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Características da superfície dentinária e do esfregaço formado por instrumentos abrasivos diamantados: rotatório convencional, CVD rotatório e CVD por ultra-som. Estudo in vitro; Characteristics of the dentinária surface and Smear Layer formed by diamantados abrasive instruments: rotatory conventional, rotatory CVD and CVD for ultrasound. Study in vitro

Macedo, Manoel Roberto de Paula
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 08/06/2005 PT
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37.28%
Recentemente surgiram os instrumentos abrasivos diamantados obtidos pela técnica Chemical Vapor Deposition (CVD) utilizados em ultra -som como uma nova possibilidade na técnica do preparo de cavidade. Tradicionalmente, os preparos cavitários são realizados com instrumentos abrasivos diamantados rotatórios convencionais (IADR) formando uma espessa camada de esfregaço. Com o desenvolvimento dos sistemas adesivos, tornou-se muito importante saber a qualidade e a espessura da camada de esfregaço e a topografia dentinária produzida. Com esse objetivo, foram avaliadas in vitro as características da superfície desgastada e a camada de esfregaço produzida em dentina após serem instrumentadas. Foram preparados 24 corpos de prova (cps) e divididos em 4 grupos (grupo 1 – cps preparados com IADR, grupo 2 – cps preparados com CVD rotatório, grupo 3 - cps preparado com CVD Tangencial por ultra-som e grupo 4 - cps preparados com CVD Impacto por ultra-som). Após os desgastes dentinários descritos, os corpos de prova foram desidratados e devidamente preparados para a observação em MEV. Em análise qualitativa as fotomicrografias realizadas no MEV demonstraram significantes diferenças. Os corpos de prova instrumentados com o sistema rotatório (IADR e CVD rotatório) apresentaram ranhuras com traçado retilíneo e paralelo...

Incorporação de boro em diamante CVD através de diferentes substratos

Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
POR
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36.86%
Este trabalho apresenta um estudo sobre a inserção de boro em filmes de diamante crescidos via deposição química a vapor (CVD) e propõe-se a conceber uma rota alternativa de incorporação de boro por fonte sólida, em alta concentração, a partir do substrato de deposição. Num primeiro grupo de experimentos estudou-se o comportamento dos filmes depositados em zircônia parcialmente estabilizada, traçando procedimentos específicos de pré-tratamento dos substratos. Num segundo grupo de experimentos objetivou-se estudar a incorporação de boro em filmes crescidos em substratos de grafite e substratos compostos de grafite/boro amorfo e grafite/boro cristalino. Num terceiro grupo de experimentos foi testada a deposição dos filmes em substratos de boro amorfo. Foram utilizadas diferentes técnicas de análise, sendo que aqueles filmes crescidos sobre zircônia, além de auto-sustentados, apresentaram boa cristalinidade e alta incorporação de boro. Ainda pôde ser observado nesses filmes: texturização, defeitos cristalinos e segregação de ordem nanométrica. Os filmes oriundos do segundo grupo de análise cresceram fortemente aderidos e nos permitiram caracterizar a região de interface filme-substrato a partir de um ataque químico realizado nos mesmos. Foi identificada uma concentração ótima de boro a ser misturada à grafite no substrato para obter filmes altamente dopados. É indiferente utilizar boro amorfo ou cristalino no processo...

Caracterização do diamante CVD depositado sob atmosfera com adição de baixa concentração de N2

Bueno, Jomar Esteves
Fonte: Universidade Estadual Paulista (UNESP) Publicador: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: 83 f. : il.
POR
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES); Pós-graduação em Engenharia Mecânica - FEG; Sendo um importante e emergente ramo dentro da área dos novos materiais, a deposição de filmes de diamante CVD tem despertado cada vez mais interesse na comunidade científica internacional. O propósito principal dessa dissertação é contribuir com os trabalhos de pesquisa sobre deposição de filmes de diamante CVD, assistidos por filamento quente. O desenvolvimento dos experimentos ocorreu utilizando-se amostras com substratos de Si, sobre as quais foram depositados diamante CVD, com adição de baixa concentração de N2 à mistura gasosa precursora. Optou-se pela baixa concentração, sendo esta uma condição desafiadora, com poucas informações disponíveis. As amostras resultantes dos experimentos foram caracterizadas através do MEV, DRX e EDX revelando, respectivamente uma morfologia com mesmo tamanho e formato dos cristais, confirmando ainda a presença de filme de diamante CVD, cujos cristais apresentaram dimensões uniformes e o filme formado teve cobertura de toda amostra. Assim verificou-se que com a adição de 0,75% em volume de N2 houve a deposição de diamante CVD de alta pureza cristalina...

