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Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF.; Project of circuits for generation of voltage reference in receiving/transmitting RF systems.

Hamanaka, Cristian Otsuka
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 11/05/2007 PT
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46.42%
Este trabalho consiste no projeto de uma Fonte de Tensão de Referência CMOS com coeficiente de temperatura inferior a 50 ppm/ºC. Esta fonte deve ser aplicada em receptores/transmissores de radio freqüência mas pode também ser utilizada em qualquer sistema analógico. A tecnologia utilizada foi a CMOS 0,35 µm da AMS (Austria Micro Systems) com quatro níveis de metal e dois de silício policristalino. A fonte de tensão implementada é do tipo Bandgap e utiliza dispositivos MOS em inversão fraca, um transistor bipolar parasitário e resistores de silício policristalino de alta resistividade. No circuito é produzida uma tensão PTAT (Proportional to Absolute Temperature) que somada a tensão base-emissor do transistor bipolar resulta numa tensão de saída independente da temperatura. O projeto e o desenho do layout desta fonte foram realizados. A partir do layout foram gerados netlists para simulações realizadas utilizando o software ELDO com o modelo MOS BSIM3v3, nas condições de operação típicas, worst speed e worst power. Através destas simulações verificou-se que o circuito atendia as especificações iniciais. O valor da tensão de saída, no entanto, apesar de estar próximo do valor desejado de 1,25 V, variou com as condições de simulação empregadas. Dois circuitos Bandgap diferentes foram enviados para fabricação: um circuito com resistores integrados (dimensões de 220 µm x 76 µm) e outro sem os resistores (dimensões de 190 µm x 36 µm). Este último permite...

Lógica quaternária de alto desempenho e baixo consumo para circuitos VLSI; Low-power high-performance quaternary for VLSI circuits

Silva, Ricardo Cunha Gonçalves da
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
POR
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46.24%
Desde a década de 60, o aprimoramento das técnicas de fabricação de circuitos integrados que usam lógica binária tem levado ao aumento exponencial na densidade de dispositivos, melhoria do desempenho, redução da energia consumida e redução dos custos de fabricação dos circuitos integrados no estado da arte. Esse avanço tem sido alcançado historicamente pela miniaturização dos dispositivos que, já em escala nanométrica, começam a encontrar limites físicos para a sua redução. Com o intuito de dar continuidade ao avanço tecnológico, muitos trabalhos têm proposto a compactação da informação através do uso de lógica não binária como solução alternativa para a melhoria de desempenho de circuitos no estado da arte. Nesse sentido, diversos trabalhos foram desenvolvidos em diferentes tecnologias que vão de circuitos bipolares a dispositivos quânticos, entretanto, até o presente momento, nenhuma tecnologia demonstrou ao mesmo tempo os requisitos de desempenho, consumo, área e confiabilidade, necessários à aplicação em circuitos de alta escala de integração. Este trabalho apresenta uma nova família de circuitos de lógica quaternária com alto desempenho, baixos consumo e área e que usa tecnologia CMOS. Os circuitos desenvolvidos neste trabalho fazem uso de três fontes de alimentação e até oito diferentes transistores com diferentes tensões de limiar para realizar a lógica quaternária. São apresentados circuitos elementares como inversores e circuitos literais e com eles construídos circuitos aritméticos e multiplexadores. Os circuitos são simulados com a ferramenta SPICE usando a tecnologia TSMC 0...

An analog implementation of radial basis neural networks (RBNN) using BiCMOS technology

De Oliveira, J. P.; Oki, N.
Fonte: Universidade Estadual Paulista Publicador: Universidade Estadual Paulista
Tipo: Conferência ou Objeto de Conferência Formato: 705-708
ENG
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36.04%
This paper describes a analog implementation of radial basis neural networks (RBNN) in BiCMOS technology. The RBNN uses a gaussian function obtained through the characteristic of the bipolar differential pair. The gaussian parameters (gain, center and width) is changed with programmable current source. Results obtained with PSPICE software is showed.

