrica toma gran importancia para los sistemas eléctricos; se enfoca a diario en el estudio de dispositivos y/o elementos de mayor eficiencia. Son muchos los factores que demandan y exigen dispositivos eficientes, y estos factores están permeados en parte a las problemáticas de hoy día como: uso racional de recursos, protección del medio ambiente y bajo costo en equipos. Por lo tanto, dispositivos como los convertidores son tema de continuo análisis en todo el mundo. Como bien se sabe, los inversores son ampliamente utilizados en un margen de aplicaciones en los sistemas eléctricos, algunas como compensación, mejoramiento y calidad de la energía. Uno de los aspectos más estudiado del inversor está en su forma de control. Con los avances en la tecnología de los dispositivos semiconductores como los IGBT con conmutaciones más rápidas, se ha abierto una amplia gama de posibilidades a explorar.

Efecto túnel en semiconductores sometidos a campos eléctricos intensos

Julio Mass Varela; Universidad del Norte
Fonte: Universidad del Norte Publicador: Universidad del Norte
Tipo: article; publishedVersion Formato: application/pdf
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El efecto túnel o filtración cuántica en diversos materiales se mide utilizando cantidades probabilísticas asignadas a un coeficiente de transmisión y a un coeficiente de reflexión de la partícula cargada para atravesar o reflejarse en una barrera de potencial de energía mayor. El método de aproximación W.KB. (Wentzel, Kramers y Brilloin) es útil para calcular estos coeficientes y nos permite determinar expresiones para diferentes perfiles de potencial, tales como las barreras rectangulares, triangulares y trapezoidales. El efecto túnel es un fenómeno muy importante en los dispositivos semiconductores porque ayuda a entender y determinar propiedades eléctricas en estos materiales. La respuesta del comportamiento de un semiconductor P-N a campos eléctricos intensos produce el fenómeno de ruptura Zener, que es una filtración cuántica de banda a banda. Se analiza el comportamiento para diferentes campos a tres materiales semiconductores: InAs, GaAs y AlAs.

Relajación de espín en semiconductores dopados y nanoestructuras semiconductoras; Spin relaxation in doped semiconductors and semiconductor nanostructures

Intronati, Guido A.
Fonte: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires Publicador: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires
Tipo: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis; tesis doctoral; info:eu-repo/semantics/publishedVersion Formato: application/pdf
Publicado em //2013 SPA
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Actualmente, los dispositivos basados en materiales semiconductores están presentes en varias aplicaciones de comunicación y procesamiento de información. En estos dispositivos, las distintas operaciones involucradas implican el desplazamiento controlado de cargas. Para el almacenamiento de información, arreglos de múltiples capas formadas por metales magnéticos, así como materiales aislantes, son ampliamente utilizados. En este último caso, la información es registrada y recuperada al reorientar dominios magnéticos. La posibilidad de construir dispositivos que uliticen otra propiedad de las partículas, el llamado espín, da lugar al campo de la Espintrónica, a diferencia de la electrónica tradicional basada en la carga eléctrica de las partículas. Más aún, la Espintrónica con materiales semiconductores busca el desarrollo de dispositivos híbridos en los cuales las tres operaciones básicas (lógica, comunicación y almacenamiento) puedan estar integradas en un mismo material. A pesar de los grandes progresos y avances en esta dirección, son varias las preguntas y dificultades técnicas que quedan por resolver. El desafío, entre otros, es entonces entender cómo el espín se comporta e interacciona en un material sólido. El espín...

Relajación de espín en semiconductores dopados y nanoestructuras semiconductoras; Spin relaxation in doped semiconductors and semiconductor nanostructures

Intronati, Guido A.
Fonte: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires Publicador: Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires
Tipo: Tesis Doctoral Formato: text; pdf
Publicado em //2013 INGLéS
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37.07%
Actualmente, los dispositivos basados en materiales semiconductores están presentes en varias aplicaciones de comunicación y procesamiento de información. En estos dispositivos, las distintas operaciones involucradas implican el desplazamiento controlado de cargas. Para el almacenamiento de información, arreglos de múltiples capas formadas por metales magnéticos, así como materiales aislantes, son ampliamente utilizados. En este último caso, la información es registrada y recuperada al reorientar dominios magnéticos. La posibilidad de construir dispositivos que uliticen otra propiedad de las partículas, el llamado espín, da lugar al campo de la Espintrónica, a diferencia de la electrónica tradicional basada en la carga eléctrica de las partículas. Más aún, la Espintrónica con materiales semiconductores busca el desarrollo de dispositivos híbridos en los cuales las tres operaciones básicas (lógica, comunicación y almacenamiento) puedan estar integradas en un mismo material. A pesar de los grandes progresos y avances en esta dirección, son varias las preguntas y dificultades técnicas que quedan por resolver. El desafío, entre otros, es entonces entender cómo el espín se comporta e interacciona en un material sólido. El espín...