Estudo das características física do filme diamante CVD para utilização em coletores solares

Dornelas, Leonardo Nunes
Fonte: Universidade Estadual Paulista (UNESP) Publicador: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: 89 f. : il., gráfs., tabs.
POR
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES); Pós-graduação em Engenharia Mecânica - FEG; Visando o conforto e a economia, a ciência, hoje, desenvolve tecnologias capazes de preservar o meio ambiente, diminuindo a perda de energia no processo e na utilização dessas novas técnicas, de forma a garantir um manuseio ecologicamente correto, sem deixar de atender as necessidades do homem. Uma técnica alternativa é o aproveitamento da energia proveniente do sol, que ainda é pouco explorada, podendo ser mais utilizada em coletores solares através do uso de novos materiais. Para isso, o objetivo deste trabalho é comparar o rendimento térmico e o coeficiente global de transferência de calor de materiais como cobre, alumínio e do filme de diamante CVD sobre o silício, pois essas grandezas são essenciais para a caracterização de um bom trocador de calor. Mediante pesquisa experimental foi possível observar que o filme de diamante CVD sobre o silício, mesmo com uma camada muito fina de deposição de filme, mostrou-se mais eficiente no processo de transmissão de calor quando comparado com o cobre e o alumínio; To ensure the comfort and economy, science now develops technologies to preserve the environment by reducing energy loss process and the use of these new techniques...

Obtenção e caracterização de filmes finos de oxido, nitreto e oxinitreto de silicio por deposição ECR-CVD; Synthesis and characterization of oxide nitride and silicon oxynitride thin films by ECR-CVD

Cleber Biasotto
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 25/04/2005 PT
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37.02%
Neste trabalho, filmes finos de nitreto (SixNy), oxido (SiOx) e oxinitreto (SiOxNy) de silicio sobre substrato de silicio, obtidos através da deposição química a partir da fase vapor auxiliada por plasma remoto (RPCVD), foram caracterizados e estudados para aplicações em micromáquinas (micromachining) ou sistemas micro-eletro-mecanico (MEMS). Os filmes de nitreto de silicio (SixNy) foram obtidos para aplicação em estruturas suspensas (pontes e membranas) e como mascara de proteção de dispositivos MOS para remoção do substrato, utilizando os processos de corrosão úmida do substrato de silicio pelas faces superior (front-side bulk micromachining) e inferior (back-side bulk micromachining), respectivamente. Os filmes de oxido de silicio (SiOx) foram aplicados como camada sacrificial em processos de obtenção de estruturas suspensas empregando a técnica de remoção de camadas sacrificiais na superfície (surface micromachining). Os filmes de oxinitreto de silicio (SiOxNy) foram obtidos como filmes alternativos para aplicação em estruturas suspensas (pontes e membranas), utilizando os processos de corrosão úmida do substrato de silicio pela face superior (front-side bulk micromachining). A fabricação destas estruturas e primordial para o desenvolvimento de micro-sensores e micro-atuadores. Neste trabalho foram revisadas as técnicas de processamento CVD (Chemical Vapor Deposition)...

Revestimentos de diamante CVD em Si3N4: Atrito e desgaste no deslizamento de pares próprios sem lubrificação

Abreu, C. S.; Oliveira, F. J.; Belmonte, M.; Fernandes, A. J. S.; Silva, R. F.; Gomes, J. R.
Fonte: Universidade do Minho Publicador: Universidade do Minho
Tipo: Conferência ou Objeto de Conferência
Publicado em /06/2005 POR
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36.95%
O diamante natural, dada a sua extrema dureza, apresenta elevada resistência ao desgaste. No entanto, além do seu elevado custo, caracteriza-se por uma forte anisotropia no comportamento tribológico. Estas limitações são ultrapassadas pela utilização de revestimentos de diamante obtidos por deposição química em fase vapor (CVD), que pela sua natureza policristalina combinada com a retenção das propriedades de excepção do diamante, proporcionam superfícies com elevado desempenho tribológico. Os revestimentos de diamante CVD podem ser depositados sobre substratos de natureza diversa. Porém, de modo a garantir elevados níveis de adesão, os cerâmicos à base de nitreto de silício (Si3N4) são substratos particularmente atractivos dado possuírem natureza carburígena e um coeficiente de expansão térmica próximo do do diamante. Deste modo, a nucleação do diamante é potenciada e as tensões de origem térmica na interface substancialmente reduzidas. Neste trabalho foram produzidas por sinterização amostras densas de Si3N4, as quais foram posteriormente revestidas a diamante obtido por deposição química a partir da fase gasosa activada por plasma de micro-ondas (MPCVD). Os testes tribológicos foram realizados na configuração esfera-placa...