Photodetection with gate-controlled lateral BJTs from standard CMOS technology

Campos, Fernando de Souza; Faramarzpour, Naser; Marinov, Ognian; Deen, M. Jamal; Swart, Jacobus W.
Fonte: Universidade Estadual Paulista Publicador: Universidade Estadual Paulista
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 1554-1563
ENG
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36.06%
The silicon-based gate-controlled lateral bipolar junction transistor (BJT) is a controllable four-terminal photodetector with very high responsivity at low-light intensities. It is a hybrid device composed of a MOSFET, a lateral BJT, and a vertical BJT. Using sufficient gate bias to operate the MOS transistor in inversion mode, the photodetector allows for increasing the photocurrent gain by 106 at low light intensities when the base-emitter voltage is smaller than 0.4 V, and BJT is off. Two operation modes, with constant voltage bias between gate and emitter/source terminals and between gate and base/body terminals, allow for tuning the photoresponse from sublinear to slightly above linear, satisfying the application requirements for wide dynamic range, high-contrast, or linear imaging. MOSFETs from a standard 0.18-μm triple-well complementary-metal oxide semiconductor technology with a width to length ratio of 8 μm /2 μm and a total area of ∼ 500μm2 are used. When using this area, the responsivities are 16-20 kA/W. © 2001-2012 IEEE.

Circuitos quaternarios : somador e multiplicador; Quaternary circuits : adder and multiplier

Carlos Roberto Mingoto Junior
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 12/12/2005 PT
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36.17%
Os circuitos quaternários são uma alternativa para o processamento das informações, que, atualmente, acontece de forma binária. Ainda em fase de definições, a lógica multivalores mostra-se como um campo de pesquisas que pode auxiliar a busca pelo incremento de desempenho e redução de área de ocupação dos transistores de um circuito integrado. A lógica multi-valores utilizando-se de quatro dígitos na representação das informações é a lógica quaternária. Neste trabalho são propostos alguns blocos básicos de circuitos eletrônicos quaternários que, progressivamente, são aglutinados formando blocos mais complexos para finalmente construir-se um circuito meio-somador, um somador completo e um multiplicador quaternários. As montagens são feitas e testadas em simulador de circuitos eletrônicos e operam em modo corrente com transistores bipolares NPN e PNP; The quaternary circuits are an alternative to data processing that, nowadays, occurs in a binary way. Still in a definition stage, the multiple-valued logic seems to be a research area to aid the increase of performance and reduction of area of the transistors inside an integrated circuit. The multiple-valued logic using four digits to represent the data is called quaternary logic. In this work are proposed some basic blocks of electronic quaternary circuit which are progressively joined to become more complex blocks and finally a half-adder...

Metodologia semi-custom : um ambiente de projeto de circuitos analogicos dedicado a um "analog-array"

Marly Guimarães da Silva
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 22/06/1988 PT
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26.07%
Os circuitos integrados analógicos de pequena e media complexidade podem, a exemplo dos circuitos digitais, ser confeccionados usando circuitos integrados semidedicados ("semi-custom"). Com esta técnica o projetista necessita apenas realizar as interconexões entre os dispositivos pré-difundidos na lâmina de silício. Entre as várias vantagens da utilização desta metodologia de projeto, podemos citar: baixo custo; rapidez na execução do projeto; rapidez na correção de algum eventual erro no projeto; rapidez na confecção do circuito integrado. Neste trabalho apresentamos o projeto de um "chip semi-custom" do tipo ?array?-analógico, em tecnologia bipolar, bem como o desenvolvimento de um suporte de C.A.D. dedicado ao "array"-analógico projetado. Este C.A.D., denominado "Array-Software", consiste de Editor Gráfico, Extrator de Interconexões, Verificador de Regras de Projeto a nível de metalização e Gerador de Padrões para cortes de máscara em Rubylith, compatível com o sistema usado no LED/UNICAMP. Por fim, analisamos os resultados obtidos nos ensaios de implementação de funções analógicas típicas, com o auxílio das ferramentas de projeto desenvolvidas; Analog SSI and MSI Integrated Circuits. as the digital circuits...