Modelamiento hidrodinámico de flujo de transportadores en celdas fotovoltaicas basadas en semiconductores

Osses Marquez, Juan Ignacio
Fonte: Universidad de Chile Publicador: Universidad de Chile
Tipo: Tesis
ES
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37.08%
Magíster en Ciencias, Mención Mecánica; Hoy en día existe una necesidad creciente por mejorar las aplicaciones de la energía solar, en particular a través del uso de dispositivos a base de semiconductores. La base de la tecnología usada en las celdas fotovoltaicas es el dispositivo llamado junta PN. Por ende, una mejor comprensión y caracterización de los procesos físicos involucrados en dicho dispositivo ayudará a encauzar de mejor manera los esfuerzos para mejorar las prestaciones de las celdas fotovoltaicas. En los materiales a base de semiconductores los transportadores de carga eléctrica son los electrones en la banda de conducción y también los electrones de la banda de valencia. Cuando electrones dejan la banda de valencia (subiendo energéticamente a la banda de conducción) estados desocupados (hoyos) quedan en dicha banda. Desde el punto de vista de la modelación es más fácil describir el movimiento de hoyos que el de electrones en la banda de valencia. En esta tesis se estudió el flujo de transportadores de carga en una junta PN a través de un modelo hidrodinámico [2, 7, 16, 17, 30]. El cual incluyó la ecuación de Poisson, y leyes de conservación de masa y momentum para electrones y hoyos. Usualmente en el diseño de dispositivos a base de semiconductores se utiliza el modelo Drift-Diffusion (DD). Dicho modelo aplicado a la junta PN asume: (i) una zona vacía de transportadores cerca de la junta...

Semiconductores magnéticos diluidos: Materiales para la espintrónica

Quesada, Adrián; García, Miguel Ángel Pérez; Costa Krämer, José Luis; Fernández Navarro, José María; Martín-González, Marisol S.; Hernando, A.
Fonte: Real Sociedad Española de Física Publicador: Real Sociedad Española de Física
Tipo: Artículo Formato: 1635542 bytes; application/pdf
SPA
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Los dispositivos electrónicos modernos basan su funcionamiento en dos tipos de materiales: semiconductores y materiales magnéticos. Los semiconductores son materiales que en su estado fundamental tienen la banda de valencia (BV) completa y la banda de conducción (BC) vacía, lo que correspondería a un estado aislante o no-conductor. Sin embargo, si se promocionan algunos electrones a la BC (mediante la aplicación de un potencial eléctrico, iluminando el material con luz u otro método) aparecen portadores (electrones en la BC y huecos en la BV) que permiten que el material conduzca electricidad. Con estos semiconductores se pueden fabricar dispositivos como el transistor MOSFET, en los que se mide la resistencia eléctrica entre dos contactos óhmicos. En principio, la ausencia de portadores en el cuerpo semiconductor da un estado de alta resistencia o no-conductor, pero si se aplica un voltaje “de puerta” en el electrodo central, aparecen portadores en el semiconductor de manera que el sistema pasa a un estado baja resistencia o conductor. A estos dos estados, se les pueden asignar los valores 0 y 1, y utilizarlos para gestionar información en formato binario. Estos dispositivos pueden realizar millones de operaciones por segundo y son la base de los microprocesadores actuales. La gran limitación de los transistores es que la información es volátil: Necesitamos aplicar la tensión de manera permanente para mantener la información almacenada en el dispositivo. Cuando se apaga el sistema...