Grain size effect on self-mated CVD diamond dry tribosystems

Abreu, C. S.; Oliveira, F. J.; Belmonte, M.; Fernandes, A. J. S.; Silva, R. F.; Gomes, J. R.
Fonte: Elsevier Publicador: Elsevier
Tipo: Artigo de Revista Científica
Publicado em //2005 ENG
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36.86%
Chemical vapour deposited (CVD) diamond coatings are important for tribological applications due to their unique combination of properties. Previous work demonstrated that silicon nitride (Si3N4) excels as a substrate for diamond coatings due to its low thermal expansion coefficient mismatch relative to diamond films resulting in a significant adhesion improvement. In this study, dense Si3N4 substrates were fabricated by pressureless sintering and diamond coated by microwave plasma chemical vapour deposition (MPCVD). The deposition time varied between 1 and 10 hours in order to investigate the effect of the diamond grain size and film thickness on the tribological behaviour of self-mated CVD diamond coatings on Si3N4. Reciprocating dry sliding ball-on-flat wear tests were performed in air up to 16 hours, at room temperature, with normal applied load ranging from 10 N to 105 N. The stroke and frequency of the sliding motion were kept constant with values of 6 mm and 1 Hz, respectively. Several characterisation techniques (SEM, AFM, micro-Raman) were used to identify the prevailing surface damage mechanisms. After a very short running-in regime, with high friction coefficients, a steady-state regime is reached, characterized by extremely low friction values (f~0.03). A mild wear mode was achieved for the longer runs...

Influence of low energy argon plasma treatment on the moisture barrier performance of hot wire-CVD grown SiNx multilayers

Majee, Subimal; Cerqueira, M. F.; Tondelier, Denis; Geffroy, Bernard; Bonnassieux, Yvan; Alpuim, P.; Bourée, Jean Eric
Fonte: IOP Science Publicador: IOP Science
Tipo: Artigo de Revista Científica
Publicado em //2014 ENG
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36.86%
The reliability and stability are key issues for the commercial utilization of organic photovoltaic devices based on flexible polymer substrates. To increase the shelf-lifetime of these devices, transparent moisture barriers of silicon nitride (SiNx) films are deposited at low temperature by hot wire CVD (HW-CVD) process. Instead of the conventional route based on organic/inorganic hybrid structures, this work defines a new route consisting in depositing multilayer stacks of SiNx thin films, each single layer being treated by argon plasma. The plasma treatment allows creating smoother surface and surface atom rearrangement. We define a critical thickness of the single layer film and focus our attention on the effect of increasing the number of SiNx single-layers on the barrier properties. A water vapor transmission rate (WVTR) of 2 x 10-4 g/(m2 day) is reported for SiNx multilayer stack and a physical interpretation of the plasma treatment effect is given.; PICS (French–Portuguese No. 5336) project; Direction des Relations Extérieures, Ecole Polytechnique

Taxa de crescimento de filmes de diamante CVD em superfícies de molibdênio

Fujiy,Oswaldo Kazushi; Trava-Airoldi,Vladimir Jesus; Corat,Evaldo José; Ferreira,Marcelo Juni; Amorim,Amaurí; Moro,João Roberto
Fonte: Escola de Minas Publicador: Escola de Minas
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/06/2007 PT
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36.95%
O preparo dos substratos, para o crescimento de filmes de diamante CVD, é de fundamental importância por diversos fatores. Um novo método de preparação dos substratos de molibdênio, o jateamento por óxido de alumínio, é apresentado e comparado com os métodos tradicionais de preparo. As amostras de diamante CVD obtidas foram analisadas por espectroscopia de espalhamento RAMAN e por microscopia eletrônica de varredura (MEV). Obtiveram-se filmes de diamante CVD de boa qualidade e uniformidade e o novo processo proposto de tratamento do substrato de molibdênio permitiu maior taxa de crescimento que os métodos tradicionais.