Projeto de um conversor D/A não linear integrado (Lei A-128) em tecnologia bipolar

Jose Antonio Siqueira Dias
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 27/06/1985 PT
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26.1%
Neste trabalho apresetamos o projeto completo de um conversor D/A não-linear integrado (Lei A-128), em tecnologia I2L/Linear, que visa atender às especificações dos sistema de transmissão telefônica por modulação de código de pulsos (MCP). O projeto é dividido em duas etapas básicas: a primeira relativa ao projeto dos circuitos digitais I2L, e a segunda, a mais importante, relativa ao projeto dos circuitos analógicos de conversão D/A. A parte do projeto que envolve os circuitos analógicos é discutidas detalhadamente, procurando apresentar de forma clara as técnicas de projeto utilizadas. As avaliações do projeto, realizadas com montagens em "bread-board", usando "arrays" de transistores, mostraram um bom desempenho, indicando que uma versão em circuito integrado, deverá apresentar um desempenho, muito bom, atendendo facilmente as características necessárias ao conversor D/A do sistema MCP; The design of an integrated PCM non-linear D/A converter (A-128 law) in I2L/Linear technology is presented. The work has two main parts: one concerning the design of the I2L digital circuits and the second, which is also the most important, dedicated to the design and analysis of the analog circuits used in the D/A converter. The design of the analog circuits is discussed in details and all the desing techniques used are explainde carefully. The circuit was evaluated in bread-board form...

Beyond CMOS: heterogeneous integration of III–V devices, RF MEMS and other dissimilar materials/devices with Si CMOS to create intelligent microsystems

Kazior, Thomas E.
Fonte: The Royal Society Publishing Publicador: The Royal Society Publishing
Tipo: Artigo de Revista Científica
Publicado em 28/03/2014 EN
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26.22%
Advances in silicon technology continue to revolutionize micro-/nano-electronics. However, Si cannot do everything, and devices/components based on other materials systems are required. What is the best way to integrate these dissimilar materials and to enhance the capabilities of Si, thereby continuing the micro-/nano-electronics revolution? In this paper, I review different approaches to heterogeneously integrate dissimilar materials with Si complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. In particular, I summarize results on the successful integration of III–V electronic devices (InP heterojunction bipolar transistors (HBTs) and GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs)) with Si CMOS on a common silicon-based wafer using an integration/fabrication process similar to a SiGe BiCMOS process (BiCMOS integrates bipolar junction and CMOS transistors). Our III–V BiCMOS process has been scaled to 200 mm diameter wafers for integration with scaled CMOS and used to fabricate radio-frequency (RF) and mixed signals circuits with on-chip digital control/calibration. I also show that RF microelectromechanical systems (MEMS) can be integrated onto this platform to create tunable or reconfigurable circuits. Thus, heterogeneous integration of III–V devices...

Microelectronic Devices and Circuits - 2006 Electronic Edition

Fonstad, Clifton
Fonte: MIT - Massachusetts Institute of Technology Publicador: MIT - Massachusetts Institute of Technology
Tipo: Livro Formato: 37817041 bytes; application/pdf
EN_US
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26.1%
Combining semiconductor device physics and modeling with electronic circuit analysis and practice in a single sophomore/junior level microelectronics course, this textbook offers an integrated approach so students can truly understand the interaction between semiconductor physics, device structure, and integrated circuit design and operation. The balanced, modular treatments of bipolar and MOS devices, and of analog and digital circuits can be easily adapted to a particular instructor or class’s needs. SPICE models, MESFET’s, optoelectronic devices, worked examples, and end-of-the-chapter problems further enhance the text.; This book is based on the textbook Microelectronic Devices and Circuits by Clifton G. Fonstad, which was published by McGraw-Hill in 1994 (ISBN 0-07-021-496-4). McGraw-Hill has declared the original textbook “out of print” and has transferred the copyright to the author, Clifton G. Fonstad. Errata in the original text identified as of August 15, 2006 have been corrected in this edition. This edition will appear enlarged 110% from the original page size when printed on standard letter paper (8.5” x 11”).