Crecimiento selectivo de InAs sobre substratos grabados de GaAs(001) mediante litografía de oxidación local por AFM

Martín-Sánchez, Javier
Fonte: Conselho Superior de Investigações Científicas Publicador: Conselho Superior de Investigações Científicas
Tipo: Tesis Formato: 14834629 bytes; application/pdf
SPA
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Tesis leída el 29 de mayo de 2009 en el Departamento de Física de la Materia Condensada de la Universidad Autónoma de Madrid.; Los puntos cuánticos (QDs) de material semiconductor presentan una distribución en su densidad de niveles de energía accesibles tipo delta de Dirac, de modo similar al espectro de niveles energéticos discretos que presenta un átomo, por lo que también se les conoce con la denominación de átomos artificiales. Esta peculiar característica junto con el desarrollo de avanzadas técnicas de fabricación, han permitido la mejora de dispositivos opto-electrónicos, así como el desarrollo de nuevos dispositivos, mediante la inserción en su zona activa bien de capas con QDs, o bien de QDs aislados. Entre los dispositivos basados en QDs aislados, se encuentran los dispositivos emisores de fotones individuales, los cuales están englobados fundamentalmente dentro del campo de la óptica cuántica, y tienen aplicaciones en criptografía cuántica o para el procesamiento de información cuántica. Para integrar de una manera eficiente estas nanoestructuras de punto cuántico en dispositivos emisores de fotones individuales reales es esencial controlar tanto el tamaño (longitud de onda de emisión) como la posición de los QDs. En este trabajo de tesis se presenta una aproximación tecnológica mediante la cual pueden obtenerse QDs de InAs sobre substratos grabados de GaAs(001) con control en los lugares de formación de dichos QDs...

On thermal transport by phonons in bulk and nanostructured semiconductor materials

de Tomás Andrés, Carla
Fonte: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, Publicador: [Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona,
Tipo: Tesis i dissertacions electròniques; info:eu-repo/semantics/doctoralThesis; info:eu-repo/semantics/publishedVersion Formato: application/pdf
Publicado em //2015 ENG
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26.92%
La presente tesis doctoral versa sobre el transporte de calor llevado a cabo por los fonones en sólidos cristalinos semiconductores. La motivación de este trabajo es doble. En primer lugar, se pretende contribuir a entender mejor cómo funciona el transporte de calor a distintas escalas de tamaño: desde semiconductores con tamaño bulk (del orden de milímetros o mayores) hasta semiconductores nano-estructurados, como por ejemplo nanocables o láminas finas, cuyos tamaños característicos están en la escala nanométrica. La intención es describir dicho transporte de calor en estas escalas en un amplio rango de temperaturas, prestando especial atención a las colisiones entre fonones, pues son la causa intrínseca de la propagación del calor en los sólidos cristalinos semiconductores. En segundo lugar, se pretende mejorar la capacidad de predicción a la hora de describir el comportamiento de la conductividad térmica de los semiconductores más comunes por su implicación en procesos termoeléctricos, como son el silicio, el diamante, el germanio y el bismuto de telurio. Para lograr alcanzar estos objetivos, es necesario formular un nuevo modelo que nos permita superar las dificultades asociadas a los modelos ya existentes...

Física de semiconductores en la enseñanza básica de la electrónica: primeros pasos de un proceso de transposición didáctica

García-Carmona, Antoni; Criado, Ana M.
Fonte: Universidade Autônoma de Barcelona Publicador: Universidade Autônoma de Barcelona
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: application/pdf
Publicado em //1989 SPA
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36.66%
El artículo plantea, como innovación didáctica, la introducción de nociones de física de semiconductores (FS) en Educación Secundaria Obligatoria (ESO). Se pretende así que los alumnos de la etapa adquieran un conocimiento básico del fundamento físico de los dispositivos electrónicos. Bajo la hipótesis general de que es posible integrar nociones de FS en clases de física y química de la ESO (14-16 años), se establecen una serie de hipótesis específicas, que guían dicha integración. Éstas implican la necesidad de conocer las ideas y obstáculos de aprendizaje más frecuentes de alumnos de la etapa, en relación con el tópico, a fin de identificar la demanda de aprendizaje. A continuación, se propone una transposición didáctica del tópico para el nivel de ESO, en la que se establecen: los contenidos del actual currículo, que sirven de «puente» entre lo que el alumno ya sabe con lo que va a aprender; y el tratamiento didáctico de los contenidos propuestos, junto con los objetivos de aprendizaje.; This article proposes, as an educational innovation, the introduction of notions of semiconductor physics in the Compulsory Secondary Education, so that students at this stage may acquire a basic knowledge of the physical foundations of electronics. Under the general hypothesis that it is possible to integrate some of these basic notions on the topic into the physics and chemistry class...