Studies of molybdenum surface modification for growth of adherent CVD diamond film

Trava-Airoldi,Vladimir Jesus; Corat,Evaldo José; Santos,Lúcia Vieira; Moro,João Roberto; Leite,Nélia Ferreira
Fonte: ABM, ABC, ABPol Publicador: ABM, ABC, ABPol
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/06/2003 EN
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36.95%
Surfaces with very poor mechanical and frictional properties can be improved, or even, acquire new properties similar to diamond if good adherent CVD diamond film is obtained on it. In this work, nitrogen ions were sub-implanted on pure molybdenum as a means to enhance CVD diamond film adherence. Deposition time from 2 up to 60 h were used for deposition of 10 to 400 µm thick CVD diamond films with very good adherence on sub-implanted molybdenum substrate. Characterizations were carried out by XPS, X-ray diffraction and nano indentation on prepared surfaces prior to diamond growth and after the onset nucleation. The ionic sub-implantation with nitrogen possibly assists in adhesion, with the creation of a thin layer of nitrates and complexes.

Filmes de diamante CVD em grandes áreas obtidos por crescimentos sucessivos em etapas

Alves,A.R.; Amorim,A.; Eichenberger Neto,J.; Trava-Airoldi,V.J.; Corat,E.J.; Moro,J.R.
Fonte: Rede Latino-Americana de Materiais Publicador: Rede Latino-Americana de Materiais
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/09/2008 PT
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37.02%
Buscou-se a redução da tensão intrínseca causada pelas impurezas que se agregam no processo de crescimento de um filme de diamante obtido por deposição química a partir da fase vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em um reator de filamento quente (HFCVD), sobre um substrato de silício <100> de 250 µm de espessura em uma superfície de deposição de grande área (45 cm²), através da imersão da amostra, em uma solução saturada de H2SO4 e CrO3 e, em seguida, em uma solução 1:1 de H2O2:NH4OH. Após esse procedimento, nova etapa de crescimento era realizada. O filme de diamante CVD foi identificado e caracterizado por espectroscopia de espalhamento Raman (RSS, do inglês Raman Scattering Spectroscopy) e microscopia eletrônica de varredura (SEM, do inglês Scanning Electron Microscopy). A aplicação dessa técnica mostrou bons resultados, uma vez que, em relação a resultados obtidos anteriormente, se duplicou a espessura do filme de diamante CVD depositado, obtendo menor tensão residual sobre o filme de diamante. Foram obtidos filmes de diamante CVD de espessura de 60 mm, com alta qualidade e uniformidade.

Ultrathin CVD Cu Seed Layer Formation Using Copper Oxynitride Deposition and Room Temperature Remote Hydrogen Plasma Reduction

Kim, Hoon; Bhandari, Harish B; Xu, Sheng; Gordon, Roy Gerald
Fonte: Electrochemical Society Publicador: Electrochemical Society
Tipo: Artigo de Revista Científica
EN_US
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37.02%
Cu seed layers for future interconnects must have conformal step coverage, smooth surface morphology, and strong adhesion. Conformal deposition had been achieved by chemical vapor deposition (CVD), but CVD Cu films have rough surfaces and poor adhesion. In this paper, conformal, smooth, adherent, continuous, and thin (<9 nm) Cu films were made by CVD. CuON was deposited from a Cu-amidinate precursor, H2O, and NH3 at 140–180°C on Ru. Crystallites in the deposited film have either a Cu2O or Cu3N structure depending on the ratio of H2O to NH3. As-deposited CuON films have a smooth surface morphology [~0.5 nm root-mean-square (rms) roughness] and are highly conformal (>95% step coverage in 40:1 aspect ratio holes). The CuON films were then reduced with remote hydrogen plasma near room temperature to minimize agglomeration of the thin Cu films during reduction. After reduction, CuON films having a Cu2O crystal structure showed a higher density Cu film (95%) than those having a Cu3N crystal structure (84%). Both reduced Cu films had a smooth morphology (~1 nm rms roughness). Thus, deposition of a CuON film having a Cu2O crystal structure and then reduction with remote hydrogen plasma can make Cu layers that can serve as seed layers of future Cu interconnects.; Chemistry and Chemical Biology

Tecnologia LOCOS utilizando nitretos de silicio depositados por ECR-CVD; LOCOS technology using silicon nitride deposited by ECR-CVD