A low dispersion 2-GHz comparator; Low dispersion two-gigahertz comparator

Johnston, William F. (William Francis)
Fonte: Massachusetts Institute of Technology Publicador: Massachusetts Institute of Technology
Tipo: Tese de Doutorado Formato: 41 leaves
ENG
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26%
A low dispersion 2-GHz comparator is an essential part of the latest automated VLSI tester by Teradyne Inc. With each new and faster CMOS logic VLSI microchips, faster and more precise comparators are needed to verify that the static discipline is being met on the many pins of the integrated circuit. As the error in the comparator is lowered, the VLSI production yield is greatly increased because of greater certainty of the measurements. The comparator described within is designed to test a variety of CMOS logic levels at the expected logic levels and rise-times of the near future. The result is a Si-Ge integrated comparator with 12psec of dispersion by detailed simulation awaiting fabrication. Index Terms-Complementary metal oxide semiconductor transistor technology (CMOS technology), very large scale integration (VLSI), application specific integrated circuit (ASIC), silicon germanium (Si-Ge), integrated circuits (IC), automatic test equipment (ATE), personal computer (PC), digital signal processing (DSP), direct current (DC), alternating current (AC), device under test (DUT), pin electronics (PE), bipolar junction transistors (BJT), complementary metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).; by William F. Johnston.; Thesis (M. Eng. and S.B.)--Massachusetts Institute of Technology...

A 77GHz power amplifier in silicon germanium BiCMOS technology; Seventy-seven gigahertz power amplifier in silicon germanium bipolar complementary metal oxide semiconductor technology

Nguyen, Khoa Minh
Fonte: Massachusetts Institute of Technology Publicador: Massachusetts Institute of Technology
Tipo: Tese de Doutorado Formato: 54 leaves
ENG
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35.95%
The allocation of millimeter-wave frequencies has opened new possibilities for imaging applications such as vehicular radar and concealed weapons detection. Recent advances in silicon processes offer a new means of implementing cost-effective millimeter-wave integrated circuits, a field previously dominated by III-V semiconductors. By moving towards silicon, millimeter-wave circuits can achieve new levels of integration that were not possible when designed with III-V semiconductors. This thesis discusses the challenges and design of a 2-stage cascoded class-AB 77GHz power amplifier that could be used for imaging applications. Simulation results show a maximum output power of 20dBm, 26dB gain, and a maximum power-added efficiency (PAE) of 16%.; by Khoa Minh Nguyen.; Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2006.; Includes bibliographical references (leaves 53-54).

Sistemas de imagem CMOS com alta responsividade e elevada faixa dinamica; CMOS image system wiht high responsivity and high dynamic range

Fernando de Souza Campos
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 11/12/2008 PT
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36.16%
O trabalho apresentado nesta tese endereça dois importantes desafios impostos pela evolução da tecnologia CMOS, a diminuição da responsividade das junções e a redução da tensão de alimentação. Um fotodetector de alta responsividade e um sistema de imagem CMOS multiamostrado no domínio do tempo são propostos nesta tese. Como fototransistor de elevada responsividade propõem-se nesta tese o uso do Transistor Bipolar Lateral Controlado por Porta (GC-LBJT) operando como fototransistor de 4 terminais. Apresenta-se a análise do princípio de funcionamento e o desenvolvimento de um circuito equivalente CC. A fotoresposta do GC-LBJT é investigada em duas diferentes configurações, coletor-comum com tensão porta-base constante e emissor-comum com tensão porta-emissor constante. A característica da fotoresposta é associada às equações do dispositivo em ambas as configurações mostrando os principais parâmetros do dispositivo que determinam o ganho. Na configuração coletor-comum, a característica da fotoresposta varia de aproximadamente linear a sublinear por meio da tensão de controle VGB. Na configuração emissor-comum, o dispositivo apresenta fotoresposta sublinear e baixa excursão para toda faixa de tensão de controle (VGB) utilizada. Explorando a característica controlável do GC-LBJT em ambas as configurações...

Resistive switching em filmes finos de óxidos de silício e zicórnio

Rosário, Carlos Miguel Marques do
Fonte: Universidade de Aveiro Publicador: Universidade de Aveiro
POR
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26.06%
As memórias ReRAM, acrónimo de resistive (switching) random access me-mories, apresentam-se como candidatas a liderar a nova geração de memórias não voláteis e baseiam-se na comutação elétrica da resistência de um material, fenómeno conhecido por resistive switching (RS). A investigação do RS em estruturas que incorporam materiais compatíveis com a tecnologia CMOS, atualmente a tecnologia dominante na fabricação de circuitos integrados, como o óxido de silício ou o óxido de zircónio, poderá facilitar uma futura introdução no mercado de dispositivos baseados neste fenómeno. Nesta dissertação, estruturas Au/óxido/TiN, obtidas pela deposição de lmes nos de óxidos de silício e de zircónio por pulverização catódica assistida por magnetrão, foram estudadas através de medidas de características corrente tensão (I V ) e espectroscopia de impedância (IS). Nas estruturas com SiOx, as características I V exibem RS com aspecto bipolar, com razões entre a resistência no estado de alta resistência (HRS) e no estado de baixa resistência (LRS) superiores a 100, para uma tensão de 1 V. O RS observado é sensível à exposição do elétrodo de Au à atmosfera, condição que promove o RS. A tensão necessária para induzir a transição do estado HRS para o estado LRS aumenta com a diminuição do tempo em que é aplicada. A diminuição da temperatura provoca uma diminuição da resist ência no estado LRS e um aumento da mesma no estado HRS...