Marcus Anibal Pereira
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 05/12/2005 PT
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36.95%
Isolantes de nitreto de silício (SiNx) para aplicação na tecnologia de isolação LOCOS foram depositados por ECR-CVD a temperatura ambiente e RP/RTCVD, a baixa pressão (5mTorr), com fluxos de gás de N2 de 2.5, 5, 10 e 20sccm, com fluxos de gases de SiH4/Ar fixos de 200sccm/20sccm, e potência de microondas de 1000W em substratos de SiO2-Pad/Si e Si. As estruturas de SiNx/SiO2-Pad/Si e SiNx/Si obtidas foram utilizadas para analisar as características físicas do nitreto de silício. Análises de espectroscopia de infravermelho (FTIR) revelaram a presença de trocas de posição do pico principal das ligações Si-N, das ligações N-H e das ligações Si-N (modo de vibração stretching) nos filmes de nitreto de silício, que está relacionado aos fluxos de N2 na mistura de gases. Os índices de refração entre 1.88 e 2.48 e as espessuras entre 120nm e 139nm foram determinados através de elipsometria. Com estes valores de espessura e com os tempos de ataque em Buffer de HF, foram determinadas as taxas de deposição de 9,6 a 11,1nm/min e taxas de corrosão de 2 a 86nm/min. O processo LOCOS, com etapas seqüenciais de fotolitografia e oxidação térmica, foi executado nas estruturas de SiNx/SiO2-Pad/Si e também de SiNx/Si (sem a presença de óxido "almofada")...

Optimization of ethanol flow rate for improved catalytic activity of Ni particles to synthesize MWCNTs using a CVD reactor

Mansoor,Muhammad; Shahid,Muhammad; Habib,Amir
Fonte: ABM, ABC, ABPol Publicador: ABM, ABC, ABPol
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/06/2014 EN
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36.86%
During synthesis of MWCNTs using CVD, role of carbonaceous material and catalyst, besides other process parameters, has considerable influence on the structure and yield of pristine nanotubes. In present study, different flow rates (i.e. 10, 25, 40 and 55 sccm) of precursor ethanol were used for the synthesis of MWCNTs at 750 ºC in a CVD reactor, where nickel particles were supported on quartz as catalyst. Further, these nanotubes were characterized using XRD, SEM, TGA and Raman spectroscopy to investigate the effect of ethanol flow rate on the catalytic activity of nickel for optimum production of MWCNTs. It was observed that at different ethanol flow rates, variations in synthesis products (i.e. CNTs, amorphous carbon and carbon nanoparticles) were associated with catalytic activity. Maximum catalytic activity of nickel particles was attained by optimizing ethanol flow rate (at 25 sccm). At the optimum flow rate a maximum purity of MWCNTs (>83%) was attained along with other relevant structures i.e. amorphous carbon <1.5% and SWCNT <10% balancing with retained catalytic particles. Any increase from the optimum limit caused not only defects within the CNTs' structure but also increased the impurities which were correlated with the reduction in activity of the nickel particles due to the saturation of active sites.

Síntesis de materiales cerámicos mediante técnicas químicas en fase vapor (CVD); Chemical vapour deposition (CVD) synthesis of ceramic materials

Gómez-Aleixandre, C.; Albella, J. M.; Ojeda, F.; Martí, F. J.
Fonte: Sociedad Española de Cerámica y Vidrio Publicador: Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
Tipo: Artículo Formato: 207317 bytes; application/pdf
SPA
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37.14%
[ES] Actualmente, la técnica de CVD está siendo utilizada en la síntesis de una gran variedad de compuestos cerámicos, generalmente en forma de capa delgada. La técnica, desarrollada inicialmente para su aplicación en microelectrónica, ha sido después utilizada con éxito en otras áreas de gran actividad científica y tecnológica (recubrimientos duros, dispositivos optoelectrónicos, materiales superconductores, etc.). Entre las características más positivas de las técnicas de CVD, cabe destacar la obtención de depósitos homogéneos a temperaturas relativamente bajas, sobre todo cuando la activación de los reactivos se efectúa con plasma o con fotones. La técnica permite además sintetizar nuevos productos que no es posible sintetizar por otras vías. Esta característica abre la puerta hacia la síntesis de productos, con propiedades muy específicas de dureza, estabilidad, etc. La presentación se centrará en las diversas aplicaciones de la técnica de CVD, de las que interesa destacar la preparación de capas de carbono cristalino o amorfo (películas de diamante o cuasi-diamante) partiendo de una mezcla de metano e hidrógeno activada mediante un plasma. Así mismo, se revisará la obtención de recubrimientos de nitruro de boro con diferente estequiometría dependiendo de las condiciones del proceso. Finalmente...