6.012 Microelectronic Devices and Circuits, Spring 2003; Microelectronic Devices and Circuits

Del Alamo, Jesus; Scholvin, Jorg
Fonte: MIT - Massachusetts Institute of Technology Publicador: MIT - Massachusetts Institute of Technology
EN-US
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46.43%
Modeling of microelectronic devices, and basic microelectronic circuit analysis and design. Physical electronics of semiconductor junction and MOS devices. Relation of electrical behavior to internal physical processes; development of circuit models; and understanding the uses and limitations of various models. Use of incremental and large-signal techniques to analyze and design bipolar and field effect transistor circuits, with examples chosen from digital circuits, single-ended and differential linear amplifiers, and other integrated circuits. Design project. From the course home page: Course Description 6.012 is the header course for the department's "Devices, Circuits and Systems" concentration. The topics covered include: modeling of microelectronic devices, basic microelectronic circuit analysis and design, physical electronics of semiconductor junction and MOS devices, relation of electrical behavior to internal physical processes, development of circuit models, and understanding the uses and limitations of various models. The course uses incremental and large-signal techniques to analyze and design bipolar and field effect transistor circuits, with examples chosen from digital circuits, single-ended and differential linear amplifiers...

Recent developments in monolithic integration of InGaAsP/InP optoelectronic devices

Koren, Uziel; Margalit, Shlomo; Chen, T. R.; Yu, K. L.; Yariv, Amnon; Bar-Chaim, Nadav; Lau, Kam Y.; Ury, Israel
Fonte: Instituto de Tecnologia da Califórnia Publicador: Instituto de Tecnologia da Califórnia
Tipo: Article; PeerReviewed Formato: application/pdf
Publicado em /10/1982
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26.08%
Monolithically integrated optoelectronic circuits combine optical devices such as light sources (injection lasers and light emitting diodes) and optical detectors with solid-state semiconductor devices such as field effect transistors, bipolar transistors, and others on a single semiconductor crystal. Here we review some of the integrated circuits that have been realized and discuss the laser structures suited for integration with emphasis on the InGaAsP/InP material system. Some results of high frequency modulation and performance of integrated devices are discussed.

Analog VLSI Circuits for Sensorimotor Feedback

DeWeerth, Stephen P.
Fonte: California Institute of Technology Publicador: California Institute of Technology
Tipo: Report or Paper; PeerReviewed Formato: application/postscript; other
Publicado em 01/01/1991
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26.13%
This thesis presents a design framework and circuit implementations for integrating sensory and motor processing onto very large-scale integrated (VLSI) chips. The designs consist of analog circuits that are composed of bipolar and subthreshold MOS transistors. The primary emphasis in this work is the transformation from the spatially-encoded representation found in sensory images to a scalar representation that is useful for controlling motor systems. The thesis begins with a discussion of the aggregation of sensory signals and the resulting extraction of high-level features from sensory images. An integrated circuit that computes the centroid of a visual image is presented. A theoretical analysis of the function of this circuit in stimulus localization and a detailed error analysis are also presented. Next, the control of motors using pulse trains is discussed. Pulse-generating circuits for use in bidirectional motor control and the implementation of traditional control schemes are presented. A method for analyzing the operation of these controllers is also discussed. Finally, a framework for the combination of sensory aggregation and pulse-encoded outputs is presented. The need for signal normalization and circuits to perform this task are discussed. Two complete sensorimotor feedback systems are presented.

Establishing a bipolar fabrication service for analog circuit realization at the Rochester Institute of Technology

La Pietra, Andrew
Fonte: Rochester Instituto de Tecnologia Publicador: Rochester Instituto de Tecnologia
Tipo: Tese de Doutorado
EN_US
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66.4%
A bipolar fabrication service has been developed at the Rochester Institute of Technology to service students and faculty from the Microelectronic, Electrical and Computer Engineering departments wanting to realize designed integrated circuits. The fabrication technique combined Implanted N-Well and double diffusion processes. Phosphorous was implanted into a p-type substrate, oxidized for eight hours and diffused in nitrogen for another 40 hours to create isolated n-wells. Devices were then fabricated using a double diffusion process. The CAD tool used for the service is the Integrated Circuit Editor, ICE, which has campus wide accessibility through the RIT VAX system. Designed standard cells include resistors, bipolar and MOS transistors, a current mirror, a differential amplifier, a Darlington circuit and an operational amplifier. Full custom circuits can also be designed using ICE. Maskmaking files generated from circuit designs are sent to the Microelectronic Engineering department for circuit fabrication, and the completed circuits are returned to the designer for testing. The RIT N-Well process has provided vertical NPN and PNP transistors with common emitter current gains of 100 and 40 respectively, Early voltages greater than 50 volts...

An Integrated BiCMOS driver chip for medium power applications

Ting, Goodwin
Fonte: Rochester Instituto de Tecnologia Publicador: Rochester Instituto de Tecnologia
Tipo: Tese de Doutorado
EN_US
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56.34%
The development of an integrated driver circuit intended for medium power switching applications is presented. The device contains, on one chip, CMOS digital control logic and bipolar drivers, with BiCMOS interface between the two technologies. The custom integrated circuit includes four outputs each capable of switching over 500 mA at 30 volts, at a frequency of up to 1 MHz. The development effort includes the design of the chip with its component circuits and cells. Standard cell CMOS logic gates along with drive and interface circuits were designed and characterized. An appropriate BiCMOS process was developed which utilizes an n-well based 4-micron polysilicon gate MOS technology and vertical NPNs with subcollector and double emitter implants. The chip performance specifications are evaluated with respect to technology requirements and device characteristics, and trade-offs in the design of the chip and the process are examined. Process and device modeling results are compared with the measured data, which show that the objectives of the design are successfully met for the various applications involving resistive, capacitive, and inductive loads.

Development of a modular 2-micron BiCMOS process from an existing 2-micron n-well CMOS process

Guidash, R. Michael
Fonte: Rochester Instituto de Tecnologia Publicador: Rochester Instituto de Tecnologia
Tipo: Tese de Doutorado
EN_US
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35.84%
A modular 2-micron BiCMOS process was developed from an existing 2-micron N-Well CMOS process. The process maintains compatibility with the existing 2- micron CMOS design rules and design library, meets the NPN device parameter targets supplied, and utilizes present manufacturing operations and equipment, with a minimum number of additional masks and steps. NPN transistor parameter targets were determined from intended technology applications. Process integration options are introduced and evaluated. A procedure for process latitude determination and process optimization is presented.

Process development of an analog/digital mixed-mode BiCMOS system at RIT

Hirschman, Karl D.
Fonte: Rochester Instituto de Tecnologia Publicador: Rochester Instituto de Tecnologia
Tipo: Tese de Doutorado
EN_US
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46.3%
The development of an analog/digital mixed-mode BiCMOS process is presented. The process uses the RIT factory n-well CMOS process as its baseline process. The process is tailored to meet the requirements of an analog/digital system, while minimizing process complexity and maximizing compatibility with the established CMOS process. The process development includes determining the device requirements for the BiCMOS process, evaluating the established CMOS process, and integrating the additional process steps into the baseline process. TMA SUPREM III 1-D Process Analysis Program and RIT's processing history are used as guidelines, keeping manufacturability an important issue. An integrated test chip is developed to measure the performance of the process and to compare measured results with modelling simulations. The test chip includes test structures for each masking level, along with test circuits that are designed using CMOS, bipolar, and BiCMOS technologies, which perform analog and digital functions. The process is implemented into the RIT factory, utilizing the WIPTRACK tracking system. Each processing step is entered into the system with complete instructions. Real-time measurement data is entered into the system at each step by operators under the supervision of the process engineer. Analysis of the test structures and test circuits will demonstrate the performance of the designed process.