Preparación de tamices moleculares de carbono por CVD; Preparation of carbon molecular sieves by CVD

Manso, R.; Pajares Somoano, Jesús Alberto; Albiniak, A.; Broniek, E.; Siemieniewska, T.
Fonte: Sociedad Española de Cerámica y Vidrio Publicador: Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
Tipo: Artículo Formato: 554521 bytes; application/pdf
SPA
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36.95%
[ES] Se han preparado tamices moleculares de carbono (CMS) mediante el dep sito de tomos de carbono, por pir lisis de benceno, sobre la superficie de carbones activados. La pir lisis de benceno a temperaturas comprendidas entre 650-850 ¼C genera el cierre progresivo de los microporos debido a la creaci n de constricciones en la red microporosa que limitan la accesibilidad de determinadas mol culas. El uso de temperaturas superiores a la temperatura de carbonizaci n del precursor (850 ¼C) introduce complicaciones debido a la descomposici n y sinterizaci n parcial del s lido. Flujos bajos de nitr geno (30 mL min-1) con alto contenido en benceno (13 %) producen un dep sito homog neo a lo largo de las paredes y los materiales presentan distribuciones microporosas mas anchas. El dep sito de carbono sobre carbones activados por pir lisis de benceno a temperaturas inferiores a 850 ¼C, utilizando flujos relativamente altos (150 mL min-1) con baja concentraci n de benceno (1 %) genera tamices con vol menes de microporos alrededor de 0,25 cm3 g-1 y anchuras de poro distribuidas en intervalos estrechos: inferiores a 0,33 nm, entre 0,33-0,41 nm y entre 0,41-0,54 nm. El porcentaje de quemado del carb n activado de partida tiene relativamente poca influencia sobre las propiedades del tamiz molecular...

Efecto del argon en películas CNxHy depositadas mediante ECR-CVD; Effect of argon on the deposition of ECR-CVD hydrogenated carbon nitride films

Gómez-Aleixandre, C.; Albella, J. M.; Gago, R.; Camero, Manuel
Fonte: Sociedad Española de Cerámica y Vidrio Publicador: Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
Tipo: Artículo Formato: 387659 bytes; application/pdf
SPA
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36.95%
[ES] Se ha estudiado el efecto del argon durante el proceso de CVD asistido por un plasma ECR para la síntesis de películas de nitruro de carbono (CNxHy) a partir de mezclas gaseosas Ar/CH4/N2 con diferente contenido de metano. Las películas depositadas han sido analizadas mediante espectroscopía infrarroja (IRS) y ERDA (Elastic Recoil Detection Analysis), y el análisis del plasma ha sido realizado utilizando la técnica de espectroscopía de emisión óptica (OES). La velocidad de deposición y la composición de las películas depositadas se encuentran determinadas por la concentración de argon en la mezcla gaseosa. Se propone un modelo, según el cual el argon juega un papel fundamental como activador de las moléculas de metano. El modelo propuesto incluye dos procesos simultáneos durante el crecimiento de las capas : i) formación de la capa y ii) ataque de la superficie de crecimiento. Según la composición de la mezcla gaseosa se favorece uno u otro proceso, lo que conduce a velocidades de deposición diferentes así como a depósitos con diferente composición y estructura atómica.; [EN] Carbon nitride films have been deposited by ECR-CVD, from Ar/CH4/N2 gas mixtures with different methane concentrations. Infrared Spectroscopy (IRS) and Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA) have been used for films characterisation and Optical Emission Spectroscopy (OES) for plasma analysis. Argon concentration in the gas mixture controls the growth rate as well as the composition of the film. In the proposed model...

The Parameter Space of Graphene CVD on Polycrystalline Cu

Kidambi, Piran Ravichandran; Ducati, Caterina; Dlubak, Bruno; Gardiner, Damian; Weatherup, Robert S.; Martin, Marie-Blandine; Seneor, Pierre; Coles, Harry; Hofmann, Stephan
Fonte: American Chemical Society Publicador: American Chemical Society
Tipo: Article; accepted version
EN
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36.95%
This is the accepted manuscript. The final version is available from ACS at http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp303597m.; A systematic study on the parameter space of graphene CVD on polycrystalline Cu foils is presented, aiming at a more fundamental process rationale in particular regarding the choice of carbon precursor and mitigation of Cu sublimation. CH4 as precursor requires H2 dilution and temperatures ?1000?C to keep the Cu surface reduced and yield a high quality, complete monolayer graphene coverage. The H2 atmosphere etches as-grown graphene, hence maintaining a balanced CH4/H2 ratio is critical. Such balance is more easily achieved at low pressure conditions, at which however Cu sublimation reaches deleterious levels. In contrast, C6H6 as precursor requires no reactive diluent and consistently gives similar graphene quality at 100-150?C lower temperatures. The lower process temperature and more robust processing conditions allow the problem of Cu sublimation to be effectively addressed. Graphene formation is not inherently self-limited to a monolayer for any of the precursors. Rather, the higher the supplied carbon chemical potential the higher the likelihood of film inhomogeneity and primary and secondary multilayer graphene nucleation. For the latter...

Revestimentos de diamante CVD em Si3N4: Atrito e desgaste no deslizamento de pares próprios sem lubrificação

Abreu,C.S.; Oliveira,F.J.; Belmonte,M.; Fernandes,A.J.S.; Silva,R.F.; Gomes,J.R.
Fonte: Sociedade Portuguesa de Materiais Publicador: Sociedade Portuguesa de Materiais
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/01/2006 PT
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36.95%
O diamante natural, dada a sua extrema dureza, apresenta elevada resistência ao desgaste. No entanto, além do seu elevado custo, caracteriza-se por uma forte anisotropia no comportamento tribológico. Estas limitações são ultrapassadas pela utilização de revestimentos de diamante obtidos por deposição química em fase vapor (CVD), que pela sua natureza policristalina combinada com a retenção das propriedades de excepção do diamante, proporcionam superfícies com elevado desempenho tribológico. Os revestimentos de diamante CVD podem ser depositados sobre substratos de natureza diversa. Porém, de modo a garantir elevados níveis de adesão, os cerâmicos à base de nitreto de silício (Si3N4) são substratos particularmente atractivos dado possuírem natureza carburígena e um coeficiente de expansão térmica próximo do do diamante. No presente trabalho foram produzidas por sinterização amostras densas de Si3N4, as quais foram posteriormente revestidas a diamante obtido por deposição química a partir da fase gasosa activada por plasma de micro-ondas (MPCVD). Os testes tribológicos foram realizados na configuração esfera-placa (BOF), na ausência de lubrificação e em atmosfera ambiente, envolvendo pares próprios de diamante CVD. A carga normal aplicada variou entre 10 N e 80 N...

Estudio de la Factibilidad de formación de Estudio de la Factibilidad de formación de Recubrimientos Protectores por CVD en Lecho Fluidizado Sobre la Aleación de Titanio

Pérez,Francisco J; Lira-Olivares,Joaquín; Hierro,María P.; Tirado,Jesús
Fonte: Universidad Simón Bolívar; ; Publicador: Universidad Simón Bolívar; ;
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/01/2005 ES
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36.86%
Se  ha estudiado la factibilidad de la formación de recubrimientos protectores de aluminio por deposición química en fase vapor por reactor de lecho fluidizado (CVD-FBR) sobre la aleación de titanio Ti-15Mo-3Al.  Antes de realizar los experimentos, se utilizaron los cálculos termoquímicos del sistema  usando el método de minimización de energía libre por el software HSC Chemistry, como factor de diseño de las condiciones al recubrir  la aleación de titanio con  Al. Los recubrimientos fueron caracterizados por análisis morfológico superficial y de la sección transversal a través  de microscopía electrónica de barrido (SEM) empleando espectroscopia de dispersión de energía  (EDS), mapa de distribución de los elementos y difracción de rayos-X. Se encontró que para las condiciones de H2/HCl=31/1 y H2/HCl=15/1, respectivamente, ambas  durante una hora, a una temperatura de 395ºC, la aleación de titanio Ti-15Mo-3Al presenta una  capa de aluminio muy  delgada. Los espesores de las capas de aluminio obtenidas para las relaciones de gases de H2/HCl=31/1 y H2/HCl=15/1 son de 0,58 y 0,87mm respectivamente. De acuerdo a estos resultados, el uso de CVD-FBR es viable para el proceso de deposición de aluminio sobre la aleación de titanio Ti-15Mo-3Al.